公开(公告)号：CN101334570A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810048261.5

申请日：2008-07-02

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘涛 ,  秦金贵 ,  张刚 ,  蒋世超 ,  朱天翔 ,  仲星彦 ,  吴以成 ,  陈创天

IPC: G02F1/355

Abstract: 本发明涉及溴化汞晶体作为红外波段非线性光学材料的应用。HgBr2晶体粉末倍频效应约为10×KDP，且能够相位匹配；在400－800纳米(即可见光区)和2.5－25微米(即中红外光谱仪的工作波段)全透过；激光损伤阈值可达0.3GW/cm2以上，这个数据在现有的红外非线性光学材料中遥遥领先，比现有已知的报道过的最高数值(LiInS2的0.1GW/cm2)有明显提高；可以作为优秀的红外波段非线性光学晶体，而且特别适合于高功率激光频率转换方面的应用。

公开(公告)号：CN1300386C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200510018726.9

申请日：2005-05-18

Applicant: 武汉大学

Inventor： 苏旭 ,  秦金贵 ,  刘英 ,  肖超 ,  张刚 ,  刘涛 ,  陈创天 ,  吴以成

IPC: C30B7/10 ,  C30B29/00

Abstract: 本发明公开了一种制备高纯度氯氧化锑(Sb4O5Cl2)阻燃材料的新方法。该方法是以SbCl3为原料，通过水热反应，直接制备Sb4O5Cl2晶体，因此产品的纯度较高；并且，该方法的产率较高，几乎达到99%。

公开(公告)号：CN1721581A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510018726.9

申请日：2005-05-18

Applicant: 武汉大学

Inventor： 苏旭 ,  秦金贵 ,  刘英 ,  肖超 ,  张刚 ,  刘涛 ,  陈创天 ,  吴以成

IPC: C30B7/10 ,  C30B29/00

Abstract: 本发明公开了一种制备高纯度氯氧化锑(Sb4O5Cl2)阻燃材料的新方法。该方法是以SbCl3为原料，通过水热反应，直接制备Sb4O5Cl2晶体，因此产品的纯度较高；并且，该方法的产率较高，几乎达到99％。

公开(公告)号：CN100362145C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200510019301.X

申请日：2005-08-16

Applicant: 武汉大学

Inventor： 苏旭 ,  刘涛 ,  秦金贵 ,  张刚 ,  陈创天 ,  吴以成

IPC: C30B29/22 ,  C30B1/00 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明公开分子式为：Hg2OSO4或Hg3O2SO4的非线性光学晶体材料。其制备方法为：将摩尔比为2∶1或1∶1的HgO和HgSO4碾磨均匀，装入安培管中；然后将安培管抽真空至0.1Pa以下，封管；置入马福炉中，在500～540℃之间反应100小时以上，即得到上述非线性光学晶体材料Hg3O2SO4或Hg2OSO4。上述非线性光学晶体材料在紫外到近红外光区有很大的透光窗口，有较大的二阶非线性光学系数，有良好的物化稳定性，并能得到较大尺寸的单晶，因此可用作二阶非线性光学材料。

公开(公告)号：CN1737217A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510019301.X

申请日：2005-08-16

Applicant: 武汉大学

Inventor： 苏旭 ,  刘涛 ,  秦金贵 ,  张刚 ,  陈创天 ,  吴以成

IPC: C30B29/22 ,  C30B1/00 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明公开通式为：HgaObSO4式中a＝2－3，b＝1－2的非线性光学晶体材料。其制备方法为：将摩尔比为2∶1或1∶1的HgO和HgSO4碾磨均匀，装入安培管中；然后将安培管抽真空至0.1Pa以下，封管；置入马弗炉中，在500～540℃之间反应100小时以上，即得到上述非线性光学晶体材料。上述非线性光学晶体材料在紫外到近红外光区有很大的透光窗口，有较大的二阶非线性光学系数，有良好的物化稳定性，并能得到较大尺寸的单晶，因此可用作二阶非线性光学材料。

公开(公告)号：CN101328608B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200810048309.2

申请日：2008-07-07

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘涛 ,  秦金贵 ,  张刚 ,  蒋世超 ,  朱天翔 ,  仲星彦 ,  吴以成 ,  陈创天

