公开(公告)号：CN106971942A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201710157024.1

申请日：2017-03-16

Applicant: 江阴新顺微电子有限公司

Inventor： 朱瑞 ,  焦丹钧 ,  陈坤伍 ,  潘伟 ,  吕帮贵

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/6609 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/41 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种新型的N+P‑结构快恢复二极管芯片的制造工艺，应用在集成电路或分立器件制造技术领域。其纵向结构（从下至上）包括了阳极金属、半导体硅片P+衬底层、P‑外延层、P+沟道截止环、氧化层、N+阴极区与阴极金属；还包括了具体制造工艺方法。本发明最终可以生产出N+P‑结构快恢复二极管芯片，丰富快恢复二极管芯片市场。

公开(公告)号：CN106783605A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710157318.4

申请日：2017-03-16

Applicant: 江阴新顺微电子有限公司

Inventor： 焦丹钧 ,  朱瑞 ,  邹亦鸣 ,  吴坚 ,  徐永斌

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/66128 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种平面整流二极管芯片的制造方法，芯片包括N型单晶硅，在所述N型单晶硅的背面形成N+重掺杂衬底阴极区，在所述N型单晶硅的正面一侧形成P+阳极区，另一侧形成N+截止环区，在所述N型单晶硅的正面淀积一层SIPOS钝化层，所述SIPOS钝化层的底部两侧搭接于P+阳极区和N+截止环区上，在所述SIPOS钝化层的正面依次向上淀积相同面积的二氧化硅介质层、磷硅玻璃介质层和二氧化硅介质层，在所述P+阳极区和N+截止环区的正面露出部分、高反压终端保护膜的两侧及正面两侧区域包覆有金属电极层，在所述高反压终端保护膜和金属电极层的正面涂覆有聚酰亚胺钝化层。

公开(公告)号：CN206610816U

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201720257292.6

申请日：2017-03-16

Applicant: 江阴新顺微电子有限公司

Inventor： 焦丹钧 ,  朱瑞 ,  邹亦鸣 ,  吴坚 ,  徐永斌

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型涉及一种具有高反压终端保护膜的平面整流二极管芯片，它包括N型单晶硅，在所述N型单晶硅的背面形成N+重掺杂衬底阴极区，在所述N型单晶硅的正面一侧形成P+阳极区，另一侧形成N+截止环区，在所述N型单晶硅的正面淀积一层SIPOS钝化层，所述SIPOS钝化层的底部两侧搭接于P+阳极区和N+截止环区上，在所述SIPOS钝化层的正面依次向上淀积相同面积的二氧化硅介质层、磷硅玻璃介质层和二氧化硅介质层，在所述P+阳极区和N+截止环区的正面露出部分、高反压终端保护膜的两侧及正面两侧区域包覆有金属电极层，在所述高反压终端保护膜和金属电极层的正面涂覆有聚酰亚胺钝化层。

公开(公告)号：CN206610815U

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201720256877.6

申请日：2017-03-16

Applicant: 江阴新顺微电子有限公司

Inventor： 朱瑞 ,  焦丹钧 ,  陈坤伍 ,  潘伟 ,  吕帮贵

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 本实用新型涉及一种N+P-结构快恢复二极管芯片，它包括位于底部的阳极金属，在所述阳极金属的正面设有半导体硅片P+衬底层，在所述半导体硅片P+衬底层的正面形成有P-外延层，在所述P-外延层的正面边缘掺入杂质硼形成P+沟道截止环，在所述P-外延层的中部掺入杂质磷形成N+阴极区，在所述P-外延层的正面通过高温氧化生长一层厚度的氧化层，在所述N+阴极区的正面通过蒸发或溅射的方式淀积一层一定厚度的阴极电极金属形成阴极电极，所述阴极电极与N+阴极区直接接触。本实用新型实现共阳极应用，丰富了快恢复二极管芯片市场，满足了整机应用要求，降低了加工成本，弥补了N+P-结构快恢复二极管芯片空白；同时还为整机设计提供了全新的思路。

公开(公告)号：CN205645821U

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201620322189.0

申请日：2016-04-18

Applicant: 江阴新顺微电子有限公司

Inventor： 焦丹钧 ,  朱瑞 ,  陈晓伦 ,  沈晓东 ,  许柏松 ,  欧应辉 ,  叶新民

IPC: H01L29/06

Abstract: 本实用新型涉及一种复合型结终端结构，包括场限环P+掺杂区（1）、有源区主结P+掺杂区（2）、截止环N+掺杂区（3）以及复合型结终端P‑掺杂区（4），上述掺杂区均在硅材料衬底（6）的外延层或者高阻层N‑区（5）内，场限环P+掺杂区（1）位于有源区主结P+掺杂区（2）外侧，两区保持一定的距离，复合型结终端P‑掺杂区（4）位于场限环P+掺杂区（1）的外围，且两者紧密相连，复合型结终端P‑掺杂区（4）的结深小于有源区主结P+掺杂区（2）的结深，截止环N+掺杂区（3）位于芯片最外围，与复合型结终端P‑掺杂区（4）保持一定的距离。本实用新型保证场限环P+掺杂区起到一定的分压作用，减缓场限环电场强度，以提高反向击穿电压典型值。