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公开(公告)号：CN108447943A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810242584.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江师范大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硅片清洗后简单有效的保存方法，在对硅片进行彻底清洗后，用68%HNO3生长一层界面态密度低的二氧化硅隔绝层，然后保存到无水乙醇溶液、异丙醇溶液或自然密封袋中，待使用前再用1%的HF溶液浸泡180s，去离子水冲洗后用氮气吹干，即可投入工艺使用。本发明通过浓硝酸生长的二氧化硅致密性良好，界面态密度低，可以很好地隔绝硅片与外界空气的接触。
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公开(公告)号：CN108183171A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810066200.5
申请日：2018-01-17
Applicant: 浙江师范大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池，其结构自下而上为，ITO玻璃、阳极修饰层、活性层、阴极修饰层、阴极，其中采用无毒的锡元素部分替代有毒的铅元素，降低了钙钛矿太阳能电池的毒性，有利于发展环境友好型的钙钛矿太阳能电池，并且通过改变活性层的成分，能够有效调控吸收光谱，使钙钛矿太阳能电池的外量子效率显著提高，得到了更大的光电流，提高电池的光电转换效率，并且适合应用在光探测器中。
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公开(公告)号：CN107723793A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711164409.7
申请日：2017-11-21
Applicant: 浙江师范大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高质量多晶硅生长的坩埚底部热传导装置及方法，包括石墨台、气冷腔和水冷腔，气冷腔的底部设有入气孔和出气孔，内部设有垂直于气冷腔底部的第一入气管；所述水冷腔底部设有出水口与入水口，水冷腔内设有垂直于水冷腔底部的入水管，位于水冷腔底部的中心位置；所述入气孔、出气孔、出水口与入水口各设有一控制阀门；本发明采用气冷和水冷相结合的方法来精确控制硅熔体过冷度，通过调节在多晶硅不同生长阶段的水和氩气的流量，来调控多晶硅生长的过冷度，可以有效控制多晶硅初始成核几率和生长速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109346604A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811145373.2
申请日：2018-09-19
Applicant: 浙江师范大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池，其结构自下而上为，玻璃、阳极ITO、阳极修饰层氧化镍、活性层FAPb0.75Sn0.25I3、第一阴极修饰层PC60BM、第二阴极修饰层BCP，阴极银。因为氧化镍上的钙钛矿的晶粒相对传统的PEDOT：PSS要大，电荷的迁移率更高，可以产生更高的短路电流和外量子效率，进而得到更大的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108417482A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810242569.7
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江师范大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄二氧化硅钝化层的制备方法，该方法在对硅片进行彻底清洗后，用68%HNO3生长1~2nm厚的界面态密度低的二氧化硅膜，然后通过PECVD进行氢钝化未饱和的悬挂键，从而实现硅片的有效钝化。该发明即能达到良好的钝化效果，又解决了热氧化生长二氧化硅的厚度不可控的问题，且化学湿法制备效率高，PECVD法进行氢钝化也无有毒气体的使用，较为安全。
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公开(公告)号：CN108389929A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810319531.5
申请日：2018-04-11
Applicant: 浙江师范大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/074 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种选择性接触晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法，电池结构分为若干层，自上而下为：Ag/ITO/MoOx/SiOy/n-c-Si/SiOy/LiFz/Al；制备时：利用硝酸氧化法在硅片前后表面生长一层超薄SiOy层(1.0～1.3nm)，然后在硅片正面依次生长MoOx、ITO、Ag，硅片背面依次生长LiFx和Al。本发明分别利用MoOx的高功函数、LiFz的低功函数特性弯曲MoOx/c-Si和LiFz/c-Si异质结能带，实现对光生载流子进行选择性分离。
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公开(公告)号：CN107887512A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711302863.4
申请日：2017-12-02
Applicant: 浙江师范大学
CPC classification number: H01L51/424 , H01L51/0003 , H01L51/0077
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池，其结构自下而上为，ITO玻璃、阳极修饰层、活性层、阴极修饰层、阴极，其中采用无毒的锡元素部分替代有毒的铅元素，得到FAPbI3和FASnI3构成的活性层，降低了钙钛矿太阳能电池的毒性，有利于发展环境友好型的钙钛矿太阳能电池，并且由于锡元素的加入，吸光范围变宽，钙钛矿太阳能电池的外量子效率显著提高，得到了更大的光电流，能够使得电池保持高的光电转换效率，并且适合应用在光探测器中。
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公开(公告)号：CN106680687A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710006436.5
申请日：2017-01-05
Applicant: 浙江师范大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2642 , G01R31/2648
Abstract: 本发明公开了一种晶体硅体寿命的精确测量方法，该方法通过准稳态光电导法测少数载流子寿命，准稳态少子寿命测量法可以准确快速地得到硅片少子寿命的真实值，该有效少子寿命包括体寿命和表面复合寿命，在硅片表面复合情况相同的前提下，然后再通过公式计算得到硅片真实的体寿命，与通过光电导衰退法测得的体寿命值相近，这种准稳态光电导法测少子寿命，再计算得到真实体寿命的方法具有简单快速无污染等优点。
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