基于热电效应的自供电温度传感器及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114267781A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111583294.1

    申请日:2021-12-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于热电效应的自供电温度传感器及制备方法和应用,旨在提供一种基于高性能碲化铋基薄膜热电材料的、灵敏度高、灵活性强的温度传感器及制备方法,以及在监测温室大棚土壤温度方面的应用。该温度传感器包括热电模块,所述热电模块包括基底板,基底板上有成散射状分布的N型碲化铋薄膜和P型碲化锑薄膜,N型碲化铋薄膜和P型碲化锑薄膜间隔设置,N型碲化铋薄膜和P型碲化锑薄膜通过薄膜电极串联起来集成多对P‑N结热电腿,基底板上沿薄膜电极形成的内圈设置有中心镂空孔,中心镂空孔处的镂空位置及内圈的薄膜电极通过高导热材料封装,在中间区域形成导热封装层。该传感器的灵敏度高,灵活性强,具有精准监测的能力。

    采用离子辅助交替沉积可控制备超晶格Sb-Te/Bi-Sb-Te多层薄膜的方法

    公开(公告)号:CN111304622B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN202010258916.2

    申请日:2020-04-03

    Abstract: 本发明是一种采用离子辅助沉积可控制备超晶格Sb‑Te/Bi‑Sb‑Te薄膜的方法,该方法采用FJL560CI2离子束辅助沉积系统,制备工艺包括:把质量百分比纯度为99.99%的Sb2Te3和Bi1.5Sb0.5Te3靶材放入离子束辅助沉积镀膜室中;真空度达2.0×10‑4Pa‑4.0×10‑4Pa时打开加热控温电源,设定加热温度200℃‑400℃,开始对基底升温;打开溅射腔进气口,调节溅射离子源的溅射能量为0.8keV‑1.2keV;关闭辅助腔Ar进气口,打开N2进气口,调节低能辅助轰击源的辅助能量为100eV‑400eV;温度升至预定温度200℃‑400℃后,调节气压至预定工作气压1×10‑2Pa‑3×10‑2Pa;用电脑精确控制每个靶材的溅射时间,得到它们的单层薄膜与调制比tSb2Te3:tBi1.5Sb0.5Te3=1:5‑5:1及调制周期Λ=10nm‑150nm的多层膜;薄膜厚度为500nm‑1000nm。该方法新颖简单实用有效,生产环境条件宽松,具有非常显著的实用价值和经济效益。

    柔性铝电极薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN114540767B

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202210081781.6

    申请日:2022-01-24

    Abstract: 本发明公开了一种柔性铝电极薄膜的制备方法,旨在提供一种界面稳定,无扩散现象的电极薄膜的制备方法。利用磁控溅射法制备,包括下述步骤:将铝靶材固定在真空室中的直流靶头上,将基底上带有碲化铋基薄膜的样品放置在样品台上;抽真空;打开样品旋转;升温样品台温度,温度设定为140‑250℃,将加热电流调到0.5‑2mA缓慢升温;达到预设温度后,通入氩气到真空度为0.15‑0.7Pa;进行磁控溅射:溅射功率为50‑70W,溅射时间为1.5‑4小时;原位退火处理;降温。该方法所得铝电极薄膜具有高导电性能,高柔韧性且与基底结合力强。所的碲化铋薄膜和铝电极薄膜界面稳定,无扩散现象,具有高稳定性。

    柔性铝电极薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN114540767A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210081781.6

    申请日:2022-01-24

    Abstract: 本发明公开了一种柔性铝电极薄膜的制备方法,旨在提供一种界面稳定,无扩散现象的电极薄膜的制备方法。利用磁控溅射法制备,包括下述步骤:将铝靶材固定在真空室中的直流靶头上,将基底上带有碲化铋基薄膜的样品放置在样品台上;抽真空;打开样品旋转;升温样品台温度,温度设定为140‑250℃,将加热电流调到0.5‑2mA缓慢升温;达到预设温度后,通入氩气到真空度为0.15‑0.7Pa;进行磁控溅射:溅射功率为50‑70W,溅射时间为1.5‑4小时;原位退火处理;降温。该方法所得铝电极薄膜具有高导电性能,高柔韧性且与基底结合力强。所的碲化铋薄膜和铝电极薄膜界面稳定,无扩散现象,具有高稳定性。

