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公开(公告)号：CN104242642A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410466335.2
申请日：2014-09-12
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H02M3/155
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种带有双相降压转换器的电流平衡电路，采用一个工作时间产生器进行工作，一方面可以消除若干工作时间产生器之间的相互匹配问题，以实现通道电流的平衡，另一方面该电路设计和系统框架设计较为简单，占据芯片的面积较小，设计成本较低。
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公开(公告)号：CN103872180A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410102294.9
申请日：2014-03-19
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/322 , H01L21/26506 , H01L31/1804
Abstract: 本发明涉及一种利用碳离子注入吸杂的方法。包括以下步骤：采用离子注入工艺通过硅片背面裸露层或者硅片背面二氧化硅层注入高能量碳离子，并在硅片的注入层中形成晶体缺陷区；进行退火过程，使晶体缺陷区转变为吸杂区，并捕获所述硅片中的金属离子形成去杂区；采用化学机械研磨方法去除所述去杂区。本发明的离子注入吸杂工艺和光电二极管的制造过程兼容性高，可以很容易的加入到现有技术中，且碳离子注入对器件性能没有副作用，离子注入吸杂过程也不容易污染器件；同时通过对离子注入吸杂的工艺参数进行优化和控制，金属离子吸杂效果好，吸杂后的光电二极管性能有了明显好转，暗电流和白像素明显降低，提高CMOS传感器的成像效果。
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公开(公告)号：CN103871847A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410102750.X
申请日：2014-03-19
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0331 , H01L21/31058
Abstract: 本发明涉及一种干法刻蚀方法，包括以下步骤，步骤一：首先制造解离气体；步骤二：然后将所述解离气体与带有光刻胶的晶片表面的光刻胶反应，在光刻胶表面形成一层致密的聚合物；步骤三：利用刻蚀气体中产生的等离子体与晶片发生物理或/和化学反应去掉晶片表面没有阻挡层的物质。本发明通过优化干法刻蚀条件，在干法刻蚀的初始阶段，用解离气体与晶片表面的光刻胶发生反应，形成一种致密的，相对于光刻胶来说较硬的聚合物，这种聚合物自身不会带来关键尺寸的偏差，同时还能够部分程度上修复在光刻步骤产生的线条边缘粗糙度，这样一来也会改善干法刻蚀后的晶片线条边缘粗糙度的情况。
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公开(公告)号：CN103871842A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410102503.X
申请日：2014-03-19
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76895 , H01L21/28506 , H01L2221/1068
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种降低铝焊板突起的方法。包括以下步骤：提供半导体衬底；采用低频射频在所述半导体衬底表面沉积第一层金属铝薄膜；移出所述半导体衬底，在室温下冷却10～30分钟；采用高频射频在所述步骤三冷却后的第一层金属铝薄膜上继续沉积第二层金属铝薄膜，直到所述金属铝薄膜满足厚度要求；对所述金属铝薄膜进行光刻工艺和蚀刻工艺形成金属铝焊板。本发明采用铝的特殊淀积方法来制作铝焊板，先利用低频射频淀积一定厚度的铝，然后移出淀积腔体室温冷却，再利用相对高频射频淀积所需剩余的铝，通过体室温冷却的步骤可以释放铝焊板的应力，从而有效抑制铝焊板的突起，增加了晶圆与外界电路连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN103871841A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410102240.2
申请日：2014-03-19
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/02252
Abstract: 本发明涉及一种器件隔离沟槽表面修复的方法，包括以下步骤，步骤一，利用等离子体将氧气进行去耦化处理，形成氧自由基；步骤二，将步骤一形成的氧自由基与沟槽表面进行反应，形成去耦等离子体氧化物，修复沟槽表面的缺陷。本发明利用等离子体将氧气进行去耦合化处理，形成高能的氧自由基，与基底硅进行反应，形成氧化物(俗称DPO:去耦氧化物)，修复沟槽表面缺陷，其所需温度较低，一般为300～400℃，降低了热预算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531440A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310499947.7
