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公开(公告)号：CN116396749A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310125666.9
申请日：2023-02-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C09K11/65 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，具体涉及一种金属硒化物量子点及碳点的合成与发光器件制备方法，金属硒化物量子点及碳点的合成方法包括：制备共生金属硒化物量子点‑碳点溶液；制备纯碳点溶液；将超声剥离结合加热搅拌或水热反应制备共生金属硒化物量子点‑碳点分散液或纯碳点分散液，采用超声处理对金属硒化物或NMP或PEG等进行初次剪切和剥离；然后通过加热搅拌或水热反应的再次剪切和剥离，可合成量子点或碳点溶液，具有低成本的优点；再通过将量子点或碳点进行二次溶解分散，将共生金属硒化物量子点‑碳点溶液或纯碳点溶液用作发光层构建固态电致发光器件，解决了现有纯碳点发光器件效率低的问题。
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公开(公告)号：CN114122275B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111421489.6
申请日：2021-11-26
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
Abstract: 本申请涉及近紫外发光器件及其制备领域，具体提供了一种过渡金属氯化物近紫外发光器件及其制备方法，其特征在于，本发明器件为层状结构，从下到上依次包括透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、金属阴极。空穴注入层的材料具有导电特性且透明。透明阳极的材料为导电玻璃；空穴传输层的材料为CBP；发光层的材料为PBD；电子传输层的材料为BPhen；金属阴极为LiF/Al金属电极。本发明器件的外量子效率达到2％以上，且具有403‑407nm的发光峰、43‑58nm的半峰宽以及6.5‑8.05mW/cm2的强辐照度。
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公开(公告)号：CN114646670A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210270430.X
申请日：2022-03-18
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本申请涉及半导体气敏器件技术领域，具体提供了一种基于ZnO半导体的高灵敏的气敏器件的制备方法，该方法包括如下步骤：S1，制备ZnO纳米片；S2，制备基于ZnO半导体的气敏器件；S3，利用氢等离子体进行增敏处理。本发明提供一种无需贵金属掺杂的基于ZnO半导体的高灵敏的气敏器件的制备方法，有效降低制备成本；同时使用氢等离子体技术在ZnO半导体表面产生氧空位，从而提升气敏器件的灵敏度，灵敏度能够提高到原来的5倍以上，因此，本发明方法制备的气敏器件的灵敏度较高。另外，本发明方法制备的气敏器件还具有检测范围宽、使用方便的优点。
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公开(公告)号：CN113725374A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110801218.7
申请日：2021-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种倒置结构OLED器件与制备方法，包括制备碳酸锂‑甲酸溶液；制备碳酸锂‑硼酸溶液；处理ITO透明阴极；在ITO透明阴极涂覆碳酸锂‑甲酸溶液和碳酸锂‑硼酸溶液中的一种，并退火得到电子注入层，最后在多源热蒸发系统依次沉积BPhen电子传输层、PBD发光层、CBP空穴传输层、MoO3空穴注入层和Al阳极，得到倒置结构OLED器件。碳酸锂‑甲酸作为电子注入层，基于PBD发光层，OLED器件表现出优异的光电器件性能，有5.24mW/cm2的最大辐射度和2.47％的EQE，碳酸锂‑甲酸层表现出优异的电子性能并有助于电子注入，从而提高了倒置结构OLED器件的电光性能。
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公开(公告)号：CN114152646B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111274247.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明涉及挥发性有机化合物检测领域，具体涉及一种钼酸盐挥发性有机化合物检测装置，包括绝缘层、电致伸缩部、钼酸盐层、测试电极，电致伸缩部有两个，两个电致伸缩部分别固定连接在绝缘层下表面的两端，钼酸盐层设置在绝缘层上表面的中部，测试电极有两个，两个测试电极设置在绝缘层上，两个测试电极与钼酸盐层固定连接。电致伸缩部产生微振动，导致钼酸盐层表面的纳米凸起产生微振动，使得钼酸盐层与挥发性有机化合物具有更多的接触面积，从而提高了挥发性有机化合物气体的气敏灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114122275A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111421489.6
申请日：2021-11-26
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
