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公开(公告)号：CN107250786B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201680009523.X
申请日：2016-02-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 检查装置具备：测试单元，其对半导体设备施加刺激信号；MO晶体，其与半导体设备相对地配置；光源，其输出光；光扫描器，其将光源所输出的光照射至MO晶体；光检测器，其检测自与半导体设备(D)相对地配置的MO晶体反射的光，并输出检测信号；及计算机，其基于根据刺激信号生成的参照信号与检测信号的相位差，生成包含表示相位差的相位成分的相位图像数据，并根据该相位图像数据，生成表示电流的路径的图像。
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公开(公告)号：CN109804259A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201780059707.1
申请日：2017-07-04
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/302 , G01N21/00 , G01N21/17 , H01L21/66
Abstract: 一种半导体设备检查方法，是进行被检查体即半导体设备的检查的半导体设备检查方法，包含：对半导体设备输入刺激信号的步骤；取得与被输入了刺激信号的半导体设备的反应对应的检测信号的步骤；根据检测信号及基于刺激信号生成的参照信号，生成包含检测信号中的振幅信息及相位信息的第1同相图像及第1正交图像的步骤；及对第1同相图像及第1正交图像的至少一者实施降低噪声的滤波处理之后，基于该第1同相图像及该第1正交图像而生成第1振幅图像的步骤。
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公开(公告)号：CN108450017A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201680062783.3
申请日：2016-09-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/26
Abstract: 图像生成装置是取得表示在半导体器件中流动的电流的方向的电流方向图像的装置，具备：信号施加部，其将刺激信号施加于半导体器件；磁检测部，其输出基于通过施加刺激信号而产生的磁性的检测信号；及图像生成部，其以根据基于刺激信号而生成的参照信号与检测信号的相位差，生成包含表示相位差的相位成分的相位图像数据，且基于相位图像数据，生成表示电流的方向的电流方向图像的方式构成。
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公开(公告)号：CN109804259B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201780059707.1
申请日：2017-07-04
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/302 , G01N21/00 , G01N21/17 , H01L21/66
Abstract: 一种半导体设备检查方法，是进行被检查体即半导体设备的检查的半导体设备检查方法，包含：对半导体设备输入刺激信号的步骤；取得与被输入了刺激信号的半导体设备的反应对应的检测信号的步骤；根据检测信号及基于刺激信号生成的参照信号，生成包含检测信号中的振幅信息及相位信息的第1同相图像及第1正交图像的步骤；及对第1同相图像及第1正交图像的至少一者实施降低噪声的滤波处理之后，基于该第1同相图像及该第1正交图像而生成第1振幅图像的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108450017B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201680062783.3
申请日：2016-09-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01R31/26
Abstract: 图像生成装置是取得表示在半导体器件中流动的电流的方向的电流方向图像的装置，具备：信号施加部，其将刺激信号施加于半导体器件；磁检测部，其输出基于通过施加刺激信号而产生的磁性的检测信号；及图像生成部，其以根据基于刺激信号而生成的参照信号与检测信号的相位差，生成包含表示相位差的相位成分的相位图像数据，且基于相位图像数据，生成表示电流的方向的电流方向图像的方式构成。
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公开(公告)号：CN116978806A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310946176.5
申请日：2020-01-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 检查装置是对形成有多个发光元件的样品进行检查的检查装置，具备：激发光源，其产生照射至样品的激发光；分色镜，其将来自样品的荧光通过根据波长使其透过或反射而分离；相机，其对经分色镜反射的荧光进行摄像；相机，其对透过分色镜的荧光进行摄像；及控制装置，其基于由相机所取得的第1荧光图像、与由相机所取得的第2荧光图像导出发光元件的色斑信息；分色镜中的透过率及反射率根据波长的变化而变化的波段的宽度即边缘移变宽度，较发光元件的正常荧光光谱的半峰全宽更宽。
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公开(公告)号：CN113646877B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202080024982.1
申请日：2020-01-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 检查装置是对形成有多个发光元件的样品进行检查的检查装置，具备：激发光源，其产生照射至样品的激发光；分色镜，其将来自样品的荧光通过根据波长使其透过或反射而分离；相机，其对经分色镜反射的荧光进行摄像；相机，其对透过分色镜的荧光进行摄像；及控制装置，其基于由相机所取得的第1荧光图像、与由相机所取得的第2荧光图像导出发光元件的色斑信息；分色镜中的透过率及反射率根据波长的变化而变化的波段的宽度即边缘移变宽度，较发光元件的正常荧光光谱的半峰全宽更宽。
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公开(公告)号：CN113646877A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080024982.1
申请日：2020-01-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 检查装置是对形成有多个发光元件的样品进行检查的检查装置，具备：激发光源，其产生照射至样品的激发光；分色镜，其将来自样品的荧光通过根据波长使其透过或反射而分离；相机，其对经分色镜反射的荧光进行摄像；相机，其对透过分色镜的荧光进行摄像；及控制装置，其基于由相机所取得的第1荧光图像、与由相机所取得的第2荧光图像导出发光元件的色斑信息；分色镜中的透过率及反射率根据波长的变化而变化的波段的宽度即边缘移变宽度，较发光元件的正常荧光光谱的半峰全宽更宽。
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公开(公告)号：CN107250786A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680009523.X
申请日：2016-02-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01R15/245 , G01N21/88 , G01R31/2656 , G01R31/311 , G02B27/62
Abstract: 检查装置具备：测试单元，其对半导体设备施加刺激信号；MO晶体，其与半导体设备相对地配置；光源，其输出光；光扫描器，其将光源所输出的光照射至MO晶体；光检测器，其检测自与半导体设备(D)相对地配置的MO晶体反射的光，并输出检测信号；及计算机，其基于根据刺激信号生成的参照信号与检测信号的相位差，生成包含表示相位差的相位成分的相位图像数据，并根据该相位图像数据，生成表示电流的路径的图像。
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