公开(公告)号：CN104865046A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201410062321.4

申请日：2014-02-24

Applicant: 江南大学

Inventor： 朱孔硕 ,  刘桂林 ,  李果华

IPC: G01M11/00

Abstract: 本发明涉及一种数据记录仪，包括微控制器、太阳能辐射传感器、温度传感器、信号放大电路、AD转换电路、LED数码管、5V变压器、键盘，5V变压器提供电源，太阳能辐射传感器、温度传感器、信号放大电路、AD转换电路和LED数码管分别于微控制器相连接，微控制器上还连接有一个可以发出报警声的蜂鸣器。本发明解决了草坪灯发光能力测试的数据检测处理问题。本发明系统结构简洁，有利于小型化设计，能有效的测试草坪灯发光能力。

公开(公告)号：CN106328735A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201611003948.8

申请日：2016-11-15

Applicant: 江南大学

Inventor： 李文佳 ,  邵剑波 ,  王振交 ,  李果华 ,  朱益清 ,  王晓

IPC: H01L31/0368 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种c-Si/a-Si/mc-Si太阳电池结构及其制备方法，该结构包括N型单晶硅片，设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征a-Si层，设在受光面本征a-Si层上的掺杂P型mc-Si层，设在背光面本征a-Si层上的掺杂N型mc-Si层，分别设在掺杂P型mc-Si层和掺杂N型mc-Si层上的ITO透明导电膜层及设在ITO透明导电膜层上的金属栅线电极。本发明的掺杂mc-Si层由本征a-Si层通过瞬间辐照退火形成。瞬间辐照退火技术把杂质掺杂和a-Si晶化两个过程合并在10～20ms之间同时完成，不仅简化了制造步骤，还使此种结构电池适用于大规模生产。更重要的是，本发明使得本征a-Si层和掺杂mc-Si层并存，发挥本征a-Si层钝化优势的同时，使用掺杂mc-Si作为发射层和背场层材料，有效地减小复合、降低串联电阻，有利于提升电池性能。

公开(公告)号：CN105449044A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201511020688.0

申请日：2015-12-30

Applicant: 江南大学

Inventor： 席曦 ,  李果华 ,  孙健刚

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，包括用于放置硅太阳电池的温度保持恒定的检测台，还包括一个LED光源系统，包括用于发出光线的LED阵列；一个光学汇聚系统，设置所述LED阵列的发光光路上，将LED阵列发出的光线汇聚到检测台上的检测区域；一个控制器，用以修改LED阵列所发光线的参数，并且对硅太阳电池的钝化与缺陷参数进行分析运算。本发明通过钝化晶体硅中的杂质缺陷和钝化硅材料，修复多晶硅材料中位错等晶格缺陷，提升了太阳电池转换效率。

公开(公告)号：CN105449044B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201511020688.0

申请日：2015-12-30

Applicant: 江南大学

Inventor： 席曦 ,  李果华 ,  孙健刚

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，包括用于放置硅太阳电池的温度保持恒定的检测台，还包括一个LED光源系统，包括用于发出光线的LED阵列；一个光学汇聚系统，设置所述LED阵列的发光光路上，将LED阵列发出的光线汇聚到检测台上的检测区域；一个控制器，用以修改LED阵列所发光线的参数，并且对硅太阳电池的钝化与缺陷参数进行分析运算。本发明通过钝化晶体硅中的杂质缺陷和钝化硅材料，修复多晶硅材料中位错等晶格缺陷，提升了太阳电池转换效率。

公开(公告)号：CN104457981A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310420993.3

申请日：2013-09-16

Applicant: 江南大学

Inventor： 孙健刚 ,  李果华

IPC: G01J3/10 ,  H02S50/15

Abstract: 本发明涉及一种利用不同峰值波长的大功率LED进行匹配AM1.5条件下的太阳光光谱方案。本方案中采用五种大功率高显色指数的白光LED、660nmLED、730nmLED、850nmLED、940nmLED光源作为太阳模拟器的子光源，根据国家标准针对光伏行业的太阳模拟器的性能要求，匹配出出射光在各个波段的辐照分布符合AM1.5条件下的分布。利用样条插值法在Matlab中对高显色指数的白光LED光谱数据进行分波段计算处理，计算相应波段内的辐照量，长波段的辐照量采用660nmLED、730nmLED、850nmLED、940nmLED进行补偿，最后通过对比各波段内标准辐照值和单颗LED在相应波段的实际辐照值，采取不同电流驱动，达到光谱的精确匹配。

公开(公告)号：CN104456413A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310420803.8

