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公开(公告)号：CN110331427A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910497409.1
申请日：2019-06-10
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种多孔硅-银纳米枝晶结构及其制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择P型硅片，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液由氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液组成，所述氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液按16:9:8的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到多孔硅-银纳米枝晶结构。本发明直接将硝酸银溶液加入到腐蚀多孔硅的电化学腐蚀液中，能一步合成多孔硅-银纳米枝晶结构，步骤简单，操作方便，用时短，能快速、高效的制备具有良好的SERS性能的基底。
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公开(公告)号：CN109884558B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910124976.2
申请日：2019-02-20
Applicant: 江苏大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明提供一种基于光子晶体平板微腔的磁场传感器，包括光子晶体平板和磁敏薄膜；光子晶体平板上设有若干阵列布置的空气孔；光子晶体平板上设有点缺陷微腔，磁敏薄膜覆盖在微腔表面；光子晶体平板上设有光子晶体波导。本发明将磁敏薄膜覆盖于光子晶体平板微腔的表面上，随着外界磁场的变化，磁敏薄膜的折射率会发生不同程度的变化，由于倏逝波的耦合作用，从而使光子晶体平板波导输出光谱中的能量损耗发生变化，根据能量损耗的大小反推出外界磁场的变化量，具有安全防爆、抗电磁干扰、质量轻、响应速度快、测量范围大、可进行实时远距离检测等优异特性，又解决了传统光学磁场传感器测量测量微弱磁场灵敏度较低的问题，提高了弱磁场测量的精度。
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公开(公告)号：CN110331427B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910497409.1
申请日：2019-06-10
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种多孔硅‑银纳米枝晶结构及其制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择P型硅片，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液由氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液组成，所述氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液按16:9:8的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到多孔硅‑银纳米枝晶结构。本发明直接将硝酸银溶液加入到腐蚀多孔硅的电化学腐蚀液中，能一步合成多孔硅‑银纳米枝晶结构，步骤简单，操作方便，用时短，能快速、高效的制备具有良好的SERS性能的基底。
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公开(公告)号：CN109884558A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910124976.2
申请日：2019-02-20
Applicant: 江苏大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明提供一种基于光子晶体平板微腔的磁场传感器，包括光子晶体平板和磁敏薄膜；光子晶体平板上设有若干阵列布置的空气孔；光子晶体平板上设有点缺陷微腔，磁敏薄膜覆盖在微腔表面；光子晶体平板上设有光子晶体波导。本发明将磁敏薄膜覆盖于光子晶体平板微腔的表面上，随着外界磁场的变化，磁敏薄膜的折射率会发生不同程度的变化，由于倏逝波的耦合作用，从而使光子晶体平板波导输出光谱中的能量损耗发生变化，根据能量损耗的大小反推出外界磁场的变化量，具有安全防爆、抗电磁干扰、质量轻、响应速度快、测量范围大、可进行实时远距离检测等优异特性，又解决了传统光学磁场传感器测量测量微弱磁场灵敏度较低的问题，提高了弱磁场测量的精度。
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