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发明公开
一种CuCrO2/GaON异质结日盲紫外探测器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN115911171A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202310019051.8

申请日：2023-01-06

Applicant: 浙江理工大学常山研究院有限公司

Inventor： 胡海争 , 朱羽晨 , 王宇超 , 吴超 , 王顺利 , 郭道友

IPC: H01L31/109 , H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种CuCrO2/GaON异质结构的日盲紫外探测器及其制备方法，所述探测器依次包括石英衬底，位于石英衬底上方的GaON薄膜，并对其进行原位等离子体处理；位于GaON薄膜上方的CuCrO2层；位于GaON薄膜上方的第一测试电极以及位于CuCrO2层的上方的第二测试电极；其中GaON薄膜与CuCrO2层，形成CuCrO2/GaON异质结，构成内界电场，以分离光生载流子。所制备的CuCrO2/GaON异质结构的日盲紫外探测器性能稳定，灵敏度高，响应速度快，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。

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