公开(公告)号：CN116913974A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310760195.9

申请日：2023-06-26

Applicant: 河南省科学院材料研究所

Inventor： 潘文高 ,  陆磊 ,  张盛东 ,  张雪凤 ,  宋克兴 ,  刘新华 ,  张国赏 ,  卢琼琼 ,  史荣豪 ,  谢昆 ,  肖丽丽 ,  孟兆洁 ,  高杰 ,  王鸿业 ,  张真真

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明主要涉及半导体薄膜晶体管制备技术领域，具体涉及一种高性能ZnSnO薄膜晶体管及其制备方法；所述的薄膜晶体管包括在基板上依次制备形成的栅极、栅介质、有源层和源漏电极，其特征在于：所述的有源层是通过磁控溅射方法制备ZTO有源层材料，通过控制溅射气氛的氧含量控制氧空位缺陷在有源层中的分布与含量，先沉积富含氧缺陷的ZTO薄膜，再沉积氧缺陷较少的ZTO薄膜，使两者材料的能带结构有所差异，从而形成同质结薄膜；然后通过光刻和湿法刻蚀的工艺进行图形化；本发明的技术与主流的IGZO TFT性能相媲美,升级换代后可降低TFT显示背板的制造成本；该方法也适用于其他氧化物半导体材料与电子器件，具有较强的可推广性。