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公开(公告)号:CN106981438A
公开(公告)日:2017-07-25
申请号:CN201710185238.X
申请日:2017-03-25
Applicant: 江阴新顺微电子有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种铟镓合金作为代汞物在氧化层固定电荷测试中的方法,所述方法包括以下步骤:1、将固体单晶铟和镓按照一定配比放在石墨坩埚内进行加温熔制;2、熔制过程中使用石英棒适当搅拌直至形成铟和镓的合金;3、停止加热,待铟镓合金物冷却至室温后,将其装入密闭不透光容器内保存;4、选择N型掺杂衬底,晶向<100>的硅材料片,在Si表面生长一层SiO2层;5、将生长有SiO2层的一面向上放置在金属台盘上,硅衬底一面与金属台盘接触,开启真空吸附;6、使用毛细吸管从密闭容器中获取铟镓合金,并在SiO2层表面制作一个金属电极;7、旋下金属探针杆,使探针与铟镓合金良好接触;8、在预定的偏置电压下进行扫描,得到C‑V测试结果。
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公开(公告)号:CN203941894U
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201420310431.3
申请日:2014-06-12
Applicant: 江阴新顺微电子有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本实用新型涉及一种芯片单面腐蚀泡酸工装夹具,其特征在于它包括提篮(1)、片架(2)和滚动轴(3),在所述提篮(1)底部中间向内部开有一条圆弧形凹槽(14),所述滚动轴(3)部分位于凹槽(14)中,其余部分位于腐蚀槽(4)的腐蚀液中,所述片架(2)放置在提篮(1)中,在所述提篮(1)底部的凹槽(14)两侧均设置有垫块(6)。本实用新型简单易操作,可以降低生产成本,提高产品的质量。
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公开(公告)号:CN203240592U
公开(公告)日:2013-10-16
申请号:CN201320209908.4
申请日:2013-04-24
Applicant: 江阴新顺微电子有限公司
IPC: F23G7/06
Abstract: 本实用新型涉及一种纯氢气工艺设备的安全连锁装置,包括废氢燃烧装置(1)和排风异常控制系统(2),所述废氢燃烧装置的排风口(3)与一排风风机(4)的入口相连,其特征在于在所述排风口与排风风机的管路上设置有风压表(5),所述风压表与排风异常控制系统相连,在所述排风异常控制系统上分别设置有氢气气动阀门(6)和声光报警器(7),所述氢气气动阀门的出口与废氢燃烧装置的入口相连,在所述氢气气动阀门的出口与废氢燃烧装置的入口之间设置有氢气MFM装置(8)和氢气MFC装置(9)。本实用新型一种纯氢气工艺设备的安全连锁装置,提高使用纯氢气工艺设备的安全可靠性。
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公开(公告)号:CN211552761U
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN202020275389.1
申请日:2020-03-09
Applicant: 江阴新顺微电子有限公司
IPC: G01B11/30
Abstract: 本实用新型涉及一种硅片翘曲度测试装置,属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。包括用于设置待测硅片的承片台和传感器,所述承片台滑动设于测量座的平台上,使得承片台相对测量座的位置便于调整;所述承片台正上方设有测距传感器,所述测量座的立柱上设置固定支架,所述传感器设于固定支架上;所述传感器与其配套的控制器电连接。所述承片台包括第一平台和第二平台,所述第二平台设于第一平台上,所述第二平台竖向开设若干校正孔,所述校正孔内分别设有校正件。本申请避免了对硅片的损伤,不仅测试快速便捷,而且测试精度高、测试量程大。
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