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公开(公告)号：CN119044710A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411144709.9
申请日：2024-08-20
Applicant: 浙江伊控动力系统有限公司
Abstract: 本发明公开了一种适用于SiC模块寿命评估的结温数据点计算方法，包括以下步骤：步骤S1：计算平均损耗；步骤S2：计算平均结温；步骤S3：计算基频结温波动；步骤S4：计算用于雨流统计的结温数据点。本发明公开的一种适用于SiC模块寿命评估的结温数据点计算方法，通过2脉冲近似法以及各单工况点的结温迭代计算，可以得到包含基频结温波动的结温数据点，并且所有单工况点的结温都动态收敛，本发明的结温数据点计算方法可通过计算机程序轻松实现。
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公开(公告)号：CN119179847A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411005404.X
申请日：2024-07-25
Applicant: 浙江伊控动力系统有限公司
IPC: G06F18/10 , G06F30/367 , G06F18/2131
Abstract: 本发明公开了一种分段线性激励源数据点的简化方法，设需要简化的波形数据点对应的时间序列和数据值序列分别为tk和vk，k＝1,2,…,n，包括步骤S1：进行小波滤波；步骤S2：筛选出特殊极值点；步骤S3：通过差值筛选数据点；步骤S4：通过斜率筛选数据点。本发明公开的一种分段线性激励源数据点的简化方法，可以提取出实际波形原始数据点中的核心数据点，核心数据点保留了原始数据点的主要特征，并且其数量远小于原始数据点数量。用核心数据点作为分段线性激励源的输入，使得仿真时间显著缩短，并且有助于仿真收敛。
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公开(公告)号：CN119064741A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411005407.3
申请日：2024-07-25
Applicant: 浙江伊控动力系统有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种模拟逆变器工作模式的SiC MOSFET双脉冲测试方法，包括步骤S1：进行SiC MOSFET双脉冲测试电路搭建，双脉冲发波设备发出的双脉冲信号输入到电路转接板，经过处理后电路转接板将输出互补且带有死区的脉冲信号分别给到脉冲桥臂和续流桥臂所在的驱动电路，从而使得双脉冲测试模拟逆变器的工作状态。本发明公开的一种模拟逆变器工作模式的SiC MOSFET双脉冲测试方法，通过电路转接板给上下桥臂提供互补且带有死区的脉冲波，可使双脉冲测试模拟逆变器的工作状态，从而使得双脉冲测试结果更加准确。
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公开(公告)号：CN110379626B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201910678745.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 浙江伊控动力系统有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于并联IGBT的电容及其制造工艺、应用方法，其中，电容包括:芯子注塑组件，包括注塑体以及呈阵列排列贯穿注塑体的多个电容薄膜芯子；负极铜排及正极铜排，正极铜排与负极铜排无接触位置；壳体，由正极铜排、负极铜排连接到芯子注塑组件后注塑形成。其中制造工艺包括：将多个电容薄膜芯子阵列排列后进行低压注塑，形成一体的芯子注塑组件；采用冲压成型获得正极铜排和负极铜排；将正极铜排和负极铜排分别焊接到芯子注塑组件；将焊接完成的芯子注塑组件、正极铜排和负极铜排，放入注塑模具中精定位，进行高压注塑成型；通过一体化注塑工艺，正负极铜排，电容芯子和塑料外壳复合为一体。本发明抗震性好、导热性佳，体积和质量小。
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公开(公告)号：CN116466155A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310298582.5
申请日：2023-03-24
Applicant: 浙江伊控动力系统有限公司
Abstract: 本发明公开了一种通过分Bin降低SiC模块高温电压应力的方法，包括步骤S1：通过双脉冲测试多个SiC模块的样本，以获得不同样本在高温下的电压应力数据测试结果；步骤S2：根据获取的电压应力数据测试结果统计分析影响高温下SiC模块的电压应力的多个因素，从而获得不同因素对于高温下电压应力的影响关系数据；步骤S3：从多个因素中选取关键参数，以对关键参数进行分Bin。本发明公开的一种通过分Bin降低SiC模块高温电压应力的方法，其可在不损失电流能力的情况下有效降低SiC模块高温下的电压应力，同时不会降低SiC模块的良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118604436A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410499364.2
