公开(公告)号：CN119789590A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202510274065.3

申请日：2025-03-10

Applicant: 浙江大学

Inventor： 徐杨 ,  张倩倩 ,  张致翔 ,  李宗文 ,  丁小蕾 ,  谢云斐 ,  王淏宇 ,  胡欢 ,  俞滨

IPC: H10F77/14 ,  H10F30/282 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直硅纳米线的全环栅光伏场效应晶体管及其制备方法，所述光伏场效应晶体管以垂直的硅纳米线作为沟道，将横向宽度转换成纵向深度，更易实现大规模阵列中单个器件的物理隔离，同时大幅度提升光伏场效应晶体管的集成度。所述硅纳米线穿过二维材料薄膜，二维材料薄膜以原子层厚度全环绕包裹硅纳米线，形成环栅结构。该环栅结构依赖于二维材料优异的机械柔性和原子力显微镜球探针纳米级的无损修饰。借助原子力显微镜球探针界面处理技术，本发明提出了一种制备具有亚纳米尺寸栅极的晶体管的新方法，这种光伏晶体管结构不仅有效地抑制了短沟道效应，还显著提高了二维材料与硅基CMOS器件的高效集成能力。