Abstract: 本申请涉及近紫外发光器件及其制备领域，具体提供了一种过渡金属氯化物近紫外发光器件及其制备方法，其特征在于，本发明器件为层状结构，从下到上依次包括透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、金属阴极。空穴注入层的材料具有导电特性且透明。透明阳极的材料为导电玻璃；空穴传输层的材料为CBP；发光层的材料为PBD；电子传输层的材料为BPhen；金属阴极为LiF/Al金属电极。本发明器件的外量子效率达到2％以上，且具有403‑407nm的发光峰、43‑58nm的半峰宽以及6.5‑8.05mW/cm2的强辐照度。
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公开(公告)号：CN111584764A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010436151.7
申请日：2020-05-21
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 电子科技大学中山学院
Abstract: 本发明公开了一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法，倒置结构OLED器件包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极，强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层中的一种或两种或氧化锌-碳酸铯层，制备方法为碳酸铯-乙醇溶液、氧化锌-甲醇溶液的制备及混合溶液的制备、ITO透明阴极的处理和倒置结构OLED器件的制备，本发明选择碳酸铯和氧化锌复合作为强电子注入层，基于TAZ发光层，OLED器件表现出优异的短波长发射，具有2.42 mW/cm2的最大辐射度和0.85％的EQE，提高了工作耐久性，XPS分析表明，氧化锌-碳酸铯层表现出优异的电子性能并有助于电子注入，从而提高了倒置结构OLED器件的电光性能。
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公开(公告)号：CN111211249A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010049437.X
申请日：2020-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 电子科技大学中山学院
Abstract: 本发明公开了一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法，该倒置结构OLED器件包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极，强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层中的一种或两种或氧化锌-碳酸铯层，制备方法包括碳酸铯-乙醇溶液、氧化锌-甲醇溶液的制备及混合溶液的制备、ITO透明阴极的处理和倒置结构OLED器件的制备，本发明优选的选择碳酸铯和氧化锌复合作为强电子注入层，基于TAZ发光层，OLED器件表现出优异的短波长发射，具有2.42 mW/cm2的最大辐射度和0.85％的EQE，并提高了工作耐久性，XPS分析表明，s-ZnO+Cs2CO3表现出优异的电子性能并有助于电子注入，从而提高了倒置结构OLED器件的电光性能。
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公开(公告)号：CN119193141A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411352593.8
申请日：2024-09-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光致发光技术及LED器件领域，具体提供了一种荧光薄膜、发光器件，及薄膜的制备方法。荧光薄膜中包含碳点和聚乙烯吡咯烷酮，碳点和聚乙烯吡咯烷酮均匀分布，荧光薄膜在激发光照射下产生光致发光现象。方法包括如下步骤：步骤一，制备碳点溶液；步骤二，制备聚乙烯吡咯烷酮溶液；步骤三，将碳点溶液和聚乙烯吡咯烷酮溶液混合，得到混合液；步骤四，将混合液滴涂于载体表面，在室温下自然凝固，即在载体表面形成荧光薄膜。器件包括LED芯片，以及设置于LED芯片发光面上的荧光薄膜；荧光薄膜为碳点和聚乙烯吡咯烷酮的混合物。本发明方案中，PVP中的羰基和氮原子与碳点表面相互作用，避免了碳点的团聚，从而提高发光效率。
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公开(公告)号：CN114791445B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202210463275.3
申请日：2022-04-28
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本申请涉及半导体气体传感器领域，具体提供了一种贵金属修饰复合型气体传感器，包括基底层、电极层、金属氧化物半导体薄膜层、响应层，电极层包括一个正极和两个负极，金属氧化物半导体薄膜层包括第一金属氧化物半导体薄膜和两个第二金属氧化物半导体薄膜，响应层包括石墨烯薄膜和贵金属纳米颗粒。正极位于基底层中间位置，负极设置于基底层两侧，正极上方覆盖有第一金属氧化物半导体薄膜，两个负极上方覆盖有第二金属氧化物半导体薄膜。第一金属氧化物半导体薄膜上方固定设置有石墨烯薄膜，两个第二金属氧化物半导体薄膜上方均固定设置有贵金属纳米颗粒。
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