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公开(公告)号：CN107304385A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610246999.7
申请日：2016-04-19
Applicant: 江苏天恒纳米科技股份有限公司
Inventor： 仲跻和
CPC classification number: C11D1/825 , C11D1/721 , C11D3/044 , C11D3/046 , C11D3/08 , C11D3/33 , C11D11/0047 , H01L21/02041
Abstract: 本发明公开了一种环保型半导体硅片清洗剂及其清洗方法，每100g清洗剂中以下重量份的原料组成：非离子表面活性剂0.1-5g；渗透剂0.1-5g；pH调节剂0.2-10g；螯合剂0.2-1g；余量为去离子水。本发明含有各种表面活性剂，同时添加有机碱，能有效去除硅研磨片表面残留的各种有机物、金属离子和吸附粒子，保证清洗的均一性，且清洗后硅片不会出现花状表面，使用寿命长，而且无金属污染，无毒，无腐蚀性，属于环保型产品。
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公开(公告)号：CN107304331A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610247000.0
申请日：2016-04-19
Applicant: 江苏天恒纳米科技股份有限公司
Inventor： 仲跻和
Abstract: 本发明公开了一种用于存储器硬盘的CMP浆料及使用该浆料的抛光方法，包括CMP浆料组合物和研磨料，CMP浆料组合物包括含有羟基、羧基或其两者的化合物、辅助添加剂以及去离子水，研磨料为二氧化硅溶胶，其中将二氧化硅溶胶加入CMP浆料组合物中并加入去离子水稀释，直至CMP浆料体系的粘度小于10(mPa.s)，pH值在9.0-10.0之间波动。本发明在CMP浆料体系中增加辅助添加剂，用以提高CMP浆料的研磨抛光效果，且研磨料采用碱性球形纳米粒子，其硬度小，能够解决传统CMP浆料对硬盘基片的划伤问题，且稳定性高，对设备要求低，使得该CMP浆料的抛光选择性高，可操作性强，可广泛用于存储器硬盘的抛光领域。
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公开(公告)号：CN106927465A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511014133.5
申请日：2015-12-31
Applicant: 江苏天恒纳米科技股份有限公司
Inventor： 仲跻和
IPC: C01B33/021
CPC classification number: C01B33/021
Abstract: 本发明公开了一种改性纳米硅粉的制备方法，包括如下步骤：a：配制溶液1；b：将纳米硅粉置入溶液1中进行碱处理；c：再将纳米硅粉进行酸处理；d：制得羧基化纳米硅粉；e：将羧基化纳米硅粉溶入溶剂配制成溶液2，用盐酸调节pH值，将偶联剂、对苯二酚滴加到溶液2中得到反应体系，并将所得反应体系进行处理得到溶液3；f：用氨水调节溶液3的pH值，保温得到改性的纳米硅溶胶；g：干燥，离心洗涤，再水洗，真空干燥得到改性的纳米硅粉。本发明工艺流程简单，过程条件温和，耗能低，可操作性强，成本低，而且大大缩短了反应时间，提高了反应效率。
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公开(公告)号：CN107304330A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610246998.2
申请日：2016-04-19
Applicant: 江苏天恒纳米科技股份有限公司
Inventor： 仲跻和
Abstract: 本发明公开了一种硅CMP浆料及其使用该CMP浆料的抛光方法，包括CMP浆料组合物和研磨料，CMP组合物包括至少一种阴离子聚合物表面活性剂、粘度调节剂、螯合剂和研磨助剂，研磨料为纳米级二氧化硅溶胶，阴离子聚合物表面活性剂为羧酸盐、磺酸盐、磷酸酯中的任意一种或一种以上的组合，螯合剂为有机化合物，研磨助剂为非离子聚合物颗粒。本发明研磨料采用纳米级二氧化硅溶胶，具有研磨料粒径小、表面张力小、容易清洗等优点，而且抛光速度快，可达到(0.8～1.5μm/min)，在高温时不会出现非均化蚀坑，大大的提高了抛光质量，可广泛应用于硅晶片抛光工艺中及其他半导体材料的抛光工艺。
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