一种电池电极用金属化类石墨膜层及其制备方法

    公开(公告)号:CN108400177A

    公开(公告)日:2018-08-14

    申请号:CN201810209709.0

    申请日:2018-03-14

    Abstract: 一种电池电极用金属化类石墨膜层及其制备方法,金属化类石墨膜层的各组成成分的百分比为:Ti 3.5~8.0%,N 2材.0共~3溅.0射%,制杂备质出含金量属≤化0.0类5%石,余墨膜量为层,C碳。本原发子明主采要用以石sp墨2杂、T化i靶轨道成键,能够克服了类金刚石电阻率大的缺点,减少了碳原子以sp3杂化轨道成键的方式。金属化类石墨膜层的方阻在100mΩ/□~3Ω/□,满足了工业化的生产需求。

    一种电子用多功能三维纳米结构表面增透膜片的制备方法

    公开(公告)号:CN108409153A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810208889.0

    申请日:2018-03-14

    Abstract: 一种电子用多功能三维纳米结构表面增透膜片的制备方法,包括以下步骤:使用C4F8气体镀膜制备出聚四氟乙烯;将制备的聚四氟乙烯薄膜加热至280~350℃,并保温10~20min,制备聚四氟乙烯小球掩膜层;采用等离子体刻蚀方法刻蚀作为基底的石英玻璃;清洗。本发明克服了传统镀膜方式制备的薄膜附着力差的缺点,三维纳米结构能够耐高温,耐湿热环境。本发明制备的增透膜,表面具有三维纳米凸起结构,从而使透射光增强,透射率增大,可以达到96%的增透效果。

    一种低电阻泡沫金属的制备方法

    公开(公告)号:CN108300969A

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201810208886.7

    申请日:2018-03-14

    Abstract: 一种微电子用泡沫金属的制备方法,以聚氨酯泡沫为骨架,在聚氨酯泡沫上采用磁控溅射工艺制备Ni-Al-Ni三层结构复合膜,其中,聚氨酯泡沫骨架上Ni-Al-Ni三层结构复合膜的厚度为20~30μm。本发明采用磁控溅射方式制备高纯度的金属膜,即Ni-Al-Ni三层结构复合膜,包括膜层、骨架与气孔三部分,提高了泡沫金属的柔韧性。

    一种电子用多功能三维纳米结构表面增透膜片的制备方法

    公开(公告)号:CN108409153B

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN201810208889.0

    申请日:2018-03-14

    Abstract: 一种电子用三维纳米结构表面增透膜片的制备方法,包括以下步骤:使用C4F8气体镀膜制备出聚四氟乙烯;将制备的聚四氟乙烯薄膜加热至280~350℃,并保温10~20min,制备聚四氟乙烯小球掩膜层;采用等离子体刻蚀方法刻蚀作为基底的石英玻璃;清洗。本发明克服了传统镀膜方式制备的薄膜附着力差的缺点,三维纳米结构能够耐高温,耐湿热环境。本发明制备的增透膜,表面具有三维纳米凸起结构,从而使透射光增强,透射率增大,可以达到96%的增透效果。

    一种防静电强疏水性复合膜层的制备方法

    公开(公告)号:CN108456861B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201810208890.3

    申请日:2018-03-14

    Abstract: 一种防静电强疏水性复合膜层的制备方法,复合膜层包括镀在基体表面的导电金属层以及镀在导电金属层表面的聚四氟乙烯层,其中,使基体表面金属化形成导电金属层,然后将基体表面的导电金属层粗糙化,使导电金属层的表面形成凹槽,再将聚四氟乙烯层镀在粗糙化后的导电金属层上。其中,导电金属层克服了绝缘材料表面静电集聚问题;采用等离子刻蚀等设备制备出了聚四氟乙烯膜层,具有强疏水性,不吸附水汽的特点,水在其表面的接触角不小于150°,滑动角不超过20°。

    一种电池电极用金属化类石墨膜层的制备方法

    公开(公告)号:CN108400177B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201810209709.0

    申请日:2018-03-14

    Abstract: 一种电池电极用金属化类石墨膜层的制备方法,金属化类石墨膜层的各组成成分的百分比为:Ti 3.5~8.0%,N 2.0~3.0%,杂质含量≤0.05%,余量为C。本发明采用石墨、Ti靶材共溅射制备出金属化类石墨膜层,碳原子主要以sp2杂化轨道成键,能够克服了类金刚石电阻率大的缺点,减少了碳原子以sp3杂化轨道成键的方式。金属化类石墨膜层的方阻在100mΩ/□~3Ω/□,满足了工业化的生产需求。

    一种低电阻泡沫金属的制备方法

    公开(公告)号:CN108300969B

    公开(公告)日:2020-02-25

    申请号:CN201810208886.7

    申请日:2018-03-14

    Abstract: 一种微电子用泡沫金属的制备方法,以聚氨酯泡沫为骨架,在聚氨酯泡沫上采用磁控溅射工艺制备Ni‑Al‑Ni三层结构复合膜,其中,聚氨酯泡沫骨架上Ni‑Al‑Ni三层结构复合膜的厚度为20~30μm。本发明采用磁控溅射方式制备高纯度的金属膜,即Ni‑Al‑Ni三层结构复合膜,包括膜层、骨架与气孔三部分,提高了泡沫金属的柔韧性。

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