公开(公告)号：CN110574247A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201880026749.X

申请日：2018-05-25

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 泷口优 ,  广瀬和义 ,  黑坂刚孝 ,  杉山贵浩 ,  野本佳朗 ,  上野山聪

IPC: H01S5/18

Abstract: 本实施方式涉及半导体发光元件，其具有用于抑制因从相位调制层输出的光的一部分被电极遮挡而导致的光学像的质量降低。该半导体发光元件包括具有基层和多个异折射率区域的相位调制层，相位调制层包括沿层叠方向至少一部分与电极重叠的第一区域和除第一区域外的第二区域。以多个异折射率区域之中仅第二区域内的1个或其以上的异折射率区域对光学像的形成有贡献的方式进行配置。

公开(公告)号：CN112262508B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201980038651.0

申请日：2019-06-04

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 广瀬和义 ,  杉山贵浩 ,  泷口优 ,  野本佳朗 ,  上野山聪

IPC: H01S5/18

Abstract: 本发明一个实施方式涉及的发光装置降低S‑iPM激光器的输出中包含的0次光。该发光装置具备发光部和相位调制层，相位调制层具有基本层和分别包含多个异折射率要素的多个异折射率区域。以设定于相位调制层上的假想的正方晶格的晶格点为中心的各单位构成区域中，从对应的晶格点至异折射率要素的各重心的距离大于晶格间隔的0.30倍且为0.50倍以下。此外，从对应的晶格点至异折射率要素整体的重心的距离大于0且为晶格间隔的0.30倍以下。

公开(公告)号：CN110574247B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201880026749.X

申请日：2018-05-25

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 泷口优 ,  广瀬和义 ,  黑坂刚孝 ,  杉山贵浩 ,  野本佳朗 ,  上野山聪

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/042 ,  H01S5/028

Abstract: 本实施方式涉及半导体发光元件，其具有用于抑制因从相位调制层输出的光的一部分被电极遮挡而导致的光学像的质量降低。该半导体发光元件包括具有基层和多个异折射率区域的相位调制层，相位调制层包括沿层叠方向至少一部分与电极重叠的第一区域和除第一区域外的第二区域。以多个异折射率区域之中仅第二区域内的1个或其以上的异折射率区域对光学像的形成有贡献的方式进行配置。

公开(公告)号：CN100554897C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN03808381.7

申请日：2003-04-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 北原正 ,  野本佳朗 ,  市川典男

IPC: G01J1/02 ,  H01J40/04

CPC classification number: G01J1/02 ,  G01J1/0204 ,  G01J1/0271 ,  G01J1/429 ,  H01J40/04

Abstract: 基座18、阴极20和阳极22容纳在由箱体10构成的空间内，该空间内成为真空。阴极20和阳极22被设置在具有电绝缘性的基座18的同一面上，呈相互啮合的梳齿状。为此，阴极20和阳极22的接近部分的面积增加，通过紫外线的入射而从阴极20放出的光电子在真空中能很好地被阳极22收集。

公开(公告)号：CN115933226A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210994237.0

申请日：2022-08-18

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 宫野广基 ,  相马豪 ,  福井太一郎 ,  种村拓夫 ,  野本佳朗

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/35

Abstract: 本发明提供光调制器和光调制器阵列，其中，光调制器(1A)包括：基体层(10)；在基体层(10)上形成的金属反射层(20)；在反射层(20)上形成的非线性光学晶体的调制层(25)；和导电图案层(30)，其包含在第1方向上周期性地排列并且按第2方向分别延伸的多个图案部(31)，且在调制层(25)上形成。调制层(25)通过借由在反射层(20)与导电图案层(30)之间的电压的施加使得折射率发生变化而使对于对象光的反射率变化。光调制器(1A)将从调制层(25)的上表面侧入射，通过调制层(25)、在反射层(20)反射后的对象光，作为通过反射率的变化调制了强度的调制光向外部出射。由此，能够实现能够高速地进行对象光的强度的调制并且在宽的波长区域使其适当地动作的光调制器。

公开(公告)号：CN109565152B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201780049076.5

申请日：2017-08-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 黑坂刚孝 ,  广瀬和义 ,  杉山贵浩 ,  泷口优 ,  野本佳朗

IPC: H01S5/183

Abstract: 本实施方式涉及一种具有能够从S－iPM激光器的输出光中除去0次光的结构的发光装置。该发光装置包括半导体发光元件和光遮蔽部件。半导体发光元件包括活性层、一对覆盖层和相位调制层。相位调制层包括基本层和分别个别地配置于特定位置的多个不同折射率区域。光遮蔽部件具有如下功能：使沿倾斜方向输出的特定的光像通过，而遮蔽沿发光面的法线方向输出的0次光。

公开(公告)号：CN109565152A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780049076.5

申请日：2017-08-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 黑坂刚孝 ,  广瀬和义 ,  杉山贵浩 ,  泷口优 ,  野本佳朗

IPC: H01S5/183

Abstract: 本实施方式涉及一种具有能够从S－iPM激光器的输出光中除去0次光的结构的发光装置。该发光装置包括半导体发光元件和光遮蔽部件。半导体发光元件包括活性层、一对覆盖层和相位调制层。相位调制层包括基本层和分别个别地配置于特定位置的多个不同折射率区域。光遮蔽部件具有如下功能：使沿倾斜方向输出的特定的光像通过，而遮蔽沿发光面的法线方向输出的0次光。

公开(公告)号：CN109690890B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201780054735.4

申请日：2017-08-31

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 广瀬和义 ,  黑坂刚孝 ,  杉山贵浩 ,  泷口优 ,  野本佳朗

IPC: H01S5/183

Abstract: 本实施方式涉及一种具有能够从S－iPM激光器的输出光中除去0次光的结构的半导体发光元件等。该半导体发光元件包括活性层、一对覆盖层和相位调制层。相位调制层包括基本层和各自单独地配置于特定位置的多个差异折射率区域。一对覆盖层的一层具有分布布拉格反射层，其具有对相对于光出射面的倾斜方向的特定光像的透过特性和对沿光出射面的法线方向输出的0次光的反射特性。

公开(公告)号：CN110383610A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880016044.X

申请日：2018-03-26

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 杉山贵浩 ,  泷口优 ,  黑坂刚孝 ,  广瀬和义 ,  野本佳朗 ,  上野山聪

IPC: H01S5/42 ,  H01S5/026 ,  H01S5/18 ,  H01S5/20

Abstract: 本实施方式涉及具有能够分别生成所期望的光束投影图案的光的多个发光部的单一的半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件在共用基板层上形成活性层和相位调制层，至少相位调制层包含沿共用基板层配置的多个相位调制区域，多个相位调制区域通过在相位调制层的制造后在该相位调制层内的多个部位分离而获得，由此获得具备与现有技术相比经过简单的制造工序而正确地定位的多个发光部的半导体发光元件。

公开(公告)号：CN1646888A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03808381.7

申请日：2003-04-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 北原正 ,  野本佳朗 ,  市川典男

IPC: G01J1/02 ,  H01J40/04

CPC classification number: G01J1/02 ,  G01J1/0204 ,  G01J1/0271 ,  G01J1/429 ,  H01J40/04

Abstract: 基座18、阴极20和阳极22容纳在由箱体10构成的空间内，该空间内成为真空。阴极20和阳极22被设置在具有电绝缘性的基座18的同一面上，呈相互啮合的梳齿状。为此，阴极20和阳极22的接近部分的面积增加，通过紫外线的入射而从阴极20放出的光电子在真空中能很好地被阳极22收集。