公开(公告)号：CN101261227A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810082068.3

申请日：2008-03-05

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 西川武男 ,  松下智彦 ,  山下英之 ,  莲井亮介 ,  藤田悟史 ,  奥野雄太郎 ,  青山茂

IPC: G01N21/55 ,  G01N21/41

CPC classification number: G01N21/554 ,  B82Y15/00 ,  G01N21/253 ,  G01N2021/0346 ,  G01N2021/0378 ,  G01N2021/0382 ,  G01N2021/054

Abstract: 本发明提供一种表面等离子体共振传感器及该传感器用芯片，是高灵敏度的局部存在式表面等离子体共振传感器。传感器用芯片在基板(51)的表面上形成有金属层(52)，在金属层(52)表面的测定区域(44)设有多个细微的凹部(57)。在向该测定区域照射直线偏振光的光时，在凹部(57)内对置的金属层表面产生局部存在的共振电场。接受其反射光，测定此时的反射率。直线偏振光的光按照其偏振光面与凹部(57)的长度方向正交的方式照射。

公开(公告)号：CN101261227B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200810082068.3

申请日：2008-03-05

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 西川武男 ,  松下智彦 ,  山下英之 ,  莲井亮介 ,  藤田悟史 ,  奥野雄太郎 ,  青山茂

IPC: G01N21/55 ,  G01N21/41

CPC classification number: G01N21/554 ,  B82Y15/00 ,  G01N21/253 ,  G01N2021/0346 ,  G01N2021/0378 ,  G01N2021/0382 ,  G01N2021/054

Abstract: 本发明提供一种表面等离子体共振传感器及该传感器用芯片，是高灵敏度的局部存在式表面等离子体共振传感器。传感器用芯片在基板(51)的表面上形成有金属层(52)，在金属层(52)表面的测定区域(44)设有多个细微的凹部(57)。在向该测定区域照射直线偏振光的光时，在凹部(57)内对置的金属层表面产生局部存在的共振电场。接受其反射光，测定此时的反射率。直线偏振光的光按照其偏振光面与凹部(57)的长度方向正交的方式照射。