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公开(公告)号：CN110208229A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910410657.8
申请日：2019-05-17
Applicant: 清华大学天津高端装备研究院 , 清华大学
Abstract: 本公开一种微流控生物芯片扫描信号检测装置，包括：原始扫描信号的获取与滤波模块获取微流控生物芯片待测区及流道上的被诱导荧光信号的扫描信号；扫描信号的小波变换模块获取T、C区扫描信号长度；扫描信号的等时间长度确定模块获取T区和C区的有效信号长度；信号提取模块提取T区和C区有效扫描信号；信号均匀化重建模块对T、C区有效扫描信号的均匀化重建；被检物的浓度计算模块，依据T、C区重建后的扫描信号的面积，获取被检物的浓度。上述装置应用于微流控生物芯片扫描式检测过程中，能够解决对被诱导荧光在T区与C区内被提取信号长度不一致、区域内被测信号分布不均匀等的问题。
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公开(公告)号：CN109877404A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910185879.4
申请日：2019-03-12
Applicant: 清华大学天津高端装备研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种微流控芯片注塑模具V形槽的制备方法及其应用和微流控芯片的制备方法，涉及微流控芯片制造领域，包括先提供具有圆锥形尖端的第三微细圆锥电极以将工件加工制得V形槽的主体轮廓，然后再进一步的将第三微细圆锥电极修整成圆锥高度和角度更小的第四尖端圆锥电极，以用于将V形槽的主体轮廓进一步修饰，得到底端圆角更小的V形槽。该制备方法缓解了现有技术中存在的缺乏一种高质量制造微流控芯片注塑模具V型槽的工艺的技术问题。
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公开(公告)号：CN109877404B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910185879.4
申请日：2019-03-12
Applicant: 清华大学天津高端装备研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种微流控芯片注塑模具V形槽的制备方法及其应用和微流控芯片的制备方法，涉及微流控芯片制造领域，包括先提供具有圆锥形尖端的第三微细圆锥电极以将工件加工制得V形槽的主体轮廓，然后再进一步的将第三微细圆锥电极修整成圆锥高度和角度更小的第四尖端圆锥电极，以用于将V形槽的主体轮廓进一步修饰，得到底端圆角更小的V形槽。该制备方法缓解了现有技术中存在的缺乏一种高质量制造微流控芯片注塑模具V型槽的工艺的技术问题。
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公开(公告)号：CN110208229B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910410657.8
申请日：2019-05-17
Applicant: 清华大学天津高端装备研究院 , 清华大学
Abstract: 本公开一种微流控生物芯片扫描信号检测装置，包括：原始扫描信号的获取与滤波模块获取微流控生物芯片待测区及流道上的被诱导荧光信号的扫描信号；扫描信号的小波变换模块获取T、C区扫描信号长度；扫描信号的等时间长度确定模块获取T区和C区的有效信号长度；信号提取模块提取T区和C区有效扫描信号；信号均匀化重建模块对T、C区有效扫描信号的均匀化重建；被检物的浓度计算模块，依据T、C区重建后的扫描信号的面积，获取被检物的浓度。上述装置应用于微流控生物芯片扫描式检测过程中，能够解决对被诱导荧光在T区与C区内被提取信号长度不一致、区域内被测信号分布不均匀等的问题。
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公开(公告)号：CN110247644B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201910559212.6
申请日：2019-06-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于雪崩三极管的微细电火花加工用纳秒脉冲电源，包括：直流电源、充电电路、放电电路、驱动脉冲输入电路和陡化波形电路，其中，充电电路包括：第一限流电阻R1和二极管D1；放电电路包括：储能电容C1、第一雪崩三极管T1和控制电阻R2；驱动脉冲电路包括：第二限流电阻R3和第三限流电阻R4；陡化波形电路包括：第二雪崩三极管T2；驱动脉冲输入电路控制放电电路中雪崩三极管的通断，根据输入的驱动脉冲的类型，产生单个或者连续多个纳秒级放电脉冲，峰值电压可通过直流电源调节。该电源采用雪崩三极管作为开关元件，打开速度快，开关频率高，可以获得纳秒级脉宽脉冲，有效提高微细电火花加工质量和加工效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111451591A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010196983.6
