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公开(公告)号：CN101425551B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200810178599.2
申请日：2008-10-13
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/06 , H01L31/068 , H01L31/0216 , C23C16/30
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制造包含含有p-n结的硅基质的光伏设备的方法，其中该方法包括步骤：通过在至少一个硅基质的表面上由组合物化学气相沉积形成无定形碳化硅抗反射涂层，其中该组合物包含由有机硅烷、氨基硅烷及其混合物组成的组中选择的前体，其中该无定形碳化硅抗反射涂层是由式SivCxNuHyFR表示的薄膜，其中v+x+u+y+z＝100％，v为1-35原子％，x为5-80原子％，u为0-50原子％，y为10-50原子％且z为0-15原子％。
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公开(公告)号：CN1937280A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610142756.5
申请日：2006-09-20
Applicant: 气体产品与化学公司
Abstract: 在此描述了一种从基材上去除有机电致发光残留物的方法。该方法包括以下步骤：提供包括含氟气体、任选的含氧气体和任选的添加气体的处理气体；使用至少一个能量源激活在远处腔室中的处理气体以获得活性反应组分；以及使该活性反应组分接触基材的表面，以便从该表面上挥发和去除有机电致发光残留物。
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公开(公告)号：CN102491990A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110404812.9
申请日：2009-11-12
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C07F7/10
CPC classification number: H01L21/02219 , C23C16/345 , C23C16/36 , H01L21/0217 , H01L21/02274
Abstract: 本发明涉及一种基于氨基乙烯基硅烷的前体，所述前体具有以下通式：[RR1N]xSiR3y(R2)z其中x+y+z＝4，x＝2，y＝0以及z＝2；R、R1和R3各自选自氢、C1-C10烷烃、C2-C10烯烃或C4-C12芳香基团；R2选自乙烯基、烯丙基或包含乙烯基的其他官能团。
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公开(公告)号：CN101847570A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010104484.6
申请日：2010-01-27
Applicant: 气体产品与化学公司
Abstract: 本发明涉及选择性蚀刻和形成二氟化氙。尤其涉及用于从二氧化硅、氮化硅、镍、铝、TiNi合金、光致抗蚀剂、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、聚酰亚胺、金、铜、铂、铬、氧化铝、碳化硅和其混合物选择性除去下述材料的工艺，比如：硅、钼、钨、钛、锆、铪、钒、钽、铌、硼、磷、锗、砷和其混合物。该工艺与下列重要应用相关，即用于半导体沉积腔室和半导体工具、微电动机械系统(MEMS)中的器件、以及离子注入系统的清洁或蚀刻工艺。本发明也提供通过将Xe与含氟化学品反应而形成XeF2的方法，其中，所述含氟化学品选自F2、NF3、C2F6、CF4、C3F8、SF6、从上游等离子发生器产生的含F原子的等离子体和它们的混合物。
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公开(公告)号：CN104201133A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410113811.2
申请日：2014-01-16
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: H01L21/0262 , B01D53/002 , B01D53/68 , B01D2257/553 , B01D2258/0216 , C23C16/4401 , C23C16/4412
Abstract: 可冷凝材料，例如但不限于六氟化钨(WF6)，可以用作化学气相沉积(CVD)工艺中的沉积膜。本发明描述了收集和再利用生产过程中未反应的可冷凝材料的方法，而不是将这些材料作为废料处理。在一个实施方式中，当可冷凝材料，例如气态WF6不被供应给CVD反应器时，其被转向用于收集的回收室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103588183A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310257739.6
申请日：2013-06-21
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C01B21/083
CPC classification number: B01D53/007 , C01B21/0837 , C01P2002/82 , C01P2006/80
Abstract: 通过使用辐射引起杂质中化学键的解离以形成解离产物并由此使得比从工艺流体中去除杂质更容易地从工艺流体中去除解离产物，可有效地获得具有10ppm或更低的杂质含量的高纯度三氟化氮工艺流体。
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公开(公告)号：CN101847570B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201010104484.6
申请日：2010-01-27
Applicant: 气体产品与化学公司
Abstract: 本发明涉及选择性蚀刻和形成二氟化氙。尤其涉及用于从二氧化硅、氮化硅、镍、铝、TiNi合金、光致抗蚀剂、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、聚酰亚胺、金、铜、铂、铬、氧化铝、碳化硅和其混合物选择性除去下述材料的工艺，比如：硅、钼、钨、钛、锆、铪、钒、钽、铌、硼、磷、锗、砷和其混合物。该工艺与下列重要应用相关，即用于半导体沉积腔室和半导体工具、微电动机械系统(MEMS)中的器件、以及离子注入系统的清洁或蚀刻工艺。本发明也提供通过将Xe与含氟化学品反应而形成XeF2的方法，其中，所述含氟化学品选自F2、NF3、C2F6、CF4、C3F8、SF6、从上游等离子发生器产生的含F原子的等离子体和它们的混合物。
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公开(公告)号：CN102592994A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210028545.4
申请日：2010-01-27
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: H01L21/3213 , C23C16/44 , C23F1/12
Abstract: 本发明涉及选择性蚀刻和形成二氟化氙。尤其涉及用于从二氧化硅、氮化硅、镍、铝、TiNi合金、光致抗蚀剂、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、聚酰亚胺、金、铜、铂、铬、氧化铝、碳化硅和其混合物选择性除去下述材料的工艺，比如：硅、钼、钨、钛、锆、铪、钒、钽、铌、硼、磷、锗、砷和其混合物。该工艺与下列重要应用相关，即用于半导体沉积腔室和半导体工具、微电动机械系统(MEMS)中的器件、以及离子注入系统的清洁或蚀刻工艺。本发明也提供通过将Xe与含氟化学品反应而形成XeF2的方法，其中，所述含氟化学品选自F2、NF3、C2F6、CF4、C3F8、SF6、从上游等离子发生器产生的含F原子的等离子体和它们的混合物。
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公开(公告)号：CN100461344C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510098056.6
申请日：2005-07-22
Applicant: 气体产品与化学公司
Inventor： A·D·约翰逊 , H·苏巴瓦拉 , 齐宾 , R·N·维蒂斯 , E·J·小卡瓦基 , R·G·里德格瓦 , P·J·马劳里斯 , M·L·奥内尔 , A·S·鲁卡斯 , S·A·莫蒂卡
Abstract: 这里描述了一种用于从基板清除含碳残余物的工艺。一方面，提供一种用于从基板表面的至少一部分清除含碳残余物的工艺，包括：提供包括氧源，氟源，和任选的添加气体的处理气体，其中该处理气体所含的氧与氟的摩尔比范围为从大约1至大约10；使用至少一种能量源激活该处理气体，从而提供反应性物质；以及使该基板表面与该反应性物质接触，从而挥发并从该表面清除含碳残余物。
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公开(公告)号：CN101225511A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710093278.8
申请日：2007-12-13
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/0035
Abstract: 本说明书中公开了一种使用预稀释的氟气的热活化源对半导体加工腔室中不希望有的氮化硅的设备表面进行热清洗的方法。该方法包括：(a)使在惰性气体中预稀释的氟气流过所述腔室；(b)使所述腔室保持在230℃－565℃的升高的温度下以热离解氟气；(c)通过(b)中热解离的氟气与不希望有的氮化硅之间的化学反应生成挥发性反应产物，从表面清除不希望有的氮化硅；(d)从所述腔室中去除挥发性反应产物。
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