公开(公告)号：CN101334570A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810048261.5

申请日：2008-07-02

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘涛 ,  秦金贵 ,  张刚 ,  蒋世超 ,  朱天翔 ,  仲星彦 ,  吴以成 ,  陈创天

IPC: G02F1/355

Abstract: 本发明涉及溴化汞晶体作为红外波段非线性光学材料的应用。HgBr2晶体粉末倍频效应约为10×KDP，且能够相位匹配；在400－800纳米(即可见光区)和2.5－25微米(即中红外光谱仪的工作波段)全透过；激光损伤阈值可达0.3GW/cm2以上，这个数据在现有的红外非线性光学材料中遥遥领先，比现有已知的报道过的最高数值(LiInS2的0.1GW/cm2)有明显提高；可以作为优秀的红外波段非线性光学晶体，而且特别适合于高功率激光频率转换方面的应用。

公开(公告)号：CN101328608A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810048309.2

申请日：2008-07-07

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘涛 ,  秦金贵 ,  张刚 ,  蒋世超 ,  朱天翔 ,  仲星彦 ,  吴以成 ,  陈创天

IPC: C30B29/12 ,  C30B7/06 ,  G02B1/02 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明公开了溴化汞单晶的生长方法，将溴化汞溶于碳原子数为1－4的醇中，采用溶剂挥发法或降温法生长得到溴化汞单晶。本发明不仅具有方法简单，操作方便的优点，而且可以制得透明和规整的溴化汞单晶。

公开(公告)号：CN101328608B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200810048309.2

申请日：2008-07-07

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘涛 ,  秦金贵 ,  张刚 ,  蒋世超 ,  朱天翔 ,  仲星彦 ,  吴以成 ,  陈创天

IPC: C30B29/12 ,  C30B7/06 ,  G02B1/02 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明公开了溴化汞单晶的生长方法，将溴化汞溶于碳原子数为1-4的醇中，采用溶剂挥发法或降温法生长得到溴化汞单晶。本发明不仅具有方法简单，操作方便的优点，而且可以制得透明和规整的溴化汞单晶。

公开(公告)号：CN100576050C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810048261.5

申请日：2008-07-02

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘涛 ,  秦金贵 ,  张刚 ,  蒋世超 ,  朱天翔 ,  仲星彦 ,  吴以成 ,  陈创天

IPC: G02F1/355

Abstract: 本发明涉及溴化汞晶体作为红外波段非线性光学材料的应用。HgBr2晶体粉末倍频效应约为10×KDP，且能够相位匹配；在400-800纳米(即可见光区)和2.5-25微米(即中红外光谱仪的工作波段)全透过；激光损伤阈值可达0.3GW/cm2以上，这个数据在现有的红外非线性光学材料中遥遥领先，比现有已知的报道过的最高数值(LiInS2的0.1GW/cm2)有明显提高；可以作为优秀的红外波段非线性光学晶体，而且特别适合于高功率激光频率转换方面的应用。