公开(公告)号：CN119816193A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510302394.4

申请日：2025-03-14

Applicant: 浙江大学

Inventor： 俞滨 ,  王丁 ,  薛飞 ,  何有水 ,  张亦舒

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种基于铁电面外极化的自整流铁电忆阻器及其制备方法。该忆阻器从上至下为上电极层、铁电层、半导体层垂直结构；铁电层为具有面外铁电极化的铁电半导体；铁电层的面外极化方向同时垂直于上电极层/铁电层界面和铁电层/半导体层界面，两个接触面形成非对称势垒，通过外加电压会改变铁电层的面外极化状态，从而改变两个接触面的势垒高度，同时改变半导体层的载流子输运特性，进而达到对于忆阻器电导态的调控功能。通过外围电路测量忆阻器的导通电流作为存储数值。本发明利用铁电层在极化翻转过程与硅界面的接触势垒的变化实现高阻和低阻的切换以及整流特性。该忆阻器结构简单、易于集成且功耗低。

公开(公告)号：CN116995086A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311201954.4

申请日：2023-09-18

Applicant: 浙江大学

Inventor： 徐杨 ,  马源 ,  张致翔 ,  李宗文 ,  谢云斐 ,  何有水 ,  俞滨

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种硅柱增强型硅基二维材料电荷耦合光电探测器，包括硅衬底，其表面刻蚀形成硅柱增强区并生长绝缘氧化层，其上水平设置二维材料薄膜作为读出层，读出层两端设置源极、漏极，硅衬底的下表面为多层石墨烯，可与衬底形成异质结，以增强红外波段的吸收，最底部设有背栅。光入射后在硅柱之间多次反射叠加并产生等离激元共振，增强对光的吸收和响应，氧化层可以减小对紫外光的反射，硅衬底和底部异质结吸收光并产生光生载流子，二维材料薄膜进行电容耦合输出光电流，并且可以通过背栅电压对光电流进行易失性存储。本发明可有效增强对紫外至红外波段入射光的光电转换效率，实现CMOS兼容的异质集成宽光谱探测。