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公开(公告)号：CN116590678A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310619161.8
申请日：2023-05-25
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了带偏压的管内壁磁控溅射镀膜设备及方法。本设备包括：真空电极，安装在待镀的样品管的一端，其电极与样品管内放置的靶材连接；陶瓷绝缘件，一端与样品管连接，另一端接真空过渡腔；真空过渡腔，向样品管通入或抽出工艺气体以维持辉光放电所需气压；电磁铁，在通电后在靶材表面形成磁场；溅射电源，与真空电极、真空过渡腔电连接；偏压电源，与样品管、真空过渡腔电连接，陶瓷件使得过渡腔与样品管之间电绝缘。在镀膜时，待镀样品管在适合的工艺气压和磁场下，靶材溅射出粒子在样品表面成膜同时可以对样品管施加独立控制的正偏压，可以沉积不同性质，质量更佳的薄膜，可以调控薄膜的物化性能和表面粗糙度。获得缺陷更少的薄膜，或者沉积致密/柱状的多层复合薄膜。
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公开(公告)号：CN116669277A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310570317.8
申请日：2023-05-19
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种高阶模阻尼腔及使用方法，涉及粒子加速器技术领域，其中高阶模阻尼腔，包括：球形腔体；束管型吸收器，其包括沿球形腔体相对设置的第一束管和第二束管，第一束管、第二束管和球形腔体连通，且第一束管的直径大于第二束管的直径；多个矩形波导吸收器，其围绕第一束管倾斜设置在球形腔体上，矩形波导吸收器与球形腔体连通，且矩形波导吸收器的倾斜角度可调节。本发明可满足光源束流稳定性对高阶模提出的抑制要求，可实现高阶模的深度阻尼。
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公开(公告)号：CN116875939A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310863652.7
申请日：2023-07-14
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了轴向多阴极真空镀膜设备及复合梯度镀膜的方法，在多阴极靶头上设有一个中心电极和若干个侧边电极，中心电极位于多阴极靶头的中心处，侧边电极围绕着中心电极设置；中心电极连接着中心靶材丝，侧边电极连接着侧边靶材丝，中心靶材丝沿着管道中心线设置，侧边靶材围绕着中心靶材螺旋设置；中心靶材和侧边靶材由若干带孔的陶瓷组件连接；中心电极与第一溅射电源连接，侧边电极与第二溅射电源连接。不仅解决了部分合金靶材丝无法加工而使用的问题，同时也能在镀膜的过程中保证薄膜的成分、膜厚和结构的横向、轴向均匀性，且调节薄膜的组分比例。
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