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公开(公告)号：CN109659400A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811637325.5
申请日：2018-12-29
Applicant: 浙江师范大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了用氧化钒对单晶硅表面进行钝化的方法，清洗硅片，得到干净疏水的硅片表面，用氮气吹干；再在硅片表面蒸镀一层氧化钒薄膜；然后在200-250℃下于管式炉中用氮气进行退火。该方法通过蒸镀的方法将氧化钒粉末沉积在硅片表面，具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点。
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公开(公告)号：CN109768102A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811612890.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 浙江师范大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/077 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法，电池结构为：Ag/ITO/ZnTe/i-a-Si/n-c-Si/i-a-Si/CdSe/Ag；制备时，对单晶硅片进行表面清洗以去除其表面污染杂质；在硅片前后表面生长一层本征非晶硅；在硅片正面的非晶硅薄膜上面，生长ZnTe薄膜和ITO导电薄膜；在硅片背面的非晶硅薄膜上面，生长CdSe薄膜；生长前后Ag电极。本发明提出利用碲化锌(ZnTe)和硒化镉(CdSe)分别替代传统非晶硅/晶体硅结构中的p型非晶硅(p-a-Si)和n型非晶硅(n-a-Si)，ZnTe/a-Si/c-Si/a-Si/CdSe结构的异质结太阳能电池的效率期望得到较大的提升。
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公开(公告)号：CN109037220A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810659403.5
申请日：2018-06-25
Applicant: 浙江师范大学
IPC: H01L27/11521
CPC classification number: H01L27/11521
Abstract: 本发明公开了一种低温制备锡纳米晶存储器的方法，采用RCA标准清洗法对硅片进行表面清洗；把重量百分比为61%的HNO3溶液加热到123℃，然后把清洗好的硅片浸泡在其中；以金属锡靶和SiO2靶，采用共溅射的方式制备厚度为含锡的SiO2薄膜；然后在原位退火30min，退火温度为250~300℃；关闭加热电源，使硅片的温度逐渐降低到室温，然后在原位开始利用射频溅射生长Ta2O5薄膜；利用掩膜板在Ta2O5薄膜以及硅片的反面蒸镀金属铝电极。本发明降低了存储器在制备工艺过程中的热处理温度，提高了存储器的持续微缩能力和高载流子的注入和释放效率。
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公开(公告)号：CN108615790A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810319536.8
申请日：2018-04-11
Applicant: 浙江师范大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种抑制多晶硅PERC电池热辅助光诱导衰减的方法，所采用的电池片结构包括前电极、氮化硅抗反射层和钝化层、磷扩散层、p型多晶硅、氧化铝钝化层、氮化硅保护层、背电极，将电池片放入无光照、空气氛围的普通退火炉中，退火炉温度设置为180-200℃，退火时间为3小时。本发明提出的无光照低温退火技术具有成本低、工艺简单、对电池性能不产生负面影响等特点，因此在多晶硅PERC太阳能电池产业中具有广泛的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN110342525B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910614564.7
申请日：2019-07-09
Applicant: 浙江师范大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种低成本的去除冶金硅中杂质硼的方法，采用高温热氧化法首先在冶金硅表面生长二氧化硅薄层，其次通过热处理方式，调控杂质硼在二氧化硅/硅界面处的分凝，以及调控杂质硼过饱和析出、富集并偏析至硅晶界处，使得冶金硅内部的杂质硼扩散到二氧化硅/硅界面附近，然后去除二氧化硅，最后采用化学湿法酸处理，达到去除杂质的目的。本发明提出的新方法的总杂质去除率大于96％，杂质硼去除率大于93％，具有总杂质和硼杂质去除效率高、工艺流程短、生产成本低、污染小等特点，很容易在产业化上进行推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110342525A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910614564.7
申请日：2019-07-09
Applicant: 浙江师范大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种低成本的去除冶金硅中杂质硼的方法，采用高温热氧化法首先在冶金硅表面生长二氧化硅薄层，其次通过热处理方式，调控杂质硼在二氧化硅/硅界面处的分凝，以及调控杂质硼过饱和析出、富集并偏析至硅晶界处，使得冶金硅内部的杂质硼扩散到二氧化硅/硅界面附近，然后去除二氧化硅，最后采用化学湿法酸处理，达到去除杂质的目的。本发明提出的新方法的总杂质去除率大于96％，杂质硼去除率大于93％，具有总杂质和硼杂质去除效率高、工艺流程短、生产成本低、污染小等特点，很容易在产业化上进行推广应用。
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公开(公告)号：CN109346604A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811145373.2
申请日：2018-09-19
Applicant: 浙江师范大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池，其结构自下而上为，玻璃、阳极ITO、阳极修饰层氧化镍、活性层FAPb0.75Sn0.25I3、第一阴极修饰层PC60BM、第二阴极修饰层BCP，阴极银。因为氧化镍上的钙钛矿的晶粒相对传统的PEDOT：PSS要大，电荷的迁移率更高，可以产生更高的短路电流和外量子效率，进而得到更大的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108417482A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810242569.7
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江师范大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄二氧化硅钝化层的制备方法，该方法在对硅片进行彻底清洗后，用68%HNO3生长1~2nm厚的界面态密度低的二氧化硅膜，然后通过PECVD进行氢钝化未饱和的悬挂键，从而实现硅片的有效钝化。该发明即能达到良好的钝化效果，又解决了热氧化生长二氧化硅的厚度不可控的问题，且化学湿法制备效率高，PECVD法进行氢钝化也无有毒气体的使用，较为安全。
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公开(公告)号：CN108389929A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810319531.5
申请日：2018-04-11
Applicant: 浙江师范大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/074 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种选择性接触晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法，电池结构分为若干层，自上而下为：Ag/ITO/MoOx/SiOy/n-c-Si/SiOy/LiFz/Al；制备时：利用硝酸氧化法在硅片前后表面生长一层超薄SiOy层(1.0～1.3nm)，然后在硅片正面依次生长MoOx、ITO、Ag，硅片背面依次生长LiFx和Al。本发明分别利用MoOx的高功函数、LiFz的低功函数特性弯曲MoOx/c-Si和LiFz/c-Si异质结能带，实现对光生载流子进行选择性分离。
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公开(公告)号：CN107887512A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711302863.4
申请日：2017-12-02
Applicant: 浙江师范大学
CPC classification number: H01L51/424 , H01L51/0003 , H01L51/0077
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池，其结构自下而上为，ITO玻璃、阳极修饰层、活性层、阴极修饰层、阴极，其中采用无毒的锡元素部分替代有毒的铅元素，得到FAPbI3和FASnI3构成的活性层，降低了钙钛矿太阳能电池的毒性，有利于发展环境友好型的钙钛矿太阳能电池，并且由于锡元素的加入，吸光范围变宽，钙钛矿太阳能电池的外量子效率显著提高，得到了更大的光电流，能够使得电池保持高的光电转换效率，并且适合应用在光探测器中。
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