公开(公告)号：CN119781573A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411944497.2

申请日：2024-12-26

Applicant: 海信家电集团股份有限公司

Inventor： 叶嵩 ,  陆友威 ,  孙腾达 ,  凌小欢

IPC: G05F1/567

Abstract: 一种基准电压产生电路、芯片和电子设备，该基准电压产生电路包括第一电流源电路，用于输出第一电流，第一电流具有第一温度特性；第一电流镜电路，与第一电流源电路连接，用于基于第一电流生成第二电流；恒流源电路，与第一电流镜电路和第二电流源电路连接，用于输出第三电流；第二电流源电路，用于基于第二电流和第三电流生成第四电流，第四电流是第一电流的补偿电流，第四电流具有第二温度特性，第一温度特性与第二温度特性相反；第二电流镜电路，与第二电流源电路连接，用于基于第四电流生成第五电流，第五电流是第四电流的镜像电流；电压生成电路，与第一电流源电路和第二电流镜电路连接，用于基于第一电流和第五电流生成基准电压。

公开(公告)号：CN119675604A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411720263.X

申请日：2024-11-27

Applicant: 海信家电集团股份有限公司

Inventor： 叶嵩 ,  李建新 ,  孙腾达 ,  陆友威

IPC: H03F1/30 ,  H03F3/16

Abstract: 本申请公开了一种运算放大器的补偿电路、运算放大电路和电子设备，包括：误差放大器，配置为：获取输入到运算放大器的两个输入端的输入电压的采样信号，对采样信号进行误差放大，获得放大信号；整流电路配置为：对放大信号进行整流，以获得使能信号；电流抽取电路其电连接运算放大器的输出端，以及电连接整流电路的输出端，配置为：当接收到整流电路输出的第一使能信号时，电流抽取电路抽取运算放大器的输出端输出的部分电流获得抽取电流，以对运算放大器的输出电压进行补偿，抽取电流为与绝对温度成正比的电流，当接收到整流电路输出的第二使能信号时，电流抽取电路关断，从而使运算放大电路的全温度稳定性显著提高。

公开(公告)号：CN119717989A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411899377.5

申请日：2024-12-20

Applicant: 海信家电集团股份有限公司

Inventor： 叶嵩 ,  凌小欢 ,  王猛 ,  陆友威 ,  孙腾达 ,  李建新

IPC: G05F1/567

Abstract: 一种带隙基准电路、芯片和电子设备，该带隙基准电路包括：启动电路，用于启动带隙基准电路的整个电路；第一基准电压产生电路，第一基准电压产生电路在第一温度范围内具有第一零温漂点，第一零温漂点对应于第一电压值；补偿电路，包括基于第一基准电压产生电路而形成的至少一个第二基准电压产生电路，第二基准电压产生电路在第二温度范围内具有第二零温漂点，第二温度范围与第一温度范围不同但有交叉，第二零温漂点对应于第一电压值；控制电路，用于在不同温度范围内控制第一基准电压产生电路和第二基准电压产生电路中的一个开启，以使得在不同温度范围输出的基准电压值与第一电压值的差值的绝对值小于预设阈值。

公开(公告)号：CN119451148A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411919622.4

申请日：2024-12-24

Applicant: 海信家电集团股份有限公司

Inventor： 王猛 ,  凌小欢 ,  储金星 ,  叶嵩 ,  何濠启

IPC: H10D12/00 ,  H10D84/40 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27

Abstract: 本申请公开了一种RC‑IGBT结构及半导体器件。RC‑IGBT结构包括：基体；第一导电类型的漂移区；第二导电类型的集电区；沟槽栅；第二导电类型的基区；第一导电类型的第一发射区；第二导电类型的第二发射区；第二导电类型的第一阳极区，设于漂移区朝向第二主面的一侧；第一导电类型的第二阳极区，设于漂移区朝向第二主面的一侧，第二阳极区在水平方向上的两侧和第二阳极区朝向第一主面的一侧均与第一阳极区接触；第一导电类型的沟道截止区，设于第一阳极区远离沟槽栅的一侧；平面栅，设置于第二主面，且与第一阳极区和第二阳极区接触；其中，集电区通过外部连接线与第一阳极区和第二阳极区导电连接。根据本申请的RC‑IGBT结构及半导体器件，可以有效消除电压回跳现象。