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发明公开
一种在SiO2/Si衬底上制备微米级掺钕钇铝石榴石单晶薄膜的方法审中-实审

公开(公告)号：CN119411229A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411466713.7

申请日：2024-10-21

Applicant: 深圳技术大学

Inventor： 项炳锡 , 韩黄璞 , 李青云 , 马钰洁 , 阮双琛

IPC: C30B29/28 , C30B1/02 , C30B33/02 , H01S3/16

Abstract: 本发明属于光学材料薄膜领域，公开了一种在SiO2/Si衬底上制备微米级掺钕钇铝石榴石单晶薄膜的方法，包括步骤：在硅基底晶圆表面热氧化形成二氧化硅薄膜，采用研磨抛光工艺磨削硅基底晶圆，得到SiO2/Si衬底，与掺钕钇铝石榴石晶圆直接键合，退火处理后，将掺钕钇铝石榴石晶圆磨削至与硅基底表面平行，化学机械抛光后，得到在SiO2/Si衬底上形成的微米级掺钕钇铝石榴石单晶薄膜。本发明采用先直接键合再进行高精度磨削的方式，显著提高了掺钕钇铝石榴石单晶薄膜的厚度均匀，在SiO2/Si衬底上实现了具有均匀厚度、单晶性良好的微米级掺钕钇铝石榴石单晶薄膜的制备。

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