公开(公告)号：CN111415985A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010149210.2

申请日：2020-03-06

Applicant: 江阴新顺微电子有限公司

Inventor： 许柏松 ,  沈晓东 ,  徐永斌 ,  叶新民 ,  沈峰

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331

Abstract: 一种PNP型低BVEBO达林顿三极管器件结构及制造方法，包括重型掺硼掺杂衬底上外延一层轻掺厚外延层，在轻掺厚外延层上形成两个圆柱形N型基区有源区分别作为T1和T2管的基区，在两个基区有源区的顶部分别采用相同的窗口再次进行N型重掺杂，且进行氧化扩散以形成N+型区域和隔离氧化层，在N+型区域内形成重掺的P型发射区，在划片区域内和T1管、T2管间隔区域内形成保护环，且在表面LPCVD的方法淀积一层二氧化硅作为铝下隔离介质和保护层，在N+型区域和P型发射区内部开出接触孔，在接触孔的上部淀积一层金属作为连接层，连接层将T1管与T2管串联起来，在连接层上部采用聚酰亚胺光刻胶形成保护层，且留有锯片和封装球焊用的PAD区。

公开(公告)号：CN111415985B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010149210.2

申请日：2020-03-06

Applicant: 江阴新顺微电子有限公司

Inventor： 许柏松 ,  沈晓东 ,  徐永斌 ,  叶新民 ,  沈峰

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331

Abstract: 一种PNP型低BVEBO达林顿三极管器件结构及制造方法，包括重型掺硼掺杂衬底上外延一层轻掺厚外延层，在轻掺厚外延层上形成两个圆柱形N型基区有源区分别作为T1和T2管的基区，在两个基区有源区的顶部分别采用相同的窗口再次进行N型重掺杂，且进行氧化扩散以形成N+型区域和隔离氧化层，在N+型区域内形成重掺的P型发射区，在划片区域内和T1管、T2管间隔区域内形成保护环，且在表面LPCVD的方法淀积一层二氧化硅作为铝下隔离介质和保护层，在N+型区域和P型发射区内部开出接触孔，在接触孔的上部淀积一层金属作为连接层，连接层将T1管与T2管串联起来，在连接层上部采用聚酰亚胺光刻胶形成保护层，且留有锯片和封装球焊用的PAD区。