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公开(公告)号：CN116375011A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310399470.9
申请日：2023-04-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C01B32/19 , C01B32/194 , H01L31/18 , H01L31/109 , G01D5/34 , G01D5/30
Abstract: 本发明采用电化学还原策略剥离石墨得到低缺陷多层石墨烯，然后抽滤多层石墨烯分散液制备超薄石墨烯膜，刚性的多层石墨烯片在自组装过程中能够抵抗液体表面张力，保持优异的取向度和结晶性。同时，石墨烯片的高平整度实现了石墨烯和半导体层的紧密结合。进一步地，得到的石墨烯薄膜在水的表面张力作用下，能够轻易地从阳极氧化铝(AAO)滤膜衬底上剥离，通过直接打捞的方式，可以将石墨烯薄膜转移到半导体层上，形成大面积优异贴合。这是由于石墨烯薄膜本身的高刚度能够在转移的过程中避免褶皱和裂纹等缺陷的引入，形成了优异的石墨烯/半导体异质结，最终制备的器件具有优异的光电转化效率。
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