公开(公告)号：CN117976728A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410187954.1

申请日：2024-02-20

Applicant: 江南大学

Inventor： 李杨 ,  彭森 ,  王佳玮 ,  王霄 ,  敖金平 ,  陈治伟 ,  白利华 ,  赵森 ,  郭明

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/41 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种低开启电压的氮化镓二极管及制造方法，属于半导体技术领域。所述的氮化镓二极管从下至上依次设置衬底、GaN缓冲层、GaN外延层、AlGaN外延层，AlGaN外延层设有凹槽结构，AlGaN外延层上放并列设有第一阳极、第二阳极、阴极，与阴极之间的接触方式为欧姆接触，凹槽结构上方设有阳极2，所述AlGaN外延层与阳极1和阳极2之间的接触方式分别为肖特基接触1和肖特基接触2。本发明使用凹槽结构的深度调控器件的开启电压，通过采用不同的肖特基接触功函数实现阈值电压和反向漏电的调节，从而实现低开启电压和低反向漏电的氮化镓二极管。

公开(公告)号：CN115985970B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202211722619.4

申请日：2022-12-30

Applicant: 江南大学

Inventor： 王霄 ,  陈小钰 ,  王佳玮 ,  敖金平 ,  李杨 ,  陈治伟 ,  白利华 ,  王利强

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明公开了一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括自下而上依次叠层的阴极、n+‑Ga2O3外延层、n‑‑Ga2O3外延层和阳极；其中，所述n+‑Ga2O3外延层与所述阴极之间构成欧姆接触，所述阴极为钛和金的叠层；所述n‑‑Ga2O3外延层与所述阳极之间形成肖特基接触，所述阳极为具有低功函数的材料和金的叠层。本发明降低了器件结构的复杂性的同时降低了正向导通电压，从而提高了二极管器件性能，实现正向导通电压小，有利于应用在微波功率整流方面。

公开(公告)号：CN115985970A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211722619.4

申请日：2022-12-30

Applicant: 江南大学

Inventor： 王霄 ,  陈小钰 ,  王佳玮 ,  敖金平 ,  李杨 ,  陈治伟 ,  白利华 ,  王利强

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明公开了一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括自下而上依次叠层的阴极、n+‑Ga2O3外延层、n‑‑Ga2O3外延层和阳极；其中，所述n+‑Ga2O3外延层与所述阴极之间构成欧姆接触，所述阴极为钛和金的叠层；所述n‑‑Ga2O3外延层与所述阳极之间形成肖特基接触，所述阳极为具有低功函数的材料和金的叠层。本发明降低了器件结构的复杂性的同时降低了正向导通电压，从而提高了二极管器件性能，实现正向导通电压小，有利于应用在微波功率整流方面。