申请日：2013-09-16

Applicant: 江南大学

Inventor： 孙健刚 ,  李果华

IPC: F21V5/04 ,  F21V29/503 ,  F21V29/89 ,  F21Y101/02

CPC classification number: F21V5/04

Abstract: 一种结构紧凑针对LED阵列面光源的准直装置，涉及非成像LED照明领域，解决现有LED照明系统光源发散角大、能量不集中、光能利用率低等问题。该装置包括LED散热铝基板、LED芯片、LED封装外壳、LED准直透镜组件。准直透镜组件是由与芯片数量相同的单元透镜组成阵列并结合成整体而成。LED芯片按等间距交叉排列封装在散热铝基板上，通过LED封装外壳保护LED芯片，最后经过LED准直透镜后能够以近似平行光射出，本发明具有较高的准直效果和较高的能量利用率。

公开(公告)号：CN101186593A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710199265.9

申请日：2007-12-18

Applicant: 江南大学

Inventor： 任春霞 ,  王权 ,  吴章华 ,  丁玉强 ,  李果华 ,  季静佳

IPC: C07D209/56 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种具有如下结构式的D－A型C60三芳胺衍生物及其在太阳能电池中的应用，R1、R2选自氢原子、卤素原子、硝基、氨基、烷基、异烷基、烷氧基、烯烃基、炔烃基、烷基醛基、烷基酮基、吡啶或吡啶衍生物、呋喃或呋喃衍生物、咪唑或咪唑衍生物、噻吩或噻吩衍生物、芳香基或取代的芳香基，其中R1、R2不同时为氢原子。本发明化合物在有机溶剂中的溶解性与富勒烯相比有较大提高，使得大面积太阳能电池制造工艺变得简单。

公开(公告)号：CN101083442A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710022665.2

申请日：2007-05-21

Applicant: 江南大学

Inventor： 李金刚 ,  孟昭渊 ,  李果华

IPC: H02N6/00 ,  H02J7/35 ,  G01R22/00

CPC classification number: Y02B10/14 ,  Y02E10/566

Abstract: 本发明家用小型太阳能发电系统电量采集器，具体地说是为了实时监控太阳能电池组件的工作情况而设计的电量采集系统。按照本发明提供的技术方案，包括光伏发电系统与电能储存系统，其特征是：在光伏发电系统与能量储存系统间串连连接电量采集系统，其中光伏发电系统用于将太阳能转换为电能；电量采集系统用于实时监控光伏发电系统的工作情况；能量储存系统用于存储光伏发电系统输出的电能。本发明通过单片机实时采集太阳能电池组件产生的电流、电压经内部累加比较得出实际发电总量，经过内部处理，送到八段数码管进行显示。

公开(公告)号：CN108598270A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810601980.9

申请日：2018-06-12

Applicant: 江南大学

Inventor： 刘桂林 ,  席曦 ,  邵剑波 ,  李超 ,  李果华 ,  陈国庆 ,  桑宸玮 ,  陈丽萍

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明一种以LED为光源的钙钛矿电池的能级匹配性调整的处理装置，包括机箱壳体、LED光源机构、光学汇聚机构、边缘光反射机构、光强检测机构、驱动装置机构、载物平台、LED灯阵风冷装置以及LED基板冷却水通道；利用大功率LED作为光源的装置，用于对钙钛矿电池进行能级匹配性调整的处理装置。本发明运动大功率LED为光源，经过适当的LED阵列的光学系统、LED光源驱动等的设计，实现在辐照面上产生均匀的臭氧气体分布，使钙钛矿电池的膜层能够快速氧化，提高工作效率并节约制备成本。

公开(公告)号：CN106024933A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610635728.0

申请日：2016-08-04

Applicant: 江南大学

Inventor： 李文佳 ,  邵建波 ,  王振交 ,  朱益清 ,  李果华

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/1876

Abstract: 本发明公开了一种晶体硅太阳电池的背面局部双质杂质掺杂结构及其掺杂方法，主要解决现有技术制造的背面局部单质掺杂深度和浓度不能兼得(硼扩散表面浓度远高于铝，而铝扩散深度远大于硼)、在制备掺杂源时采用旋涂、蒸镀或丝网印刷硼聚合物存在着工艺繁琐、集成度低、杂质源不纯净和存在毒害危险等问题。其实施方案是：通过PECVD方法在P型太阳电池背面钝化层上沉积掺硼氧化铝，之后通过激光辐射硅片背面局部区域以在所述区域形成硼和铝双质杂质掺杂，并在掺硼氧化铝层和钝化层的对应位置上形成开口。激光掺杂形成的双质杂质掺杂结浓度高、深度深，有助于降低背电极和硅基的接触电阻和基区纵向电阻，提高FF；此结构可匹配低方块电阻，提升短路电流。