公开(公告)号：CN1382830A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02104076.1

申请日：2002-03-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 梁彤祥 ,  刘杨秋 ,  倪晓军 ,  符晓铭 ,  付志强

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/44

Abstract: 一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法,涉及微电子封装技术。本发明的特征是以乙酰丙酮铜有机金属化合物为前驱体,采用化学气相沉积法进行铜金属化。其制备方法为:首先将聚酰亚胺基板表面进行抛光清洗;利用溅射镀膜法在上述处理后的基板表面沉积TiN非晶层;以N2为载气,其流量170－350ml/min,以H2为反应气体,其流量为400－700ml/min,利用化学气相沉积法在TiN非晶层上制备Cu膜,沉积反应温度为220－280℃,前驱体挥发温度为180－270℃。利用本铜金属化方法,其Cu膜电阻率低,抗电迁移能力好,结合强度大,完全满足电子封装基板需要。

公开(公告)号：CN1170002C

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN02104076.1

申请日：2002-03-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 梁彤祥 ,  刘杨秋 ,  倪晓军 ,  符晓铭 ,  付志强

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/44

Abstract: 一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法，涉及微电子封装技术。本发明的特征是以乙酰丙酮铜有机金属化合物为前驱体，采用化学气相沉积法进行铜金属化。其制备方法为：首先将聚酰亚胺基板表面进行抛光清洗；利用溅射镀膜法在上述处理后的基板表面沉积TiN非晶层；以N2为载气，其流量170-350ml/min，以H2为反应气体，其流量为400-700ml/min，利用化学气相沉积法在TiN非晶层上制备Cu膜，沉积反应温度为220-280℃，前驱体挥发温度为180℃-270℃。利用本铜金属化方法，其Cu膜电阻率低，抗电迁移能力好，结合强度大，完全满足电子封装基板需要。