一种大尺寸单晶二硫化钼的制备方法

    公开(公告)号:CN115354392A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202210982776.2

    申请日:2022-08-16

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本申请涉及一种大尺寸单晶二硫化钼的制备方法,包括如下步骤:将硫源置于第一温区,将钼源及氯化亚铁粉置于第二温区,将蓝宝石衬底置于第三温区;使载气依次通过所述第一温区、所述第二温区和所述第三温区;将所述第一温区、所述第二温区和所述第三温区升温至各自的预定温度,进行单晶二硫化钼的生长。本申请制备方法,采用氯化亚铁辅助化学气相沉积的方法,在普通无切角蓝宝石衬底上即可制备晶圆级别单晶二硫化钼薄膜,铁掺杂可进一步调控二硫化钼的能带结构,优化沟道与电极的接触;简单易操作,过程可控,所得二硫化钼晶体畴区取向一致、无畴区晶界,表现出良好的层数均匀性和晶体质量。

    一种大尺寸单晶二硫化钼的制备方法

    公开(公告)号:CN115354392B

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202210982776.2

    申请日:2022-08-16

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本申请涉及一种大尺寸单晶二硫化钼的制备方法,包括如下步骤:将硫源置于第一温区,将钼源及氯化亚铁粉置于第二温区,将蓝宝石衬底置于第三温区;使载气依次通过所述第一温区、所述第二温区和所述第三温区;将所述第一温区、所述第二温区和所述第三温区升温至各自的预定温度,进行单晶二硫化钼的生长。本申请制备方法,采用氯化亚铁辅助化学气相沉积的方法,在普通无切角蓝宝石衬底上即可制备晶圆级别单晶二硫化钼薄膜,铁掺杂可进一步调控二硫化钼的能带结构,优化沟道与电极的接触;简单易操作,过程可控,所得二硫化钼晶体畴区取向一致、无畴区晶界,表现出良好的层数均匀性和晶体质量。

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