一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法

    公开(公告)号:CN1382830A

    公开(公告)日:2002-12-04

    申请号:CN02104076.1

    申请日:2002-03-08

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法,涉及微电子封装技术。本发明的特征是以乙酰丙酮铜有机金属化合物为前驱体,采用化学气相沉积法进行铜金属化。其制备方法为:首先将聚酰亚胺基板表面进行抛光清洗;利用溅射镀膜法在上述处理后的基板表面沉积TiN非晶层;以N2为载气,其流量170-350ml/min,以H2为反应气体,其流量为400-700ml/min,利用化学气相沉积法在TiN非晶层上制备Cu膜,沉积反应温度为220-280℃,前驱体挥发温度为180-270℃。利用本铜金属化方法,其Cu膜电阻率低,抗电迁移能力好,结合强度大,完全满足电子封装基板需要。

    一种用真空干燥法制备干燥凝胶球的工艺

    公开(公告)号:CN1958516A

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200610113703.0

    申请日:2006-10-13

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种用真空干燥法制备干燥凝胶球的工艺,属于凝胶球制备技术领域。凝胶球经过陈化、洗涤后采用真空干燥的方法对凝胶球进行干燥,采用该工艺制备的凝胶球破损率低、表里均匀、结构理想。当凝胶球在运动状态下干燥时,凝胶球受热均匀,球之间不会发生粘连。另外本发明选用真空旋转干燥机来实现干燥工艺,并将其用于制备工艺中的陈化和洗球步骤,保证凝胶球的陈化、洗球、干燥三个步骤在同一设备中进行,使设备更紧凑,操作更简便,生产效率提高,能满足规模生产的需要;同时也减少了放射性物料的转移,对生产现场环境有益。

    用双液相水解法制备二氧化锆纳米粉

    公开(公告)号:CN1482066A

    公开(公告)日:2004-03-17

    申请号:CN03109841.X

    申请日:2003-04-15

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了属于化工原料制备技术领域段的一种用双液相水解法制备二氧化锆纳米粉。是将水解过程移入双液相中,水油共沸来实现氯氧化锆或硝酸氧锆的水解,去除水解产物HCl或HNO3,再经烘干、焙烧处理得到均匀分散的颗粒大小10纳米左右,形状为球形的氧化锆纳米粉体,应用于信息功能陶瓷,结构陶瓷,化工原料。整个工艺简单,操作性强,容易扩大规模实验;同时对有机相的回收可以反复使用,原料利用率高,并且与锆矿处理工艺容易实现搭接;工艺过程无须引入氨水,从而减少了前驱体形成过程中的洗涤问题,可以实现流水性作业;采用良好的水热循环系统,可以节约能耗。

    一种水解硝酸氧锆制备二氧化锆纳米粉体工艺

    公开(公告)号:CN1482065A

    公开(公告)日:2004-03-17

    申请号:CN03109840.1

    申请日:2003-04-15

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了属于化工原料及核燃料制备技术领域的一种水解硝酸氧锆制备二氧化锆纳米粉体工艺。是在浓硝酸氧锆的水溶液中加入碳纳米管回流煮沸、烘干、烧结后即得到7-20纳米的二氧化锆纳米粉体。该工艺简单、省去过滤,洗涤工序在低温下就可以得到稳定的立方相,所得二氧化锆纳米粉体广泛应用于制造压电元件、陶瓷电容器、气敏元件、固体电解质电池、陶瓷内燃机引擎、光学玻璃和二氧化锆纤维及锆催化剂等。

    用双液相水解法制备二氧化锆纳米粉的方法

    公开(公告)号:CN100427405C

    公开(公告)日:2008-10-22

    申请号:CN03109841.X

    申请日:2003-04-15

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了属于化工原料制备技术领域段的一种用双液相水解法制备二氧化锆纳米粉。是将水解过程移入双液相中,水油共沸来实现氯氧化锆或硝酸氧锆的水解,去除水解产物HCl或HNO3,再经烘干、培烧处理得到均匀分散的颗粒大小10纳米左右,形状为球形的氧化锆纳米粉体,应用于信息功能陶瓷,结构陶瓷,化工原料。整个工艺简单,操作性强,容易扩大规模实验;同时对有机相的回收可以反复使用,原料利用率高,并且与锆矿处理工艺容易实现搭接;工艺过程无须引入氨水,从而减少了前驱体形成过程中的洗涤问题,可以实现流水性作业;采用良好的水热循环系统,可以节约能耗。

