公开(公告)号：CN106587041A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611056334.6

申请日：2016-11-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  宁柯瑜 ,  刘厚方 ,  鞠镇毅 ,  程荆磊 ,  杨轶

IPC: C01B32/198 ,  C01B25/00 ,  C01G41/00 ,  C01B19/04 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y70/00 ,  B33Y80/00

CPC classification number: C01B25/003 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y70/00 ,  B33Y80/00 ,  C01B19/007 ,  C01G41/00

Abstract: 本发明提供一种基于喷墨打印技术的薄膜制备装置及制备方法，采用对应设置的顶板和底板，在所述顶板的下端面上安装面向所述底板、且由控制装置控制的喷头阵列，所述喷头阵列将试剂喷射到设置于底板上端面的基底上，制备得到薄膜。本发明制备薄膜的装置结构简单，薄膜制备方法的工艺过程简单，操作方便，能够有效提高制备薄膜的效率和质量。

公开(公告)号：CN106711323A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201611185367.0

申请日：2016-12-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  刘潇 ,  刘厚方 ,  李宇星 ,  鞠镇毅 ,  宁柯瑜 ,  程荆磊 ,  李林森 ,  杨轶

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种利用二维材料的磁性异质结构磁性隧道结，其整体上为垂直堆叠的三明治结构，上层为铁磁性层或非铁磁性材料层，下层为铁磁性层或非铁磁性材料层，上层和下层之间为二维材料层。本发明使用二维材料作为隧穿层构成一种新型的新型磁性异质结构，可实现真正的2D原子级厚度和连续可调控的能带特性，为下一代磁存储、磁传感、自旋逻辑、量子计算等应用提供了巨大的尺寸缩小空间和灵活应用的潜力。