一种带有外保护罩蝶形引入光缆

    公开(公告)号:CN118671905B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411177384.4

    申请日:2024-08-26

    Abstract: 本发明属于线缆技术领域,尤其是涉及一种带有外保护罩蝶形引入光缆,具有至少一个蝶形单元,还具有一个外保护罩,外保护罩具有半圆形的保护罩主体,蝶形单元位于保护罩主体内,蝶形单元与外保护罩插接固定;本发明具有结构简单、保护效果好、单个保护罩主体内可容纳多个蝶形单元、可两个外保护罩组合等有益效果。

    一种带有外保护罩蝶形引入光缆

    公开(公告)号:CN118671905A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202411177384.4

    申请日:2024-08-26

    Abstract: 本发明属于线缆技术领域,尤其是涉及一种带有外保护罩蝶形引入光缆,具有至少一个蝶形单元,还具有一个外保护罩,外保护罩具有半圆形的保护罩主体,蝶形单元位于保护罩主体内,蝶形单元与外保护罩插接固定;本发明具有结构简单、保护效果好、单个保护罩主体内可容纳多个蝶形单元、可两个外保护罩组合等有益效果。

    一种芯片除尘设备
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN117282723B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311573821.X

    申请日:2023-11-23

    Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域,尤其是一种芯片除尘设备,包括箱体;所述箱体的两侧均开设有物料口;所述箱体的内部固连有多个均匀设置的隔板;所述隔板的表面滑动连接有多个均匀设置的托盘,且托盘的侧壁开设有多个均匀设置的开口;所述箱体的侧壁于隔板顶部均固连有导气管;所述箱体的一侧固连有输气组件;所述输气组件用于向导管内通入空气;所述导气管靠近托盘的一侧固连有多个均匀设置的出气管,且出气管与导气管连通;所述箱体的底部安装有多个均匀设置的驱动轮,通过出气管向着芯片表面吹出空气,芯片表面不会粘附的灰尘,同时吹走芯片在储存过程中,积累的灰尘,以保证芯片使用时洁净度,降低最终产品的不良率。

    一种基于数字孪生技术的芯片生产仿真方法及系统

    公开(公告)号:CN117236278B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311521087.2

    申请日:2023-11-15

    Abstract: 本发明涉及半导体芯片生产技术领域,提供一种基于数字孪生技术的芯片生产仿真方法及系统,包括:采集目标芯片的处理任务并调取相应的测试数据集,构建相应的设计参数域和设计函数,进行寻优优化,利用数字孪生技术构建孪生芯片,测试并计算设计适应度,通过迭代寻优获取最优设计参数,构建最优孪生芯片,计算与现有同族芯片的相似度,并验证后进行目标芯片的设计和生产,解决无法考虑到可能的硬件故障、异常情况,芯片生产过程存在不确定性,芯片性能和可靠性无法保证技术问题,实现对芯片设计进行更精确的模拟和预测,提前修复潜在隐患,同时,提供更详细和准确的仿真结果,提高设计效率、降低成本,提高芯片性能和可靠性技术效果。

    一种芯片除尘设备
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117282723A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311573821.X

    申请日:2023-11-23

    Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域,尤其是一种芯片除尘设备,包括箱体;所述箱体的两侧均开设有物料口;所述箱体的内部固连有多个均匀设置的隔板;所述隔板的表面滑动连接有多个均匀设置的托盘,且托盘的侧壁开设有多个均匀设置的开口;所述箱体的侧壁于隔板顶部均固连有导气管;所述箱体的一侧固连有输气组件;所述输气组件用于向导管内通入空气;所述导气管靠近托盘的一侧固连有多个均匀设置的出气管,且出气管与导气管连通;所述箱体的底部安装有多个均匀设置的驱动轮,通过出气管向着芯片表面吹出空气,芯片表面不会粘附的灰尘,同时吹走芯片在储存过程中,积累的灰尘,以保证芯片使用时洁净度,降低最终产品的不良率。