    一种用真空干燥法制备干燥凝胶球的工艺

    公开(公告)号:CN100390102C

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:CN200610113703.0

    申请日:2006-10-13

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种用真空干燥法制备干燥凝胶球的工艺,属于凝胶球制备技术领域。凝胶球经过陈化、洗涤后采用真空干燥的方法对凝胶球进行干燥,采用该工艺制备的凝胶球破损率低、表里均匀、结构理想。当凝胶球在运动状态下干燥时,凝胶球受热均匀,球之间不会发生粘连。另外本发明选用真空旋转干燥机来实现干燥工艺,并将其用于制备工艺中的陈化和洗球步骤,保证凝胶球的陈化、洗球、干燥三个步骤在同一设备中进行,使设备更紧凑,操作更简便,生产效率提高,能满足规模生产的需要;同时也减少了放射性物料的转移,对生产现场环境有益。

    一种制备凝胶球的系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1843610A

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:CN200610011702.5

    申请日:2006-03-31

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: Y02E30/38

    Abstract: 本发明涉及一种制备凝胶球的系统,属于陶瓷凝胶球制备装置技术领域。该系统包括振动分散系统和凝胶系统两部分。其中振动分散系统包括信号控制器1、振动器2和喷嘴3。凝胶系统包括氨气分布环4、凝胶柱5、液槽9、缓冲柱16、贮球罐11,用于凝胶的介质液体在循环泵14的驱动下可在凝胶柱5、液槽9、缓冲柱16之间循环,溶胶经过氨气分布环4在凝胶柱5中反应胶凝成为凝胶球,凝胶球随液体流入液槽9中。该系统能保证溶胶球在制备系统中的充分凝胶并减小凝胶球之间压力、避免因介质液体流动对液面产生的扰动,而且保证整体设备紧凑、易于控制、能满足连续作业的需要。

    一种制备凝胶球的装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100371064C

    公开(公告)日:2008-02-27

    申请号:CN200610011702.5

    申请日:2006-03-31

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: Y02E30/38

    Abstract: 本发明涉及一种制备凝胶球的系统,属于陶瓷凝胶球制备装置技术领域。该系统包括振动分散系统和凝胶系统两部分。其中振动分散系统包括信号控制器(1)、振动器(2)和喷嘴(3)。凝胶系统包括氨气分布环(4)、凝胶柱(5)、液槽(9)、缓冲柱(16)、贮球罐(11),用于凝胶的介质液体在循环泵(14)的驱动下可在凝胶柱(5)、液槽(9)、缓冲柱(16)之间循环,溶胶经过氨气分布环(4)在凝胶柱(5)中反应胶凝成为凝胶球,凝胶球随液体流入液槽(9)中。该系统能保证溶胶球在制备系统中的充分凝胶并减小凝胶球之间压力、避免因介质液体流动对液面产生的扰动,而且保证整体设备紧凑、易于控制、能满足连续作业的需要。

    一种水解硝酸氧锆制备二氧化锆纳米粉体工艺

    公开(公告)号:CN1214986C

    公开(公告)日:2005-08-17

    申请号:CN03109840.1

    申请日:2003-04-15

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了属于化工原料及核燃料制备技术领域的一种水解硝酸氧锆制备二氧化锆纳米粉体工艺。是在浓硝酸氧锆的水溶液中加入碳纳米管回流煮沸、烘干、烧结后即得到7-20纳米的二氧化锆纳米粉体。该工艺简单、省去过滤,洗涤工序在低温下就可以得到稳定的立方相,所得二氧化锆纳米粉体广泛应用于制造压电元件、陶瓷电容器、气敏元件、固体电解质电池、陶瓷内燃机引擎、光学玻璃和二氧化锆纤维及锆催化剂等。

    一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法

    公开(公告)号:CN1170002C

    公开(公告)日:2004-10-06

    申请号:CN02104076.1

    申请日:2002-03-08

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法,涉及微电子封装技术。本发明的特征是以乙酰丙酮铜有机金属化合物为前驱体,采用化学气相沉积法进行铜金属化。其制备方法为:首先将聚酰亚胺基板表面进行抛光清洗;利用溅射镀膜法在上述处理后的基板表面沉积TiN非晶层;以N2为载气,其流量170-350ml/min,以H2为反应气体,其流量为400-700ml/min,利用化学气相沉积法在TiN非晶层上制备Cu膜,沉积反应温度为220-280℃,前驱体挥发温度为180℃-270℃。利用本铜金属化方法,其Cu膜电阻率低,抗电迁移能力好,结合强度大,完全满足电子封装基板需要。

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