一种硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极的制备方法

    公开(公告)号:CN108716006A

    公开(公告)日:2018-10-30

    申请号:CN201810489873.1

    申请日:2018-05-21

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极的制备方法,属于材料科学技术领域和光电催化制氢领域。本发明先通过简单的离子层吸附的方法,将硒化镉负载在氧化铟锡基底上,然后再通过光辅助电沉积的方法沉积助催化剂二硫化钼,从而制备出这种高效的复合光电阴极。本方法制备的硒化镉敏化的复合光电阴极制备方法简便、稳定性好、价格低廉,应用于工业生产中可大幅度节约成本,是一种有较大工业光电催化产氢前景的新型催化材料。

    一种硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极的制备方法

    公开(公告)号:CN108716006B

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201810489873.1

    申请日:2018-05-21

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极的制备方法,属于材料科学技术领域和光电催化制氢领域。本发明先通过简单的离子层吸附的方法,将硒化镉负载在氧化铟锡基底上,然后再通过光辅助电沉积的方法沉积助催化剂二硫化钼,从而制备出这种高效的复合光电阴极。本方法制备的硒化镉敏化的复合光电阴极制备方法简便、稳定性好、价格低廉,应用于工业生产中可大幅度节约成本,是一种有较大工业光电催化产氢前景的新型催化材料。

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