IPC: C30B29/12 ,  C30B7/06 ,  G02B1/02 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明公开了溴化汞单晶的生长方法，将溴化汞溶于碳原子数为1-4的醇中，采用溶剂挥发法或降温法生长得到溴化汞单晶。本发明不仅具有方法简单，操作方便的优点，而且可以制得透明和规整的溴化汞单晶。

公开(公告)号：CN101216656B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810046687.7

申请日：2008-01-14

Applicant: 武汉大学

Inventor： 张刚 ,  刘涛 ,  朱天翔 ,  秦金贵 ,  傅佩珍 ,  吴以成 ,  陈创天

IPC: G02F1/355

Abstract: 本发明公开了一种红外二阶非线性光学晶体材料CsHg1.5I4及其制备方法和应用。该光学晶体材料的晶体空间群为Cm。突出特点是：有大的可相位匹配的二阶非线性光学系数；在可见光区和红外光区有很大的透光窗口；具有较高的热稳定性；合成方法操作简单、反应时间短、实验条件温和、产品纯度高；可利用简单的溶剂挥发法长出质量好、尺寸大的晶体等；该晶体材料能广泛应用于光学领域。

公开(公告)号：CN100576050C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810048261.5

申请日：2008-07-02

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘涛 ,  秦金贵 ,  张刚 ,  蒋世超 ,  朱天翔 ,  仲星彦 ,  吴以成 ,  陈创天

IPC: G02F1/355

Abstract: 本发明涉及溴化汞晶体作为红外波段非线性光学材料的应用。HgBr2晶体粉末倍频效应约为10×KDP，且能够相位匹配；在400-800纳米(即可见光区)和2.5-25微米(即中红外光谱仪的工作波段)全透过；激光损伤阈值可达0.3GW/cm2以上，这个数据在现有的红外非线性光学材料中遥遥领先，比现有已知的报道过的最高数值(LiInS2的0.1GW/cm2)有明显提高；可以作为优秀的红外波段非线性光学晶体，而且特别适合于高功率激光频率转换方面的应用。

公开(公告)号：CN100443641C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200610019266.6

申请日：2006-06-05

Applicant: 武汉大学

Inventor： 苏旭 ,  秦金贵 ,  张刚 ,  蒋世超 ,  刘涛 ,  陈创天 ,  吴以成

IPC: C30B29/12

Abstract: 本发明公开了一种二阶非线性光学晶体材料，其分子式为KLiBeF4，晶体空间群为P63。本发明还提供了上述二阶非线性光学晶体材料的制备方法，将氢氧化锂、氢氧化钾、氟化铍和氟氢酸铵置入反应器中，加入蒸馏水，搅拌下加入氢氟酸，调节pH值至5-7；密封，加热到140～160摄氏度，并保持恒温20小时以上；降至室温，过滤，得到无色透明的晶体；所得晶体用蒸馏水洗涤，真空干燥，得到二阶非线性光学晶体。本发明二阶非线性光学晶体材料在深紫外、可见光区和红外光区有很大的透光窗口，有较大的二阶非线性光学系数，具有优良的热稳定性；合成方法具有操作简单，可以直接获得单晶等优点。

公开(公告)号：CN1888147A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200610019266.6

申请日：2006-06-05

Applicant: 武汉大学

Inventor： 苏旭 ,  秦金贵 ,  张刚 ,  蒋世超 ,  刘涛 ,  陈创天 ,  吴以成

IPC: C30B29/12

Abstract: 本发明公开了一种二阶非线性光学晶体材料，其分子式为KLiBeF4，晶体空间群为P63。本发明还提供了上述二阶非线性光学晶体材料的制备方法，将氢氧化锂、氢氧化钾、氟化铍和氟氢酸铵置入反应器中，加入蒸馏水，搅拌下加入氢氟酸，调节pH值至5－7；密封，加热到140～160摄氏度，并保持恒温20小时以上；降至室温，过滤，得到无色透明的晶体；所得晶体用蒸馏水洗涤，真空干燥，得到二阶非线性光学晶体。本发明二阶非线性光学晶体材料在深紫外、可见光区和红外光区有很大的透光窗口，有较大的二阶非线性光学系数，具有优良的热稳定性；合成方法具有操作简单，可以直接获得单晶等优点。