    采用离子辅助沉积可控制备超晶格Sb-Te/Bi-Sb-Te薄膜的方法

    公开(公告)号:CN111304622A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010258916.2

    申请日:2020-04-03

    Abstract: 本发明是一种采用离子辅助沉积可控制备超晶格Sb-Te/Bi-Sb-Te薄膜的方法,该方法采用FJL560CI2离子束辅助沉积系统,制备工艺包括:把质量百分比纯度为99.99%的Sb2Te3和Bi1.5Sb0.5Te3靶材放入离子束辅助沉积镀膜室中;真空度达2.0×10-4Pa-4.0×10-4Pa时打开加热控温电源,设定加热温度200℃-400℃,开始对基底升温;打开溅射腔进气口,调节溅射离子源的溅射能量为0.8keV-1.2keV;关闭辅助腔Ar进气口,打开N2进气口,调节低能辅助轰击源的辅助能量为100eV-400eV;温度升至预定温度200℃-400℃后,调节气压至预定工作气压1×10-2Pa-3×10-2Pa;用电脑精确控制每个靶材的溅射时间,得到它们的单层薄膜与调制比tSb2Te3:tBi1.5Sb0.5Te3=1:5-5:1及调制周期Λ=10nm-150nm的多层膜;薄膜厚度为500nm-1000nm。该方法新颖简单实用有效,生产环境条件宽松,具有非常显著的实用价值和经济效益。

    采用真空蒸发镀膜可控制备非晶柔性Bi-Te-Se膜的方法

    公开(公告)号:CN113122809B

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202110271146.X

    申请日:2021-03-12

    Abstract: 本发明涉及一种采用真空蒸发镀膜可控制备非晶柔性Bi‑Te‑Se膜的方法,步骤如下:(1)将质量百分比纯度为99.99%的Bi2Te2.7Se0.3粉末在3~5MPa压力下压制成块体;(2)柔性基底在无水乙醇和去离子水中分别超声清洗5~10min后取出,用氮气吹干;(3)将0.1~0.2g的Bi2Te2.7Se0.3材料压制成的块体放入真空镀膜机的真空室钨舟中,调节基底与钨舟的距离d=8~11cm;(4)向真空室内充入2~8min氮气后停止,随后抽真空;(5)在PID控制器上设定沉积速率40~75nm/min,沉积时间40~60min;(6)开启交流电源,调节输出电流170~185A;打开样品台自转25~30r/min;在基底上沉积制备非晶柔性Bi2Te2.7Se0.3膜;(7)制备完毕。本发明方法简单、新颖,生产环境、反应条件宽松,具有非常显著的实用价值和经济效益。

    采用真空蒸发镀膜可控制备非晶柔性Bi-Te-Se膜的方法

    公开(公告)号:CN113122809A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110271146.X

    申请日:2021-03-12

    Abstract: 本发明涉及一种采用真空蒸发镀膜可控制备非晶柔性Bi‑Te‑Se膜的方法,步骤如下:(1)将质量百分比纯度为99.99%的Bi2Te2.7Se0.3粉末在3~5MPa压力下压制成块体;(2)柔性基底在无水乙醇和去离子水中分别超声清洗5~10min后取出,用氮气吹干;(3)将0.1~0.2g的Bi2Te2.7Se0.3材料压制成的块体放入真空镀膜机的真空室钨舟中,调节基底与钨舟的距离d=8~11cm;(4)向真空室内充入2~8min氮气后停止,随后抽真空;(5)在PID控制器上设定沉积速率40~75nm/min,沉积时间40~60min;(6)开启交流电源,调节输出电流170~185A;打开样品台自转25~30r/min;在基底上沉积制备非晶柔性Bi2Te2.7Se0.3膜;(7)制备完毕。本发明方法简单、新颖,生产环境、反应条件宽松,具有非常显著的实用价值和经济效益。

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