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公开(公告)号：CN1479947A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN01820328.0
申请日：2001-11-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/101
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L31/1085 , H01L31/184 , H01L31/1892 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y02E10/544 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体光检测器的制作方法的特点是，在砷化镓衬底上形成含有光吸收层(4)的多层膜(2－7)。使该砷化镓衬底(1)与玻璃衬底(8)重叠，而使多层膜的最表面膜(7)与玻璃衬底(8)相互接触后，向砷化镓衬底(1)和玻璃衬底(8)之间加压并同时加热，使两衬底(1)、(8)融接。然后，通过蚀刻先除去砷化镓衬底(1)和缓冲层(2)，接着除去蚀刻停止层(3)。然后，形成与光吸收层(4)相连接并相互隔开的梳状肖特基电极(10)、(11)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1134044C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN97122417.X
申请日：1997-11-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/045 , H01J1/32 , H01J43/10
Abstract: 本发明涉及到传输式电子倍增器与其配套的电子管。该传输式电子倍增器具有高的二次电子产生率和一种容许被检测光入射检测位置的结构。电子管包括：封闭容器；放置在封闭容器中的电子源，向封闭容器中发射电子；面对电子源的阳极；安置在电子源和阳极之间的传输式电子倍增器。该传输式电子倍增器包含有用金刚石或用以金刚石为主要成分的材料作成的薄膜，和用来加固薄膜的加固部件，加固部件还有显露一部分薄膜的孔。
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公开(公告)号：CN100481531C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200310101513.3
申请日：2003-10-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J49/025 , H01J37/244 , H01J2237/2445
Abstract: 本发明涉及一种响应速度快、并发光强度高的发光体等。该发光体包括：基板、及设置在该基板的一个面上的氮化物半导体层。该氮化物半导体层由于射入电子而发出荧光。所产生的荧光中至少一部分透过基板，从该基板的另一面射出。该荧光的产生，是因电子射入氮化物半导体层的量子井结构，并由此所生成的电子与空穴的成对的再结合而引起，其响应速度在nsec等级以下。另外，该荧光的发光强度能获得与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体具有的响应速度及发光强度充分适用于扫描型电子显微镜及质量分析装置。
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公开(公告)号：CN1221037C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN01820328.0
申请日：2001-11-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/101
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L31/1085 , H01L31/184 , H01L31/1892 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y02E10/544 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体光检测器的制作方法的特点是，在砷化镓衬底上形成含有光吸收层(4)的多层膜(2-7)。使该砷化镓衬底(1)与玻璃衬底(8)重叠，而使多层膜的最表面膜(7)与玻璃衬底(8)相互接触后，向砷化镓衬底(1)和玻璃衬底(8)之间加压并同时加热，使两衬底(1)、(8)融接。然后，通过蚀刻先除去砷化镓衬底(1)和缓冲层(2)，接着除去蚀刻停止层(3)。然后，形成与光吸收层(4)相连接并相互隔开的梳状肖特基电极(10)、(11)。
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公开(公告)号：CN1497657A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101513.3
申请日：2003-10-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J49/025 , H01J37/244 , H01J2237/2445
Abstract: 本发明涉及一种响应速度快、并发光强度高的发光体等。该发光体包括：基板、及设置在该基板的一个面上的氮化物半导体层。该氮化物半导体层由于射入电子而发出荧光。所产生的荧光中至少一部分透过基板，从该基板的另一面射出。该荧光的产生，是因电子射入氮化物半导体层的量子井结构，并由此所生成的电子与空穴的成对的再结合而引起，其响应速度在nsec等级以下。另外，该荧光的发光强度能获得与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体具有的响应速度及发光强度充分适用于扫描型电子显微镜及质量分析装置。
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公开(公告)号：CN1182279A
公开(公告)日：1998-05-20
申请号：CN97122417.X
申请日：1997-11-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/045 , H01J1/32 , H01J43/10
Abstract: 本发明涉及到传输式电子倍增器与其配套的电子管。该传输式电子倍增器具有高的二次电子产生率和一种容许被检测光入射检测位置的结构。电子管包括:封闭容器;放置在封闭容器中的电子源,向封闭容器中发射电子;面对电子源的阳极;安置在电子源和阳极之间的传输式电子倍增器。该传输式电子倍增器包含有用金刚石或用以金刚石为主要成分的材料作成的薄膜,和用来加固薄膜的加固部件,加固部件还有显露一部分薄膜的孔。
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