公开(公告)号：CN118388728A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410553731.2

申请日：2024-05-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐芬 ,  冯俞霖 ,  张一鸣 ,  孙立贤 ,  杜毛湛 ,  陈悦 ,  冯亚飞

IPC: C08G12/08 ,  C08K7/24 ,  H01G11/32 ,  C01B32/15

Abstract: 本发明公开了具有纳米花球结构的NCS/DT‑COF，以二氨基蒽醌、三甲酰基间苯三酚、纳米介孔碳球为原材料，以对甲苯磺酸为催化剂，以去离子水为润滑剂，使用物理研磨法制备复合共价有机骨架超级电容器负极材料；具有纳米花球结构，花球大小在100‑500nm；在30‑450℃范围内具有稳定性，在温度高于450℃开始缓慢分解。其制备方法包括以下步骤：1，纳米介孔碳球NCS材料的制备；2，复合材料NCS/DT‑COF的制备。作为超级电容器中负极材料的应用，在‑0.3‑‑1V范围内充放电，当电流密度为1A/g时，比电容为456‑458F/g；在10000次GCD循环后电容保持率为90.0‑91.3％。

公开(公告)号：CN118335535A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410547969.4

申请日：2024-05-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙立贤 ,  吴学虎 ,  徐芬 ,  方淞文 ,  张靖 ,  杜毛湛 ,  徐如丹 ,  宋领君 ,  卢俊铭 ,  高源 ,  陈翔 ,  冯俞霖 ,  彭璇 ,  陈悦

IPC: H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种具有P和S双空位镍钴纳米花复合材料，通过两步水热法制备S‑NiCoS，再通过磷化/还原法在S‑NiCoS中引入P空位得到PS‑NiCoS；S‑NiCoS的微观形貌为花状结构；PS‑NiCoS的微观形貌为花状结构，比表面积为66.342m2g‑1，孔径分布为1.4‑12.3nm。其制备方法包括以下步骤：1，S‑NiCoS的制备；2，PS‑NiCoS的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1‑2A g‑1时，比电容为1100‑1300F g‑1；在电流密度为5‑15A g‑1时，经过3000‑6000圈循环后保留初始比电容的80‑90％。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1‑2A g‑1时，比电容为1100‑1300F g‑1；在电流密度为5‑15A g‑1时，经过3000‑6000圈循环后保留初始比电容的80‑90％。

公开(公告)号：CN119724941A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411835403.8

申请日：2024-12-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐芬 ,  徐如丹 ,  孙立贤 ,  余楚钰 ,  冯俞霖 ,  陈悦 ,  罗善俱 ,  李秋暖

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开一种中空纳米花NiCo‑LDH，以硝酸镍、硝酸钴、二甲基咪唑、二甲基亚砜、十六烷基三甲基溴化铵为原料，以去离子水和无水乙醇为溶剂，通过沉淀法和水热法合成得到NiCo‑LDH，所述NiCo‑LDH为中空纳米花结构；所述中空纳米花NiCo‑LDH的尺寸为600‑700nm，中空纳米花结构的壁具有二级结构，二级结构由小绣球构成的分层结构，小绣球的尺寸为100nm，小绣球的初级单元为LDH薄片。其制备方法包括以下步骤：1，ZIF‑67的制备；2，中空纳米花NiCo‑LDH的制备。作为超级电容器电极材料的应用时，在放电电流密度为1A g‑1时，HNF‑NiCo‑LDH‑6的比电容为1538‑1834F g‑1。

公开(公告)号：CN119694796A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411815589.0

申请日：2024-12-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙立贤 ,  杜毛湛 ,  徐芬 ,  吴学虎 ,  陈梦龙 ,  余楚钰 ,  冯俞霖 ,  徐如丹 ,  陈悦

IPC: H01G11/22 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种中空正六面体结构硫化钴负载氧化镍复合材料，以正六面体结构的C‑ZIF‑67为基底，先通过溶剂热法进行刻蚀转化为中空正六面体结构的硫化钴CH‑CoS，再通过溶剂热法和煅烧实现在中空正六面体结构硫化钴CH‑CoS上负载氧化镍纳米颗粒NiO，得到CH‑CoS/NiO。其制备方法包括以下步骤：1，正六面体结构C‑ZIF‑67的制备；2，中空正六面体结构CH‑CoS的制备；3，CH‑CoS/NiOH的制备；4，中空正六面体结构CH‑CoS/NiO的制备。作为超级电容器电极材料的应用时，质量比电容为1200‑1300F g‑1；5000次充放电循环保留初始容量的80‑90％；能量密度为30‑40Wh kg‑1。