    一种晶圆加工的瑕疵测试方法及装置

    公开(公告)号:CN117116791A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311046191.0

    申请日:2023-08-18

    Abstract: 本申请涉及瑕疵检测技术领域,提供一种晶圆加工的瑕疵测试方法及装置。通过根据晶圆设计执行区域划分,对晶圆进行层级光强照射和颜色光照射以及图像采集构建光强通道集合和颜色通道集合,选定标准颜色通道并确定区域划分位置映射至两个通道集合;基于设计进行光强通道集合的兴趣区域划分并根据划分结果和映射结果定位兴趣区域进行瑕疵识别获得第一瑕疵集合;进行颜色通道集合瑕疵识别并根据映射结果确定第二瑕疵集合,根据两个瑕疵集合生成缺陷识别结果。解决现有技术中存在晶圆瑕疵识别方法单一,容易产生晶圆瑕疵识别遗漏,导致晶圆次品率上升的技术问题,实现了提高晶圆瑕疵识别准确度和瑕疵识别效率,降低晶圆生产次品率的技术效果。

    一种大规格低衰减的光纤预制棒及其制备方法

    公开(公告)号:CN109970335B

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN201910181908.X

    申请日:2019-03-11

    Abstract: 本申请涉及一种大规格低衰减光纤预制棒及其制备方法,利用MCVD工艺制备包括内芯层、外芯层、内包层和下陷层的预制棒芯棒,再通过VAD工艺沉积第一外包层疏松体,并经过第一次烧结处理得到制备出初级光纤预制棒,最后通过OVD工艺沉积第二外包层疏松体,并经过第二次烧结处理得到光纤预制棒。本发明制备的光纤预制棒的直径可达215mm,单根预制棒拉纤长度可达2930km,光纤在1310nm处的衰减低至0.298dB/km,在1383nm处的衰减系数低至0.265dB/km,在1550nm处的衰减系数低至0.165dB/km,光纤截止波长为1265nm~1273nm。

    一种超低损耗大有效面积的单模光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN110045456B

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201910156066.2

    申请日:2019-03-01

    Abstract: 本发明涉及一种超低损耗大有效面积的单模光纤及其制备方法,光纤从内到外依次是内芯层、下陷芯层、外芯层、内包层、下陷包层和外包层,其中:内芯层、下陷芯层、外芯层、内包层、下陷包层以二氧化硅作为基底材料并加入掺杂剂,外包层为纯二氧化硅;其中,内芯层的相对折射率为△n1,下陷芯层的相对折射率为△n2,外芯层的相对折射率为△n3,内包层的相对折射率为△n4,下陷包层的相对折射率为△n5,所述相对折射率大小为:Δn1>Δn3>Δn2>Δn4>Δn5,采用MCVD工艺和OVD工艺制备而成。本发明光纤的有效面积、截止波长、衰减、色散、弯曲损耗等综合性能良好。

    一种超低损耗大有效面积的单模光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN110045456A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910156066.2

    申请日:2019-03-01

    Abstract: 本发明涉及一种超低损耗大有效面积的单模光纤及其制备方法,光纤从内到外依次是内芯层、下陷芯层、外芯层、内包层、下陷包层和外包层,其中:内芯层、下陷芯层、外芯层、内包层、下陷包层以二氧化硅作为基底材料并加入掺杂剂,外包层为纯二氧化硅;其中,内芯层的相对折射率为△n1,下陷芯层的相对折射率为△n2,外芯层的相对折射率为△n3,内包层的相对折射率为△n4,下陷包层的相对折射率为△n5,所述相对折射率大小为:Δn1>Δn3>Δn2>Δn4>Δn5,采用MCVD工艺和OVD工艺制备而成。本发明光纤的有效面积、截止波长、衰减、色散、弯曲损耗等综合性能良好。

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