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公开(公告)号：CN111816453A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010603548.0
申请日：2020-06-29
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供了一种基于三维硅结构/镍钴氢氧化物复合电极材料及其制备方法：以三维硅结构为基底，在三维硅基底上制备镍、钴氢氧化物生长的生长层，再制备镍、钴氢氧化物活性层。生长层的引入不仅有利于镍钴氢氧化物在硅结构表面的黏附与包裹，还增加了复合电极的比电容。电极的结构有两种：一是将高导电的材料直接覆盖在三维硅结构上作为电极材料的电荷收集层，然后依次制备镍钴氢氧化物的生长层和镍钴氢氧化物的活性层；另一种是将电荷收集层直接覆盖在镍钴活性层表面。本发明制备过程简单，既可制备单金属氢氧化物活性层也可制备双金属氢氧化物活性层，降低了成本，且电极材料结构稳定，可制备出性能优异的硅电极材料，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114649150A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210232093.5
申请日：2022-03-02
Applicant: 江苏大学
IPC: H01G11/26 , H01G11/24 , H01G11/30 , H01G11/32 , H01G11/48 , H01G11/86 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62
Abstract: 本发明涉及一种基于三维硅基体/过渡金属化合物复合电极、制备方法及应用，所述的过渡金属化合物包括过渡金属硫化物、过渡金属硒化物或者二者的混合物。主要的制备方法是以三维硅基体为基底，通过电化学法、水热法或者高温煅烧法在上面直接或间接制备过渡金属化合物。根据电极结构的不同设计与制备，本发明制备得的三维硅基体/过渡金属化合物电极材料可分别应用于能量转换与存储器件。
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公开(公告)号：CN111816453B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010603548.0
申请日：2020-06-29
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供了一种基于三维硅结构/镍钴氢氧化物复合电极材料及其制备方法：以三维硅结构为基底，在三维硅基底上制备镍、钴氢氧化物生长的生长层，再制备镍、钴氢氧化物活性层。生长层的引入不仅有利于镍钴氢氧化物在硅结构表面的黏附与包裹，还增加了复合电极的比电容。电极的结构有两种：一是将高导电的材料直接覆盖在三维硅结构上作为电极材料的电荷收集层，然后依次制备镍钴氢氧化物的生长层和镍钴氢氧化物的活性层；另一种是将电荷收集层直接覆盖在镍钴活性层表面。本发明制备过程简单，既可制备单金属氢氧化物活性层也可制备双金属氢氧化物活性层，降低了成本，且电极材料结构稳定，可制备出性能优异的硅电极材料，具有广阔的应用前景。
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