公开(公告)号：CN102881708B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201110443623.2

申请日：2011-12-27

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 金明燮 ,  金秀吉 ,  朴南均 ,  金圣哲 ,  都甲锡 ,  沈俊燮 ,  李贤姃

IPC: H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/008 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

Abstract: 提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法和驱动方法。所述器件包括：半导体衬底；从半导体衬底的表面延伸的上电极；沿着与半导体衬底的表面平行的方向从上电极的两个侧壁延伸的多个开关结构；以及设置在所述多个开关结构与上电极之间的相变材料层。

公开(公告)号：CN102881708A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201110443623.2

申请日：2011-12-27

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 金明燮 ,  金秀吉 ,  朴南均 ,  金圣哲 ,  都甲锡 ,  沈俊燮 ,  李贤姃

IPC: H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/008 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

Abstract: 提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法和驱动方法。所述器件包括：半导体衬底；从半导体衬底的表面延伸的上电极；沿着与半导体衬底的表面平行的方向从上电极的两个侧壁延伸的多个开关结构；以及设置在所述多个开关结构与上电极之间的相变材料层。