公开(公告)号：CN119781733A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411772568.5

申请日：2024-12-04

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

Inventor： 陈燕宁 ,  吴波 ,  刘芳 ,  张睿 ,  杨新煌 ,  邓永峰 ,  郁文

IPC: G06F7/58

Abstract: 本发明提供一种基于电阻式随机存取存储器的真随机数发生器，属于信息安全技术领域。所述真随机数发生器包括：电阻式随机存取存储器、MOS晶体管、比较器以及寄存器；MOS晶体管的栅极通过电阻式随机存取存储器连接电压源信号，MOS晶体管的源极接地，MOS晶体管的漏极与比较器的正输入端连接，比较器的输出端连接寄存器的输入端。比较器的负输入端连接参考电平，该参考电平为MOS晶体管的漏极输出的电压信号的平均值。本发明的真随机数发生器，结合电阻式随机存取存储器自身的电信号随机特性以及MOS管的1/f噪声作为熵源信号，随机数生成速率高，面积小、能耗低，且与CMOS集成电路工艺兼容，易于在集成电路芯片中集成。

公开(公告)号：CN119300451A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411796355.6

申请日：2024-12-09

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张睿 ,  杨新煌

IPC: H10D64/64 ,  H10D8/60 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公开了一种基于平面型背靠背镍硅锗肖特基结的开关器件及制备方法。该开关器件具有一包括底层硅、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，埋氧层上的顶层硅经过减薄刻蚀处理后，内部通过退火形成两块分离的NiSi1‑xGex合金，两块NiSi1‑xGex合金与减薄后的顶层硅形成平面型背靠背肖特基结，NiSi1‑xGex合金上方设有金属接触电极。当施加电压于金属接触电极时，两背靠背肖特基结界面处势垒受到界面态影响，能带发生不同变化，此时电流由其中反向偏置结的不饱和电流控制，两边不对称的势垒高度受到硅锗组分的影响，内部没有复合电荷，接触电阻小，具有较快的反应速度，载流子在界面处与缺陷的交换现象更快，从而得到高频变化开关器件。

公开(公告)号：CN119300451B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411796355.6

申请日：2024-12-09

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张睿 ,  杨新煌

IPC: H10D64/64 ,  H10D8/60 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公开了一种基于平面型背靠背镍硅锗肖特基结的开关器件及制备方法。该开关器件具有一包括底层硅、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，埋氧层上的顶层硅经过减薄刻蚀处理后，内部通过退火形成两块分离的NiSi1‑xGex合金，两块NiSi1‑xGex合金与减薄后的顶层硅形成平面型背靠背肖特基结，NiSi1‑xGex合金上方设有金属接触电极。当施加电压于金属接触电极时，两背靠背肖特基结界面处势垒受到界面态影响，能带发生不同变化，此时电流由其中反向偏置结的不饱和电流控制，两边不对称的势垒高度受到硅锗组分的影响，内部没有复合电荷，接触电阻小，具有较快的反应速度，载流子在界面处与缺陷的交换现象更快，从而得到高频变化开关器件。

公开(公告)号：CN117931129A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311847112.6

申请日：2023-12-28

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 张睿 ,  杨新煌

IPC: G06F7/58

Abstract: 本发明公开了一种基于多重熵源的真随机数发生器及其应用，涉及信息安全技术领域。本发明结合随机噪声和竞争冒险两种物理现象作为随机数的来源，将变化的电流噪声信号转化为电压噪声信号，将该信号接入放大器，产生随机的高低电平，经过锁存器处理得到初始随机序列，实现高混乱程度的随机数生成。本发明采用多重熵源设计真随机数发生器具有混乱程度高、鲁棒性强，不需要复杂后处理电路等优点，同时敏感放大器的使用能很好的提高随机序列吞吐量且降低能耗。因此，本发明真随机数生成器在密码学、模拟计算、仿真等多个领域具有广阔的应用前景。