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公开(公告)号：CN118562570A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410474399.0
申请日：2024-04-19
Applicant: 江南大学 , 江南大学(绍兴)产业技术研究院
IPC: C12G3/02 , C12J1/10 , C12M1/38 , C12M1/36 , C12M1/34 , C12M1/26 , C12M1/16 , C12M1/12 , C12M1/02 , C12M1/00 , A23L19/20 , A23L27/24 , A23L27/50 , A23L11/50 , A23L11/45 , G05B19/418
Abstract: 本发明涉及一种固态酿造体系智能化调控系统及应用，属于酒水类饮品生产装备设计建造技术领域。所述系统包括酿造容器组、存储装置、流加系统、控制系统。以现有的酿造窖池为基础，与存储装置连接，通过增加设置集液槽、泵体、压力表、传感器、喷淋回用装置等构成本发酵液体产物智能化收集及循环调控系统，解决了现有技术中需要通过人工舀取发酵液体产物进行再利用造成的劳动强度大、工作效率低、发酵液体产物滴不尽以及影响糟醅蒸馏效率的技术问题，实现发酵液体产物再利用的自动化功能，达到了方便发酵液体产物收集和再利用的目的。
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公开(公告)号：CN118782644A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410489058.0
申请日：2024-04-23
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种P沟道氮化铝晶体管及其制备方法，本发明涉及电力电子器件领域，包括MIS结构，包括第一部分、氮化铝钪势垒层、P层；所述P层顶部中心处设有N帽层，所述N帽层上方沉积有电介质层，所述电介质层上方沉积有栅极。通过调整氮化铝钪势垒层厚度可以提高p沟道的空穴浓度，在栅金属与异质结构间插入N帽层，可以耗尽p沟道中的二维空穴气，以实现器件的增强特性。
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公开(公告)号：CN118099202A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410168672.7
申请日：2024-02-06
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/47 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了涉及一种氮化镓晶体管器件及制备方法，属于半导体领域。本发明的氮化镓HEMT器件包括由下而上依次设置衬底1、缓冲层2、GaN层3、AlGaN层4、原位ScN钝化保护层5，源极8和漏极6分别穿过所述原位ScN钝化保护层5与所述AlGaN层4形成欧姆接触，栅极7穿过所述原位ScN钝化保护层5与所述AlGaN层4形成肖特基接触，本发明利用ScN材料形成钝化层，一方面，ScN与AlGaN晶格常数更为匹配从而减少器件表面的缺陷，另一方面实验结果证明，本发明可以有效地缓解二维电子气的降低，改善了电流崩塌效应与动态电阻上升的问题。
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公开(公告)号：CN117976728A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410187954.1
申请日：2024-02-20
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/41 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种低开启电压的氮化镓二极管及制造方法，属于半导体技术领域。所述的氮化镓二极管从下至上依次设置衬底、GaN缓冲层、GaN外延层、AlGaN外延层，AlGaN外延层设有凹槽结构，AlGaN外延层上放并列设有第一阳极、第二阳极、阴极，与阴极之间的接触方式为欧姆接触，凹槽结构上方设有阳极2，所述AlGaN外延层与阳极1和阳极2之间的接触方式分别为肖特基接触1和肖特基接触2。本发明使用凹槽结构的深度调控器件的开启电压，通过采用不同的肖特基接触功函数实现阈值电压和反向漏电的调节，从而实现低开启电压和低反向漏电的氮化镓二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106596971A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611165467.7
申请日：2016-12-16
Applicant: 江南大学
IPC: G01N33/68 , G01N33/574 , G01N21/64
