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公开(公告)号：CN111962155B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202010784697.1
申请日：2020-08-06
Abstract: 本发明公开了一种基于介质层辅助的厚片周期极化铁电晶体制备方法，其中提出在周期极化铁电晶体材料的抛光表面首先制备介质层。该介质层是各向同性的透明材料，然后对该透明介质层进行抛光。由于介质层的存在，可以得到特别平整的表面，有利于形成高质量的键合晶体。介质层的厚度相对晶体厚度来说几乎可以忽略不计，不会对晶体的性能尤其是非线性光学性能造成影响。
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公开(公告)号：CN111455453A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010400032.6
申请日：2020-05-13
Abstract: 本发明公开了一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，本发明利用带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或者掺镁近化学计量比铌酸锂晶体作为籽晶，将籽晶沿着Z向为提拉方向固定，通过温场设计和功率控制，逐渐提拉出截面尺寸接近籽晶XY截面尺寸、Z向高度和籽晶提拉高度相同的带有超晶格畴结构的近化学计量比铌酸锂单晶，该种制备方式相较于传统的制备方式，不仅更加简单，同时，制备的局限性小，可使用的范围也更加大。
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公开(公告)号：CN111455453B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010400032.6
申请日：2020-05-13
Abstract: 本发明公开了一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，本发明利用带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或者掺镁近化学计量比铌酸锂晶体作为籽晶，将籽晶沿着Z向为提拉方向固定，通过温场设计和功率控制，逐渐提拉出截面尺寸接近籽晶XY截面尺寸、Z向高度和籽晶提拉高度相同的带有超晶格畴结构的近化学计量比铌酸锂单晶，该种制备方式相较于传统的制备方式，不仅更加简单，同时，制备的局限性小，可使用的范围也更加大。
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公开(公告)号：CN111575791A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010400009.7
申请日：2020-05-13
Abstract: 本发明公开了一种自泵浦光参量振荡基质晶体，该晶体为将稀土掺杂激光晶体与MgO:PPLN非线性光参量振荡晶体合并形成Re:Mg:LN复合晶体，然后将Re:Mg:LN复合晶体进行铁电畴周期性反转处理制成。本发明的周期极化双掺铌酸锂晶体，将激光晶体和非线性晶体合并成一块多功能复合晶体，简化了中红外激光器的光路，减小了中红外激光器的体积，且既具有MgO:PPLN的非线性光参量振荡的作用，又具有稀土激光晶体的发光特性。
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公开(公告)号：CN111962155A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010784697.1
申请日：2020-08-06
Abstract: 本发明公开了一种基于介质层辅助的厚片周期极化铁电晶体制备方法，其中提出在周期极化铁电晶体材料的抛光表面首先制备介质层。该介质层是各向同性的透明材料，然后对该透明介质层进行抛光。由于介质层的存在，可以得到特别平整的表面，有利于形成高质量的键合晶体。介质层的厚度相对晶体厚度来说几乎可以忽略不计，不会对晶体的性能尤其是非线性光学性能造成影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119392371A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411548444.9
申请日：2024-11-01
Applicant: 济南量子技术研究院 , 山东大学 , 山东晶量新材料有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种X切铌酸锂晶体生长方法及温场结构，定义X轴向上延伸，该方法使用的温场结构包括保温结构和坩埚，保温结构和坩埚均为上端开口、下端封闭的椭圆筒体，在使用时，坩埚放置在保温结构内，坩埚和保温结构的中心轴线重合，保温结构具有长轴a1和短轴b1，坩埚具有长轴a2和短轴b2，保温结构的长轴和坩埚的长轴均沿Y轴方向延伸，保温结构的短轴和坩埚的短轴均沿Z轴方向延伸，该X切铌酸锂晶体生长方法生长出的铌酸锂晶体为椭圆柱体。本发明解决了现有技术中存在的晶体容易开裂等问题，提高了X轴铌酸锂晶体生长的成功率。
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公开(公告)号：CN119145055A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411548447.2
申请日：2024-11-01
Applicant: 济南量子技术研究院 , 山东晶量新材料有限责任公司 , 山东大学
Abstract: 本发明公开了一种提拉法生长晶体的坩埚及温场结构，所述坩埚为上端开口、下端封闭的筒体，所述坩埚从上至下依次包括晶体生长区、过渡区和保温区，所述过渡区和所述保温区用于容纳熔体，且所述过渡区和保温区在生长晶体时掩埋在温场结构的锆沙层中，所述晶体生长区用于晶体生长，所述保温区和晶体生长区均为等径圆筒体，且所述保温区的直径小于晶体生长区的直径，所述过渡区连接在保温区和晶体生长区之间，所述过渡区为上端直径大、下端直径小的圆锥筒体。本发明解决了现有技术中生长大尺寸晶体用的大尺寸坩埚的底部容易出现熔体自发结晶现象的问题，保证了大尺寸晶体稳定生长。
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公开(公告)号：CN119225087A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411597927.8
申请日：2024-11-11
Abstract: 本发明涉及一种单通道多纠缠光子对产生方法、装置、设备及介质，属非线性光学技术领域。该方法对现有非线性晶体中自发参量下转换产生纠缠光的方法进行改进，通过针对性设计非线性晶体的准相位匹配周期，基于自发参量下转换过程，同时实现了两种波长的高维度偏振纠缠光子对产生，减少了转换通道，相较于现有自发参量下转换产生方法，产生的纠缠光子对翻倍，以及相较于现有非自发参量下转换产生方法，则不需复杂的光学系统，减少了实验误差的多源性，所以综合来说相较于现有纠缠光产生方法具备简单、高效、可靠且设计灵活的特点，大大降低了制备高维度纠缠源的难度，能够更好的推动量子纠缠源以及量子信息技术的发展。
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公开(公告)号：CN110042462A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910356236.1
申请日：2019-04-29
Applicant: 济南量子技术研究院
Abstract: 本发明涉及晶体生长连续加料装置及方法，其在利用晶体生长装置从晶体生长溶液中生长晶体的同时，利用加料装置将预制的细料棒伸入所述晶体生长溶液，对加料量进行监控，并由所述控制系统来控制加料速度。所述细料棒根据所述晶体进行配料并经混料、压块、烧结和高温烧结步骤制备而成。
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