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公开(公告)号：CN117034580A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310923020.5
申请日：2023-07-25
Applicant: 浙江浙能国电投嵊泗海上风力发电有限公司 , 清华大学
IPC: G06F30/20 , H02J3/38 , G06F17/10 , G06F113/06
Abstract: 本申请涉及一种共母线多同型风电机组的等值建模方法及装置，其中，方法包括：获取同母线上多个同型风电机组的机组信息，根据机组信息计算多个同型风电机组的多个等值参数；构建初始等效缩放变压器，并通过多个等值参数对初始等效缩放变压器进行参数设置，得到等效缩放变压器；以及利用预设等效单机、预设等效阻抗和等效缩放变压器构建单机等值模型，以基于单机等值模型对共母线的多个目标同型风电机组进行等效。由此，解决了现有技术的普适性较差，适用的机组接线方式较少，且常规容量等值算法的误差较大，对共母线多同型风电机组进行仿真等效的效率较低等问题。
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公开(公告)号：CN119581430A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411689052.4
申请日：2024-11-25
Applicant: 上海人工智能创新中心 , 清华大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级集成结构及其制作方法，晶圆级集成结构包括：硅转接板、芯片单元层、导电凸起层及器件模组层。所述硅转接板包括相对设置的第一表面和第二表面；芯片单元层位于所述硅转接板的第一表面侧且与所述硅转接板的第一表面电连接；所述芯片单元层包括多个半导体芯片；导电凸起层位于所述硅转接板的第二表面侧且与所述硅转接板的第二表面电连接；器件模组层位于所述导电凸起层远离所述硅转接板的一侧，且与所述导电凸起层电连接。本发明提供了一种晶圆级集成结构及其制作方法，可以提高晶圆级集成结构的带宽，减少通信路径。
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公开(公告)号：CN116798874A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310354949.0
申请日：2023-04-04
Applicant: 上海人工智能创新中心 , 清华大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及芯片散热技术领域，提出涉及一种改善多芯片互联结构的均温性的方法及系统，该方法包括在基板上布置多个散热元件以形成散热层，其中布置在靠近散热层的第二侧的位置处的散热元件的散热能力高于靠近布置在靠近散热层的第一侧的位置处的散热元件的散热能力；将散热层布置在芯片互联层上，其中所述芯片互联层包括多个晶粒；以及将盖板层布置在所述散热层上，其中由所述散热层将所述芯片互联层产生的热量传导至所述盖板层，并且由所述盖板层与所述散热层进行换热。本发明可以有效改善多芯片互联结构的均温性。
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公开(公告)号：CN116578340A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310395659.0
申请日：2023-04-13
Applicant: 上海人工智能创新中心 , 清华大学
IPC: G06F9/30
Abstract: 本发明总的来说涉及半导体芯片技术领域，提出一种针对张量运算的低开销线程切换方法，其中由处理单元执行下列动作：运行第一张量指令；接收数据包，所述数据包包括哈希索引以及数据；解析所述数据包，其中当解析得到第二张量指令并且所述处理单元中存在空闲的线程寄存器时，确定所述第二张量指令的操作数以及优先级；以及当所述第二张量指令的所有操作数准备好，并且所述第二张量指令的优先级高于所述第一张量指令的优先级时，运行所述第二张量指令。本发明以张量作为基本操作数，使得PE内的的指令数大幅降低，由此避免了额外功耗，使得芯片的功耗更低、能效比高，减少了电路面积，并且避免了大量的取指操作带来指令缓存缺失，提升了性能。
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公开(公告)号：CN116544207A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310540169.5
申请日：2023-05-12
Applicant: 上海人工智能创新中心 , 清华大学
IPC: H01L23/48 , H01L23/367 , H01L25/18 , H10B80/00 , H05K1/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种用于多个同构芯片的系统级互联结构，包括：基板；转接板，其布置在所述基板上；以及多个芯片，其布置在所述转接板上，其中多个所述芯片通过混合键合互联。该结构将多个芯片通过转接板实现高速片间互联，可以极大的减少对外连接的输入/输出通路数量，通过垂直供电模块可以减少电源通路的走线长度，并且在不同的位置使用多个散热模组，可以实现近热源高效散热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116544206A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310540159.1