CPC classification number: G01N33/6872 , G01N21/6428 , G01N33/57496 , G01N2333/485
Abstract: 一种基于贵金属等离子共振效应增强上转换纳米材料荧光强度的组装体结构用于超灵敏检测血管内皮生长因子的方法，涉及纳米材料和分析化学领域。本发明通过27.1nm粒径的上转换纳米颗粒(NaYF4,Yb,Tm)的合成，4.6nm粒径的金纳米颗粒的合成，上转换纳米粒子的改性，金纳米粒子的包裹，上转换纳米粒子的单链DNA修饰，金纳米粒子表面的单链DNA修饰，粒子间距的系列调控，上转换荧光信号的增强调控以及强度检测，建立荧光信号强度与血管内皮生长因子浓度的标准曲线。本发明提供了一种基于荧光增强信号测血管内皮生长因子的方法，与传统的检测方法相比背景底，灵敏度高，方便快捷，具有很好的实际应用前景。
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公开(公告)号：CN118053908A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410133115.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体管存储器及制备方法，属于集成电路器件技术领域。所述氮化镓晶体管存储器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、本征氮化镓层和本征铝镓氮层，所述本征铝镓氮层上并列设置有氧化铝隧穿层、源极和漏极，所述氧化铝隧穿层上依次生长有HfZrO铁电材料层、氧化铝绝缘层以及栅极；其中，采用GaN/AlGaN异质结所产生的二维电子气来作为存储在HfZrO铁电材料层中的电子来源。本发明采用有机化学气相沉积法(MOCVD)和原子层沉积法(ALD)在本征铝镓氮层上依次外延出氧化铝隧穿层、HfZrO铁电材料层、氧化铝绝缘层的结构，形成了氮化镓晶体管存储器。本发明提供的氮化镓基存储器件基于氮化镓基三极管结构，具有存储速率高、存储稳定等优势。
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公开(公告)号：CN104964960A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510307822.9
申请日：2015-06-08
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种基于嵌银四面体结构的超灵敏检测血管内皮生长因子的方法，属于分析化学领域。本发明通过10 nm粒径的金纳米颗粒的合成、6 nm 粒径的银纳米颗粒的合成、金纳米粒子的包裹、金纳米粒子上单链DNA的修饰、银纳米粒子上血管内皮生长因子适配体Apt-VEGF和信标分子4-NTP的修饰、嵌银四面体结构的组装和表面增强拉曼散射信号强度检测，建立拉曼信号强度与血管内皮生长因子浓度的标准曲线。本发明提供了一种基于嵌银四面体结构检测血管内皮生长因子的方法，与传统的检测方法相比成本低，灵敏度高，方便快捷，具有很好的实际应用前景。
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公开(公告)号：CN118032906A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410224394.2
申请日：2024-02-29
Applicant: 江南大学
IPC: G01N27/416 , B01L3/00
Abstract: 本发明涉及一种基于氮化镓微流控芯片的pH值检测装置，属于分析检测技术领域。本发明构建包含本征GaN层、本征AlGaN层的氮化镓微流控芯片，通过设置电极和构造微通道，利用将待测物的化学信号直接转变为电信号的方式来检测pH值，而且其检测灵敏度不会因微通道尺寸的小型化而被降低。采用凹槽结构大幅提升了pH传感器的电流灵敏度和响应速度，能实现实时动态检测。
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公开(公告)号：CN104964960B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201510307822.9
申请日：2015-06-08
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种基于嵌银四面体结构的超灵敏检测血管内皮生长因子的方法，属于分析化学领域。本发明通过10nm粒径的金纳米颗粒的合成、6nm粒径的银纳米颗粒的合成、金纳米粒子的包裹、金纳米粒子上单链DNA的修饰、银纳米粒子上血管内皮生长因子适配体Apt‑VEGF和信标分子4‑NTP的修饰、嵌银四面体结构的组装和表面增强拉曼散射信号强度检测，建立拉曼信号强度与血管内皮生长因子浓度的标准曲线。本发明提供了一种基于嵌银四面体结构检测血管内皮生长因子的方法，与传统的检测方法相比成本低，灵敏度高，方便快捷，具有很好的实际应用前景。
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