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公开(公告)号：CN112204459B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201980028386.8
申请日：2019-02-26
Applicant: 洛克利光子有限公司
Abstract: 一种光电子设备，包括：绝缘体上硅（SOI）衬底，衬底包括：硅支撑层；在硅支撑层的顶部上的掩埋氧化物（BOX）层；以及在BOX层的顶部上的硅设备层；波导区，其中硅设备层的一部分和BOX层的在该设备层的该部分下方的一部分已经被去除，BOX层的该部分已经用在硅的顶部上的结晶氧化物的层和硅层替代；以及波导结构，其直接位于结晶氧化物层的顶部上，波导结构包括P掺杂区和N掺杂区，P掺杂区和N掺杂区中间具有本征区，从而产生PIN结，跨PIN结能够施加偏压以产生调制区。
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公开(公告)号：CN113671635A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110521525.X
申请日：2021-05-13
Applicant: 洛克利光子有限公司
Abstract: 一种用于在混合集成方法中与硅平台一起使用的装置试样。所述装置试样包括：输入波导，所述输入波导包括输入小面；有源波导，所述有源波导耦合到所述输入波导，所述有源波导包括基于III‑V半导体的电光装置；以及输出波导，所述输出波导被配置来在所述有源波导与输出小面之间耦合光。所述输入波导和所述输出波导是无源波导。
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公开(公告)号：CN118265485A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280076759.0
申请日：2022-11-17
Applicant: 洛克利光子有限公司
IPC: A61B5/024 , A61B5/1455 , A61B5/00 , G02B6/42 , G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种光子集成电路或PIC，所述光子集成电路(28)包括：至少一个激光器(30)、具有激光器输出(44)的激光器、包括测量端口(60)并且配置成测量在测量端口处输入的光的强度和/或波长的测量部分(32)以及配置成将来自光子集成电路的光输出到组织的部分的输出部分(34)，其中可选地，激光器包括环形谐振器激光器、生成具有固定波长的光的激光器、使用混合集成而构成的激光器和/或可调谐激光器。
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公开(公告)号：CN112771426A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980052933.6
申请日：2019-08-06
Applicant: 洛克利光子有限公司
IPC: G02B6/12 , G02B6/13 , H01L21/683 , H01L23/544 , H01L33/00 , H01S5/02
Abstract: 提供了一种转移印刷的方法。所述方法包括：提供前驱体光子器件，所述前驱体光子器件包括基板和粘结区域，其中所述前驱体光子器件包括位于所述粘结区域中或邻近所述粘结区域的一个或多个对准标记；提供转移裸片，所述转移裸片包括一个或多个对准标记；将所述前驱体光子器件的所述一个或多个对准标记与所述转移裸片的所述一个或多个对准标记对准；以及将所述转移裸片的至少一部分粘结到所述粘结区域。
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公开(公告)号：CN114222939B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202080057134.0
申请日：2020-06-11
Applicant: 洛克利光子有限公司
IPC: G02B6/42 , G02B6/43 , H01L23/498 , H01L31/02
Abstract: 一种硅中介层(100)。所述硅中介层(100)包括：硅层(101)，所述硅层包括各自可连接到光纤(103)的一个或多个光波导(102)；光学有源部件(104)，所述光学有源部件被配置成将从所述光纤(103)接收到的光信号转换成电信号或将电信号转换成光信号并且将所述光信号提供到所述光纤(103)；以及一个或多个电互连件(105)，所述一个或多个电互连件连接到所述光学有源部件(104)并且可连接到印制电路板、单独的管芯、单独的衬底或晶片级封装件。
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公开(公告)号：CN115004085A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202080095229.1
申请日：2020-11-24
Applicant: 洛克利光子有限公司
Abstract: 一种光电子器件。所述光电子器件包括：绝缘体上硅平台，所述绝缘体上硅平台包括：位于所述平台的硅器件层内的硅波导；衬底；以及位于所述衬底与所述硅器件层之间的绝缘体层；以及基于III‑V半导体的器件，所述基于III‑V半导体的器件位于所述绝缘体上硅平台的腔体内并且包括耦合到所述硅波导的基于III‑V半导体的波导；其中所述基于III‑V半导体的器件包括加热器和连接到所述加热器的一个或多个电迹线，其中所述一个或多个电迹线从所述基于III‑V半导体的器件延伸到所述绝缘体上硅平台上的相应接触垫。
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公开(公告)号：CN114222939A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202080057134.0
申请日：2020-06-11
Applicant: 洛克利光子有限公司
IPC: G02B6/42 , G02B6/43 , H01L23/498 , H01L31/02
Abstract: 一种硅中介层(100)。所述硅中介层(100)包括：硅层(101)，所述硅层包括各自可连接到光纤(103)的一个或多个光波导(102)；光学有源部件(104)，所述光学有源部件被配置成将从所述光纤(103)接收到的光信号转换成电信号或将电信号转换成光信号并且将所述光信号提供到所述光纤(103)；以及一个或多个电互连件(105)，所述一个或多个电互连件连接到所述光学有源部件(104)并且可连接到印制电路板、单独的管芯、单独的衬底或晶片级封装件。
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公开(公告)号：CN112384846A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980031726.2
申请日：2019-05-10
Applicant: 洛克利光子有限公司
Abstract: 公开了一种光电装置。所述光电装置包括：设置在所述装置的基板上的肋形波导，所述肋形波导包括脊部分和板部分；加热器，所述加热器设置在所述板部分内；热隔离沟槽，所述热隔离沟槽与所述肋形波导相邻并且延伸到所述装置的所述基板中；以及所述基板内的热隔离空腔，所述热隔离空腔直接连接到所述热隔离沟槽，并且跨所述肋形波导的宽度的至少一部分在至少所述肋形波导与所述基板之间延伸。
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公开(公告)号：CN114981714A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080093096.4
申请日：2020-11-12
Applicant: 洛克利光子有限公司
IPC: G02F1/025
Abstract: 一种制造光电子装置的方法。制造的装置包括耦合至波导的光子组件。所述方法包括：提供装置试样，所述装置试样包括所述光子组件；提供硅平台，所述硅平台包括空腔，所述装置试样的结合表面在所述空腔内；将所述装置试样转移印刷到所述空腔上，使得所述装置试样的表面直接邻接所述结合表面并且在所述装置试样与所述空腔的侧壁之间存在至少一个通道；以及经由旋涂工艺用填充材料填充所述至少一个通道，以形成将基于III‑V半导体的光子组件耦合至硅波导的桥。
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