申请日：2023-05-12
Applicant: 上海人工智能创新中心 , 清华大学
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/18 , H10B80/00 , H05K1/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种具有分离式基板的晶圆级集成结构，包括：第一印刷电路板；多个相互分离的基板，其布置在所述第一印刷电路板的第一面上；转接板，其布置在所述多个基板上；以及多个芯片，其布置在所述转接板上。该结构使用相互分离的多个基板，可以解决基板的尺寸问题，通过基板内部的走线，可以使转接板扇出的C4凸块的间距变大。
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公开(公告)号：CN116451641A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310381360.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 上海人工智能创新中心 , 清华大学
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级芯片验证方法，应用于晶圆级芯片，所述晶圆级芯片包含多个互连的裸片，所述晶圆级芯片验证方法包括：将每个裸片作为主芯片，与其互连的裸片作为从芯片，并整理成连接关系表格；通过脚本解析连接关系表格，得到配置文件，作为验证环境的环境配置信息；搭建任意两个裸片连接在一起的第一验证子环境env1，然后通过配置文件将剩余的裸片及其连接关系对应的环境配置信息传输给第一验证子环境env1，搭建对应的验证子环境；进行裸片到裸片的验证。
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公开(公告)号：CN116360984A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310246694.6
申请日：2023-03-14
Applicant: 上海人工智能创新中心 , 清华大学
Abstract: 本发明公开一种基于温度的计算资源分配方法，其首先根据各个计算资源的散热条件确定其第一权重及温度阈值，然后根据得到的第一权重、各个计算资源的标称算力及计算资源参数确定任务映射方案。在设计计算资源映射方案时，考虑计算资源的散热效果，能够减少由于任务不合理分配而导致的局部计算资源温度过热对系统造成的危害的可能性，从系统层面高可能性地保证了处于不同位置和温度范围的芯片稳定地发挥出性能，提高了系统整体性能。
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公开(公告)号：CN119581429A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411689049.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 上海人工智能创新中心 , 清华大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级集成结构及其制作方法，晶圆级集成结构包括：玻璃基板、芯片单元层、导电凸起层及器件模组层。玻璃基板包括依次层叠设置第一导电图案层、层间基板和第二导电图案层；第一导电图案层通过层间基板与第二导电图案层电连接；层间基板包括至少一层层间导电图案层和至少两层层间玻璃主体；芯片单元层位于第一导电图案层远离层间基板的一侧，且与第一导电图案层电连接；导电凸起层位于第二导电图案层远离层间基板的一侧，且与第二导电图案层电连接；器件模组层位于导电凸起层远离第二导电图案层的一侧，且与导电凸起层电连接。本发明提供了一种晶圆级集成结构及其制作方法，可以提高晶圆级集成结构的带宽，也可以减少通信路径。
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公开(公告)号：CN119581428A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411689048.8
申请日：2024-11-25
Applicant: 上海人工智能创新中心 , 清华大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级集成结构及其制作方法，晶圆级集成结构包括：有机基板、芯片单元层、导电凸起层及器件模组层。有机基板包括依次层叠设置的第一重布线层、有机晶圆主体和第二重布线层；有机晶圆主体包括多个有机通孔；第一重布线层与第二重布线层通过有机通孔电连接；芯片单元层位于第一重布线层远离有机晶圆主体的一侧，且与第一重布线层电连接；芯片单元层包括多个半导体芯片；导电凸起层位于第二重布线层远离有机晶圆主体的一侧，且与第二重布线层电连接；器件模组层位于导电凸起层远离第二重布线层的一侧，且与导电凸起层电连接。本发明提供了一种晶圆级集成结构及其制作方法，可以提高晶圆级集成结构的带宽，也可以减少通信路径。
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