申请日：2020-03-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种微细电解加工用的镀银玻璃管电极及其制备方法，所述镀银玻璃管电极包括玻璃管基体和电极层，所述电极层位于玻璃管基体内壁、端面和部分外壁，所述玻璃管基体为微细玻璃管，所述电极层为银层。该镀银玻璃管电极中的银层具有优异的导电性能，微细玻璃管具有优异的绝缘性能，可满足微细电解加工应用中对于侧壁绝缘、微细中空电极的需求，且使用耐久性好。
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公开(公告)号：CN104646776A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410848089.7
申请日：2014-12-31
IPC: B23H3/04
CPC classification number: B23H3/04
Abstract: 本发明涉及一种微细电解加工用嵌套式中空电极的焊接制备工艺，用于解决微细电解加工间隙内电解液更新和产物排出困难的问题。该工艺包括以下工序：微细中空管穿丝工序，中管粘结工序，金属管嵌套尺寸及位置调整工序和嵌套式中空电极焊接工序。具体地，首先在准备的微细中空管中穿圆柱细丝；其次将穿丝后的微细中空管穿入中管的内孔中并将该中管的一端粘结在所述穿丝后的微细中空管的外壁，形成组合电极；再次将组合电极伸入大管，控制所述组合电极的中管伸入所述大管的长度；最后将所述中管的一端与所述大管焊接，然后将所述中管的另一端与所述微细中空管焊接。所述制备工艺可以保证大管和微细中空管的同轴度，可以使中空电极具有一致的导电性和连通高压电解液的密封能力，该工艺制备过程精确可控，适于成批大量生产。
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公开(公告)号：CN110275097B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910557063.X
申请日：2019-06-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米级间隙电火花放电测试系统及方法，其中，系统包括：微细工具电极，作为工具电极用于微细电火花放电；硅片，作为工件电极用于微细电火花放电，硅片的导电膜上预设厚度制备的绝缘膜用作击穿介质，以给目标纳米级放电间隙；一维移动平台，用于固定并移动定位硅片，以使硅片上的绝缘膜与微细工具电极接触并使悬挂的导电丝产生目标角度扭转；扭矩悬挂系统，用于利用导电丝的目标角度的扭转生成扭矩，使微细工具电极与硅片上的绝缘薄膜微力接触，且不刺穿绝缘薄膜，以得到在目标纳米级间隙情况下更微能量脉冲放电电源性能测试结果。该系统操作过程简单方便、成本低、可靠性高，易于实现自动化调控和测试过程。
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公开(公告)号：CN110247644A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910559212.6
申请日：2019-06-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于雪崩三极管的微细电火花加工用纳秒脉冲电源，包括：直流电源、充电电路、放电电路、驱动脉冲输入电路和陡化波形电路，其中，充电电路包括：第一限流电阻R1和二极管D1；放电电路包括：储能电容C1、第一雪崩三极管T1和控制电阻R2；驱动脉冲电路包括：第二限流电阻R3和第三限流电阻R4；陡化波形电路包括：第二雪崩三极管T2；驱动脉冲输入电路控制放电电路中雪崩三极管的通断，根据输入的驱动脉冲的类型，产生单个或者连续多个纳秒级放电脉冲，峰值电压可通过直流电源调节。该电源采用雪崩三极管作为开关元件，打开速度快，开关频率高，可以获得纳秒级脉宽脉冲，有效提高微细电火花加工质量和加工效率。
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公开(公告)号：CN104588799B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410743850.0
申请日：2014-12-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种具有辅助电极脉间输出的微细电解加工电源，包括：第一放大器、第二放大器、第一二极管D1、第二二极管D2、工具电极以及辅助电极。本发明提供的具有辅助电极脉间输出的电解加工电源，可以有效抑制工具电极的损耗，利用辅助电极导入电解池的完全去极化电流，完全快速泄放加工工件与电解液界面处双电层电容上的电荷，快速消除加工工件与溶液间的原电池效应，使极间维持电压降低为零，适当大小的完全去极化电流，还可以快速去除加工工件与电解液交界面上的表面钝化膜，进一步提高加工效率和表面质量。
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