公开(公告)号：CN118185094A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410414076.2

申请日：2024-04-08

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙立贤 ,  余楚钰 ,  徐芬 ,  朱琰铃 ,  徐如丹 ,  陈悦 ,  冯俞霖 ,  李秋暖 ,  邹勇进

IPC: C08J5/18 ,  H01G11/24 ,  H01G11/48 ,  H01G11/86 ,  C08K3/08 ,  C08L75/04

Abstract: 本发明公开了一种透明可拉伸性AgNWs‑WPU薄膜，以水性聚氨酯WPU为基底材料，银纳米线AgNWs作为导电材料，通过物理浇注法制得；AgNWs‑WPU薄膜具有透明性，高拉伸性能和高导电性能；其微观结构为均一的三维网络结构，薄膜的阻抗为1.91‑2.0Ω；透明性为，具有透光性，并且，在500nm处的透光率69‑70％；高拉伸性能为，拉伸强度为43.4‑45.0MPa，断裂伸长率为210.5‑215.0％。其制备方法包括以下步骤：1，AgNWs‑WPU混合溶液的制备；2，AgNWs‑WPU薄膜的制备。作为超级电容器中电极材料的应用，当电流密度为0.1mA cm‑2时，比电容为595‑600mF cm‑2；当电流密度为2mA cm‑2，充放电循环次数为5000次的条件下，容量保持率为82‑85％，库仑效率为98‑99％。

公开(公告)号：CN117995566A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410240131.0

申请日：2024-03-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐芬 ,  徐如丹 ,  孙立贤 ,  邵旗伟 ,  余楚钰 ,  朱琰铃 ,  罗勇 ,  陈悦 ,  冯俞霖

IPC: H01G11/32 ,  H01G11/36 ,  H01G11/24 ,  H01G11/84 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种非晶态NiCo‑LDH/CC‑C复合材料，以硝酸镍、硝酸钴、碳布CC、羧基纤维素钠CMC为原料，以去离子水为溶剂，通过电沉积法制得NiCo‑LDH/CC‑C；所述NiCo‑LDH/CC‑C由NiCo‑LDH和CC复合而得，NiCo‑LDH为非晶态结构，微观形貌为纳米片状结构，厚度为10‑20nm，负载方向为垂直于CC表面且稳定负载于CC表面。其制备方法包括以下步骤：1，镍钴混合溶液的准备；2，NiCo‑LDH/CC‑C的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5V范围内充放电，在放电电流密度为1A/g时，NiCo‑LDH/CC具有1500‑2100F g‑1的比电容；当质量负载为3.5‑4.2mg cm‑2时，在放电电流密度为2mA cm‑2时，面积比电容为6.4‑8.7F cm‑2。

公开(公告)号：CN117986510A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410149235.0

申请日：2024-02-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐芬 ,  冯俞霖 ,  孙立贤 ,  邵旗伟 ,  吴学虎 ,  徐如丹 ,  余楚钰

IPC: C08G12/08 ,  H01G11/32 ,  C08K7/24

Abstract: 本发明公开了一种基于EG调控微观形貌的EG/DT‑COF，以二氨基蒽醌、三甲酰基间苯三酚、膨胀石墨为原材料，以对甲苯磺酸为催化剂，以去离子水为润滑剂，使用物理研磨法制备复合共价有机骨架超级电容器负极材料；所述材料具有层状的多孔结构，其孔径大小在2‑50nm；所述材料在20‑450℃范围内具有稳定性，在445‑455℃开始分解。其制备方法包括以下步骤：1，膨胀石墨EG的制备；2，基于EG调控微观形貌的EG/DT‑COF的制备。作为超级电容器中负极材料的应用，在‑0.3‑‑1V范围内充放电，当电流密度为1A/g时，比电容为495‑501F/g；在10000次GCD循环后电容保持率为93‑94.4％。