公开(公告)号：CN109884558A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910124976.2

申请日：2019-02-20

Applicant: 江苏大学

Inventor： 葛道晗 ,  靳鹏飞 ,  张立强 ,  施建培 ,  魏金秀 ,  张远 ,  杨宁

IPC: G01R33/032

Abstract: 本发明提供一种基于光子晶体平板微腔的磁场传感器，包括光子晶体平板和磁敏薄膜；光子晶体平板上设有若干阵列布置的空气孔；光子晶体平板上设有点缺陷微腔，磁敏薄膜覆盖在微腔表面；光子晶体平板上设有光子晶体波导。本发明将磁敏薄膜覆盖于光子晶体平板微腔的表面上，随着外界磁场的变化，磁敏薄膜的折射率会发生不同程度的变化，由于倏逝波的耦合作用，从而使光子晶体平板波导输出光谱中的能量损耗发生变化，根据能量损耗的大小反推出外界磁场的变化量，具有安全防爆、抗电磁干扰、质量轻、响应速度快、测量范围大、可进行实时远距离检测等优异特性，又解决了传统光学磁场传感器测量测量微弱磁场灵敏度较低的问题，提高了弱磁场测量的精度。

公开(公告)号：CN109884558B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201910124976.2

申请日：2019-02-20

Applicant: 江苏大学

Inventor： 葛道晗 ,  靳鹏飞 ,  张立强 ,  施建培 ,  魏金秀 ,  张远 ,  杨宁

IPC: G01R33/032

Abstract: 本发明提供一种基于光子晶体平板微腔的磁场传感器，包括光子晶体平板和磁敏薄膜；光子晶体平板上设有若干阵列布置的空气孔；光子晶体平板上设有点缺陷微腔，磁敏薄膜覆盖在微腔表面；光子晶体平板上设有光子晶体波导。本发明将磁敏薄膜覆盖于光子晶体平板微腔的表面上，随着外界磁场的变化，磁敏薄膜的折射率会发生不同程度的变化，由于倏逝波的耦合作用，从而使光子晶体平板波导输出光谱中的能量损耗发生变化，根据能量损耗的大小反推出外界磁场的变化量，具有安全防爆、抗电磁干扰、质量轻、响应速度快、测量范围大、可进行实时远距离检测等优异特性，又解决了传统光学磁场传感器测量测量微弱磁场灵敏度较低的问题，提高了弱磁场测量的精度。