申请日：2024-04-24
Applicant: 浙江伊控动力系统有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于整机测试波形校验IGBT模块损耗的方法，包括步骤S1：进行上桥IGBT的损耗计算，具体实施为：步骤S1.1：设整机运行时，通过示波器和温度采集设备采集某一相上桥IGBT的电压、电流以及对应的结温数据，并截取其中一部分数据，要求截取的数据包含且仅包含一个完整的电流正半周。本发明公开的一种基于整机测试波形校验IGBT模块损耗的方法，根据整机运行时采集到的电压电流波形以及结温数据，即可计算出IGBT模块的损耗，从而解决模块并联或单管并联时，以及在电流畸变较大时损耗计算误差较大，且损耗难以校验的问题，使得IGBT模块损耗的校验更为准确便捷。
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公开(公告)号：CN116466155B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202310298582.5
申请日：2023-03-24
Applicant: 浙江伊控动力系统有限公司
Abstract: 本发明公开了一种通过分Bin降低SiC模块高温电压应力的方法，包括步骤S1：通过双脉冲测试多个SiC模块的样本，以获得不同样本在高温下的电压应力数据测试结果；步骤S2：根据获取的电压应力数据测试结果统计分析影响高温下SiC模块的电压应力的多个因素，从而获得不同因素对于高温下电压应力的影响关系数据；步骤S3：从多个因素中选取关键参数，以对关键参数进行分Bin。本发明公开的一种通过分Bin降低SiC模块高温电压应力的方法，其可在不损失电流能力的情况下有效降低SiC模块高温下的电压应力，同时不会降低SiC模块的良率。
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公开(公告)号：CN110379626A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910678745.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 浙江伊控动力系统有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于并联IGBT的电容及其制造工艺、应用方法，其中，电容包括:芯子注塑组件，包括注塑体以及呈阵列排列贯穿注塑体的多个电容薄膜芯子；负极铜排及正极铜排，正极铜排与负极铜排无接触位置；壳体，由正极铜排、负极铜排连接到芯子注塑组件后注塑形成。其中制造工艺包括：将多个电容薄膜芯子阵列排列后进行低压注塑，形成一体的芯子注塑组件；采用冲压成型获得正极铜排和负极铜排；将正极铜排和负极铜排分别焊接到芯子注塑组件；将焊接完成的芯子注塑组件、正极铜排和负极铜排，放入注塑模具中精定位，进行高压注塑成型；通过一体化注塑工艺，正负极铜排，电容芯子和塑料外壳复合为一体。本发明抗震性好、导热性佳，体积和质量小。
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公开(公告)号：CN210136785U
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201921181972.X
申请日：2019-07-25
Applicant: 浙江伊控动力系统有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种用于并联IGBT电力电子控制器的直流母线电容，包括:芯子注塑组件，芯子注塑组件包括注塑体以及呈阵列排列贯穿注塑体的多个电容薄膜芯子；负极铜排，正极铜排，正极铜排与负极铜排无接触位置；壳体，壳体由正极铜排、负极铜排连接到芯子注塑组件后注塑形成，负极铜排输入连接体、正极铜排输入连接体、六个水平设置的负极输出接线体和六个水平设置的正极输出接线体都突出壳体设置。本实用新型具有如下优点：一，电容结构抗震性好，导热性好。二，相比于传统环氧灌胶工艺薄膜电容产品，体积和质量减小，省去了灌封胶所占体积和质量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209642545U
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201822139276.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 浙江伊控动力系统有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种集成在薄膜电容器中的EMC滤波器装置，所述滤波器装置包括散热壳体基板，散热壳体基板表面设有集成在一个塑料壳体内的直流母线电容和EMC滤波器，塑料壳体的底部为铝金属底座，铝金属底座的下表面紧贴散热壳体基板上表面或者嵌入散热壳体基板设置。母线电容和EMC滤波器一体化的设计，简化了EMC滤波器作为独立零部件的机械设计，消除了母线电容和EMC滤波器之间的转接铜排；同时铝金属底座的设计，不仅有利于EMC滤波器本身的散热，同时也加强了母线电容的热扩散；依托下底面的金属底座而成型的安装支脚，增强了整个装置耐振的鲁棒性；母线电容塑料支脚易断裂的问题也得到一并解决。
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