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公开(公告)号：CN117462514A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311290333.8
申请日：2023-10-08
IPC: A61K9/51 , A61K45/00 , A61K31/606 , A61K31/573 , A61K31/655 , A61K31/352 , A61K31/4439 , A61K31/5377 , A61K47/32 , A61K47/22 , A61P1/00 , A61P29/00 , C07D311/72
Abstract: 本发明公开了一种活性氧响应性释药的脂质纳米粒及其制备方法和应用，属于药物制剂技术领域，该脂质纳米粒包括功能性药物、脂质材料和肠溶型包衣材料；所述的功能性药物为抗炎药物或肠道屏障调控剂，所述的抗炎药物包括醋酸地塞米松、5‑氨基水杨酸盐或柳氮磺胺吡啶，所述的肠道屏障调控剂为PI3K抑制剂；所述的脂质材料为缩硫酮键键合的α‑生育酚和单甘酯，由α‑生育酚、含缩硫酮键的双羧基交联单体和单甘酯反应得到；该脂质纳米粒具有活性氧响应性释药和结肠缓释的性能，能够促进肠道屏障修复、减轻炎症反应等。
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公开(公告)号：CN119816193A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510302394.4
申请日：2025-03-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电面外极化的自整流铁电忆阻器及其制备方法。该忆阻器从上至下为上电极层、铁电层、半导体层垂直结构；铁电层为具有面外铁电极化的铁电半导体；铁电层的面外极化方向同时垂直于上电极层/铁电层界面和铁电层/半导体层界面，两个接触面形成非对称势垒，通过外加电压会改变铁电层的面外极化状态，从而改变两个接触面的势垒高度，同时改变半导体层的载流子输运特性，进而达到对于忆阻器电导态的调控功能。通过外围电路测量忆阻器的导通电流作为存储数值。本发明利用铁电层在极化翻转过程与硅界面的接触势垒的变化实现高阻和低阻的切换以及整流特性。该忆阻器结构简单、易于集成且功耗低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115010921A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210710850.5
申请日：2022-06-22
Applicant: 浙江新和成特种材料有限公司 , 浙江新和成股份有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种分子量分布窄的高分子量半芳香族聚酰胺的连续化制备方法，以水为溶剂，二元胺、二元羧酸为原料，加入分子量调节剂，在催化剂作用下依次进行成盐工艺、脱水浓缩工艺、预聚合工艺、减压闪蒸工艺，再加入分子量调节助剂，与减压闪蒸后的熔融物料一同进行熔融缩聚工艺；分子量调节助剂选自含二苯酮和/或二苯(亚)砜结构的二元羧酸类和/或二元羧酸酯类活性单体；分子量调节助剂占分子量调节剂的物质的量的10％～100％。制备得到的半芳香族聚酰胺具有较高分子量，并且分子量分布更窄，可有效降低PPA低聚物及超高分子量PPA的占比；耐热性能与机械性能优异，扩宽了树脂的适用性，可广泛应用于电子电气及汽车等领域。
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公开(公告)号：CN117156863A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311431186.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H10B51/30 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及铁电存储结构及其制造方法、铁电存储器件及调控方法。本公开实施方式提供一种用于制造铁电存储结构的方法，该方法包括：形成层叠于衬底的铁电沟道层；形成第一电极和第二电极，第一电极与第二电极沿铁电沟道层的延展方向间隔设置、且分别连接于铁电沟道层；形成调制电极，调制电极位于第一电极和第二电极之间，调制电极接触于铁电沟道层。本公开实施方式提供的用于制造铁电存储结构的方法，根据铁电沟道层形成第一电极、第二电极与调制电极，得到可调控沟道阻变的铁电存储结构，减少了因材料本身的质量缺陷、材料厚度不均以及微纳加工工艺等因素对产品稳定性造成的影响。
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公开(公告)号：CN119028828A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411497841.8
申请日：2024-10-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/49 , B82Y10/00
Abstract: 本申请涉及铁电场效应晶体管及其制造方法、存储器。该用于制造铁电场效应晶体管的方法包括：将碳纳米管设置于衬底结构，其中，单根的碳纳米管作为栅极；形成覆盖单根的碳纳米管的栅电介质层；形成层叠于栅电介质层的铁电沟道层，铁电沟道层的材料包括三硒化二铟；以及形成层叠于铁电沟道层的源极图案和漏极图案，源极图案和漏极图案的间隔排列方向交叉于单根的碳纳米管的延伸方向，源极图案和漏极图案位于单根的碳纳米管的两侧。该方法可以实现纳米级超短栅极的铁电场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN117156863B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311431186.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H10B51/30 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及铁电存储结构及其制造方法、铁电存储器件及调控方法。本公开实施方式提供一种用于制造铁电存储结构的方法，该方法包括：形成层叠于衬底的铁电沟道层；形成第一电极和第二电极，第一电极与第二电极沿铁电沟道层的延展方向间隔设置、且分别连接于铁电沟道层；形成调制电极，调制电极位于第一电极和第二电极之间，调制电极接触于铁电沟道层。本公开实施方式提供的用于制造铁电存储结构的方法，根据铁电沟道层形成第一电极、第二电极与调制电极，得到可调控沟道阻变的铁电存储结构，减少了因材料本身的质量缺陷、材料厚度不均以及微纳加工工艺等因素对产品稳定性造成的影响。
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公开(公告)号：CN115010921B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210710850.5
申请日：2022-06-22
Applicant: 浙江新和成特种材料有限公司 , 浙江新和成股份有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种分子量分布窄的高分子量半芳香族聚酰胺的连续化制备方法，以水为溶剂，二元胺、二元羧酸为原料，加入分子量调节剂，在催化剂作用下依次进行成盐工艺、脱水浓缩工艺、预聚合工艺、减压闪蒸工艺，再加入分子量调节助剂，与减压闪蒸后的熔融物料一同进行熔融缩聚工艺；分子量调节助剂选自含二苯酮和/或二苯(亚)砜结构的二元羧酸类和/或二元羧酸酯类活性单体；分子量调节助剂占分子量调节剂的物质的量的10％～100％。制备得到的半芳香族聚酰胺具有较高分子量，并且分子量分布更窄，可有效降低PPA低聚物及超高分子量PPA的占比；耐热性能与机械性能优异，扩宽了树脂的适用性，可广泛应用于电子电气及汽车等领域。
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