疏水窗玻璃
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104024176B

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201280055822.9

    申请日:2012-11-14

    Abstract: 本发明涉及用于制备疏水窗玻璃的方法,其包括下列连续步骤:(a)通过在由无机玻璃制成的基材的至少一部分表面上的化学气相沉积(CVD),在600℃至680℃的温度下,通过使所述表面与包含乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)和二氧化碳(CO2)的反应性气体流接触,在所述基材的表面上形成富含碳的氧碳化硅(SiOxCy)层,其中在步骤(a)期间的乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)体积比小于或等于3.3,(b)于在步骤(a)中沉积的氧碳化硅层上形成SiO2层,或(b’)形成贫含碳的氧碳化硅层,该层具有低于0.2的平均C/Si比率,(c)在580℃至700℃的温度下使在步骤(b)或(b’)结束时获得的基材退火和/或成型,(d)通过等离子体处理或酸或碱的化学处理使在步骤(b)中形成的二氧化硅层或在步骤(b’)中形成的氧碳化硅层活化,和(e)通过共价键合接枝氟化疏水试剂。本发明还涉及通过这种方法可获得的疏水窗玻璃,优选是风挡。

    疏水窗玻璃
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104024176A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201280055822.9

    申请日:2012-11-14

    Abstract: 本发明涉及用于制备疏水窗玻璃的方法,其包括下列连续步骤:(a)通过在由无机玻璃制成的基材的至少一部分表面上的化学气相沉积(CVD),在600℃至680℃的温度下,通过使所述表面与包含乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)和二氧化碳(CO2)的反应性气体流接触,在所述基材的表面上形成富含碳的氧碳化硅(SiOxCy)层,其中在步骤(a)期间的乙烯/硅烷(C2H4/SiH4)体积比小于或等于3.3,(b)于在步骤(a)中沉积的氧碳化硅层上形成SiO2层,或(b’)形成贫含碳的氧碳化硅层,该层具有低于0.2的平均C/Si比率,(c)在580℃至700℃的温度下使在步骤(b)或(b’)结束时获得的基材退火和/或成型,(d)通过等离子体处理或酸或碱的化学处理使在步骤(b)中形成的二氧化硅层或在步骤(b’)中形成的氧碳化硅层活化,和(e)通过共价键合接枝氟化疏水试剂。本发明还涉及通过这种方法可获得的疏水窗玻璃,优选是风挡。

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