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公开(公告)号:CN1599038A
公开(公告)日:2005-03-23
申请号:CN200410064066.3
申请日:2004-07-15
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , C23F4/00 , C23F1/00
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 本发明公开了一种混合物和用该混合物从层状基质上刻蚀介电材料的方法。特别地,在一个实施方案中提供了一种用于刻蚀层状基质中的介电材料的混合物,该混合物含有一种碳氟化合物气体和一种选自次氟酸酯、氟代过氧化物、氟代三氧化物及其组合的含氟氧化剂气体;以及任选含有一种惰性稀释气体。本发明中的混合物可以在足以形成活性物质的条件下与含有介电材料的层状基质接触,所述活性物质与该介电材料至少部分反应并除去该部分介电材料。
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公开(公告)号:CN1612305A
公开(公告)日:2005-05-04
申请号:CN200410068438.X
申请日:2004-07-15
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/306 , C23F1/00
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 本发明公开了一种混合物和一种包含该混合物并用于从层状基质上刻蚀介电材料的方法。具体地说,在一个实施方案中,提供了一种用于刻蚀层状基质中的介电材料的混合物,该混合物包含一种不饱和氧化碳氟化合物。在足以与介电材料至少部分发生反应并除去该部分介电材料的条件下,可以把本发明的混合物与含有介电材料的层状基质相接触。在本发明的另一个实施方案中,提供了一种制备不饱和氧化碳氟化合物的方法。
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