申请日：2013-10-22
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02016
Abstract: 本发明涉及一种晶圆背面的表面修复方法，首先将晶圆放入惰性气体（如Ar）和氧气的混合气体环境中，氧气与惰性气体的体积份数之比为1：100～3:100，然后利用日本TEL公司的SPA机台进行表面修复，其可以在低温下产生浓度分布均匀的高密度RLSA等离子体（径向线缝隙天线等离子体），RLSA等离子体在压力范围为5毫托～500毫托，温度范围为300℃～400℃，在惰性气体(如Ar等)与氧气的环境下与晶圆背面作用，修复晶圆背面的表面缺陷，以降低界面缺陷密度，从而获得很好的器件性能。
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公开(公告)号：CN103500728A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310459902.7
申请日：2013-09-29
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76831 , H01L2221/1057
Abstract: 本发明涉及一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法，包括以下步骤，步骤一，去气，对基板上的通孔或沟槽进行去气处理；步骤二，淀积第一铜阻挡层，在基板上的通孔或沟槽中淀积一层铜阻挡层；步骤三，淀积第二铜阻挡层，在上述步骤二的基础上，在所述第一铜阻挡层的表面继续淀积第二铜阻挡层，所述第一铜阻挡层的淀积速率小于所述第二铜阻挡层的淀积速率；步骤四，淀积铜晶籽层，在上述步骤三中的第二阻挡层表面淀积一层铜晶籽层。本发明一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法中，在淀积铜阻挡层的过程中分两步进行，第一铜阻挡层的淀积速率小于第二铜阻挡层的淀积速率，此种方法可以对薄膜进行有效的应力释放，避免薄膜开裂，从而提高了产品的合格率。
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公开(公告)号：CN103474444A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310456471.9
申请日：2013-09-29
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种背照式CMOS影像传感器，包括晶圆、光电二极管、彩色滤光片、微型透镜、金属连线层，所述金属连线层位于晶圆的正面，所述彩色滤光片位于晶圆的背面，所述微型透镜位于彩色滤光片上，所述彩色滤光片设有三片，分别为红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片，在所述红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片的正下方的晶圆内部分别设有第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管，所述第一光电二极管与第二光电二极管之间和第二光电二极管与第三光电二极管之间的晶圆背面均设有沟槽，所述两条沟槽分别贯穿于所述晶圆，所述两沟槽内均填充有金属物质。本发明解决背照式CMOS传感器的串扰，以制造性能更高的产品。
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公开(公告)号：CN104370271B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410514289.9
申请日：2014-09-29
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
Abstract: 本申请一种MEMS器件集成工艺，涉及半导体器件制造领域，通过直接将MEMS芯片与其他半导体芯片进行键合，以实现MEMS芯片与其他半导体芯片之间的连接，并利用硅通孔工艺制备互连线，进而实现键合芯片与外部器件结构的连接，进而有效减少了芯片间互连的连线，在降低器件失效几率的同时，还节省了器件封装体积，降低器件功耗以及改善了键合芯片发热的状况，即在有效改善器件性能的同时，还大大提高了产品的良率。
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公开(公告)号：CN103500728B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310459902.7
申请日：2013-09-29
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法，包括以下步骤，步骤一，去气，对基板上的通孔或沟槽进行去气处理；步骤二，淀积第一铜阻挡层，在基板上的通孔或沟槽中淀积一层铜阻挡层；步骤三，淀积第二铜阻挡层，在上述步骤二的基础上，在所述第一铜阻挡层的表面继续淀积第二铜阻挡层，所述第一铜阻挡层的淀积速率小于所述第二铜阻挡层的淀积速率；步骤四，淀积铜晶籽层，在上述步骤三中的第二阻挡层表面淀积一层铜晶籽层。本发明一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法中，在淀积铜阻挡层的过程中分两步进行，第一铜阻挡层的淀积速率小于第二铜阻挡层的淀积速率，此种方法可以对薄膜进行有效的应力释放，避免薄膜开裂，从而提高了产品的合格率。
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