公开(公告)号：CN119324205B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411857229.7

申请日：2024-12-17

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 于峻 ,  苏小伟 ,  康飞宇 ,  杨伟伟

IPC: H01M4/1395 ,  H01M4/134 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明涉及一种钠金属负极及其制备方法和应用，属于电池材料技术领域，本发明钠金属负极的制备方法，包括以下步骤：（1）将UiO‑66高温煅烧得到的固体与氢氟酸溶液混合，静置，干燥，得到多孔碳材料；（2）将步骤（1）所得多孔碳材料和硒粉混合，高温煅烧，得到硒‑多孔碳复合材料；（3）将步骤（2）所得硒‑多孔碳复合材料与熔融钠混合均匀，降温后轧制，即得所述钠金属负极。本发明的负极Na@PC/Na2Se具有双表面层，下层包含3D多孔碳矩阵，上层由Na2Se SEI层组成，这种双重保护中间层使得钠金属负极获得了适应体积变化的高机械韧性、优异的亲钠性和高离子电导率，实现了无枝晶的均匀高速率Na沉积。

公开(公告)号：CN117156863B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311431186.1

申请日：2023-10-31

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 薛飞 ,  王丁 ,  王宝玉 ,  杨伟伟

IPC: H10B51/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及铁电存储结构及其制造方法、铁电存储器件及调控方法。本公开实施方式提供一种用于制造铁电存储结构的方法，该方法包括：形成层叠于衬底的铁电沟道层；形成第一电极和第二电极，第一电极与第二电极沿铁电沟道层的延展方向间隔设置、且分别连接于铁电沟道层；形成调制电极，调制电极位于第一电极和第二电极之间，调制电极接触于铁电沟道层。本公开实施方式提供的用于制造铁电存储结构的方法，根据铁电沟道层形成第一电极、第二电极与调制电极，得到可调控沟道阻变的铁电存储结构，减少了因材料本身的质量缺陷、材料厚度不均以及微纳加工工艺等因素对产品稳定性造成的影响。

公开(公告)号：CN113594277A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110830691.8

申请日：2021-07-22

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 徐杨 ,  董云帆 ,  吕建杭 ,  刘亦伦 ,  葛晓佳 ,  杨伟伟 ,  俞滨

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/113 ,  H01L27/148

Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘层上硅的电荷耦合器件，包括背栅极、衬底、埋层氧化层、漏极区、源极区、顶层硅沟道区、漏极金属接触、源极金属接触、正栅极氧化层和正栅极。入射光照射到器件表面时被衬底吸收，产生的少数载流子积累到由脉冲背栅形成的深耗尽势阱中，顶层薄硅耦合出与势阱中少子对应的电荷，正栅极施加电压放大光响应信号，从而有效收集载流子，实现随机、无损和高速读出；本发明可有效扩宽传统电荷耦合器件的光谱响应范围，同时改变了传统电荷耦合器件的读出方式，产生的信号直接由单个像素结构输出，且通过在正栅极施加电压对电荷积累起到增益的作用，放大器件的光响应信号，提高探测的响应速度和可靠性。

公开(公告)号：CN119324205A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202411857229.7

申请日：2024-12-17

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 于俊 ,  苏小伟 ,  康飞宇 ,  杨伟伟

IPC: H01M4/1395 ,  H01M4/134 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明涉及一种钠金属负极及其制备方法和应用，属于电池材料技术领域，本发明钠金属负极的制备方法，包括以下步骤：（1）将UiO‑66高温煅烧得到的固体与氢氟酸溶液混合，静置，干燥，得到多孔碳材料；（2）将步骤（1）所得多孔碳材料和硒粉混合，高温煅烧，得到硒‑多孔碳复合材料；（3）将步骤（2）所得硒‑多孔碳复合材料与熔融钠混合均匀，降温后轧制，即得所述钠金属负极。本发明的负极Na@PC/Na2Se具有双表面层，下层包含3D多孔碳矩阵，上层由Na2Se SEI层组成，这种双重保护中间层使得钠金属负极获得了适应体积变化的高机械韧性、优异的亲钠性和高离子电导率，实现了无枝晶的均匀高速率Na沉积。

公开(公告)号：CN113594271A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110829895.X

申请日：2021-07-22

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 徐杨 ,  董云帆 ,  吕建杭 ,  刘亦伦 ,  葛晓佳 ,  杨伟伟 ,  俞滨

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/113 ,  H01L27/148

Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料/绝缘层/半导体结构的宽光谱光电探测器，包括栅极、半导体衬底、绝缘层、二维材料薄膜、源极与漏极，二维材料薄膜上表面水平间隔布置有漏极与源极；半导体衬底的底部设有异质结。入射光照射到器件表面时，被半导体衬底和异质结吸收，产生的少数载流子注入积累到由脉冲栅压形成的衬底深耗尽势阱中。由于二维材料的特殊性质，其通过电容耦合有效收集载流子，输出光电流的信号，实现随机、无损和高速读出；本发明可有效扩宽光电探测器的光谱响应范围，实现从紫外光、可见光到红外光的宽光谱探测，同时改变了传统电荷耦合器件的读出方式，提高系统的响应速度和可靠性。

公开(公告)号：CN117156863A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311431186.1

申请日：2023-10-31

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 薛飞 ,  王丁 ,  王宝玉 ,  杨伟伟

IPC: H10B51/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及铁电存储结构及其制造方法、铁电存储器件及调控方法。本公开实施方式提供一种用于制造铁电存储结构的方法，该方法包括：形成层叠于衬底的铁电沟道层；形成第一电极和第二电极，第一电极与第二电极沿铁电沟道层的延展方向间隔设置、且分别连接于铁电沟道层；形成调制电极，调制电极位于第一电极和第二电极之间，调制电极接触于铁电沟道层。本公开实施方式提供的用于制造铁电存储结构的方法，根据铁电沟道层形成第一电极、第二电极与调制电极，得到可调控沟道阻变的铁电存储结构，减少了因材料本身的质量缺陷、材料厚度不均以及微纳加工工艺等因素对产品稳定性造成的影响。