-
公开(公告)号：CN119822324A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411999771.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构的制备方法。制备方法包括：在第一基板的第一表面形成第一电极。形成包括第一主体层及位于第一主体层一侧的第一凸柱的第一结构层。将第一基板与第一结构层键合。对第一主体层进行处理，形成图形化的第二主体层及第二凸柱，第二主体层包括质量结构，质量结构在第一表面上的正投影与第一电极在第一表面上的正投影至少部分交叠。在第二基板的第二表面形成第二电极，第二凸柱的高度与第二电极的厚度的差值等于第一凸柱的高度与第一电极的厚度的差值。将第二基板与第二结构层键合，使第二凸柱与第二表面接触，且第二凸柱的高度保持不变，第二电极在第一表面上的正投影与第一电极在第一表面上的正投影重合。
-
公开(公告)号：CN113794459B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202111096858.9
申请日：2021-09-18
Applicant: 清华大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明涉及一种MEMS谐振器锚点阻尼的数值表征、抑制的结构及方法，其包括：抑制区域，位于每个谐振质量块的中心位置处，且多个所述抑制区域呈对称分布；抑制结构，用于改变谐振参数抑制锚点耗散，设置在所述抑制区域内；理论不动点区域，以锚点为中心呈对称分布在连接所述谐振质量块用的支撑架上；检测结构，用于对锚点耗散进行数值表征，实现对非对称振动的检测，设置在所述理论不动点区域内。本发明通过设计不对称振动检测结构和不对称振动抑制结构，实现对于锚点耗散的实时测量表征与闭环抑制。本发明具有易于加工，不增加工艺复杂度，检测精度高，闭环抑制效果好，有效降低锚点阻尼耗散的特点。
-
公开(公告)号：CN115933801A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310042475.6
申请日：2023-01-28
Applicant: 清华大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明属于微电子与固体电子学技术领域，涉及一种带隙基准电压源电路，包括：核心电路和误差放大器电路；核心电路包括第一电阻，第二电阻、第一三极管和第二三极管，第一电阻的输出端与第一三极管以及第二三极管的集电极连接，第二三极管的发射极与第二电阻的输入端连接，且第二三极管的基极与第二三极管的集电极连接，第一三极管与第二三极管的集电极分别与误差放大器电路中的第七PMOS管和第八PMOS管的栅极相连；核心电路与误差放大器电路形成负反馈，稳定输出的电压。其具有低误差放大器噪声传递系数，并具有输出噪声低的特性。
-
公开(公告)号：CN113794459A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111096858.9
申请日：2021-09-18
Applicant: 清华大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明涉及一种MEMS谐振器锚点阻尼的数值表征、抑制的结构及方法，其包括：抑制区域，位于每个谐振质量块的中心位置处，且多个所述抑制区域呈对称分布；抑制结构，用于改变谐振参数抑制锚点耗散，设置在所述抑制区域内；理论不动点区域，以锚点为中心呈对称分布在连接所述谐振质量块用的支撑架上；检测结构，用于对锚点耗散进行数值表征，实现对非对称振动的检测，设置在所述理论不动点区域内。本发明通过设计不对称振动检测结构和不对称振动抑制结构，实现对于锚点耗散的实时测量表征与闭环抑制。本发明具有易于加工，不增加工艺复杂度，检测精度高，闭环抑制效果好，有效降低锚点阻尼耗散的特点。
-
公开(公告)号：CN112723298A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011607823.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种用于MEMS传感器刻蚀的散热补偿微结构。具体是通过在刻蚀热量集中区域，如梳齿空隙，梁结构周围等需要被刻蚀区域下方设计散热结构，散热结构连接结构层与基底层，在结构硅层刻通之前，反应产生的热量通过散热柱传递至基底；结构硅层刻通之后，反应离子将继续刻蚀散热柱，一方面不影响可动结构运动，另一方面可以解决反应离子经基底反射刻蚀结构层背面的问题。该方法优点在于结构简单，易于设计，效果明显，一致性明显，可以有效解决单锚点MEMS器件深硅刻蚀步骤的散热途径长，散热不均匀，不同部分过刻量不同以及表面刻蚀缺陷等问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112287488A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011228319.1
申请日：2020-11-06
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/17 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种用于微机电器件的非线性弹性约束结构及约束方法，包括如下部件：若干固定体和一梁长约束体；若干直梁，若干所述直梁的第一端分别与若干所述固定体一一对应连接，若干所述直梁的第二端分别与所述梁长约束体连接；当所述直梁与所述梁长约束体连接的端点发生位移时，所述梁长约束体和所述固定体约束所述直梁在长度方向发生变形。本发明的非线性弹性约束结构与线性弹性约束结构相比，在相同的外力冲击下，可以减小可动部分的位移，避免可动部分与保护挡块碰撞，或减小碰撞时的撞击力，更好地保护器件微结构。
-
公开(公告)号：CN112209332A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910619306.8
申请日：2019-07-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种单片六轴IMU的双面电极制作及圆片级真空封装方法。本发明方法所形成的整体结构包括基底层、器件层和盖帽层，在基底层上实现多层互联结构，优化走线布局，减小寄生电容，便于后续和外部电路之间的连接；器件层包括敏感结构、硅柱以及硅墙，硅柱用于连接盖帽层上的与基底层金属电极；硅墙分别与基底层和盖帽层键合形成真空封闭腔室。本发明方法将真空封装与MEMS敏感结构的加工合并，避免对裸芯片二次真空封装时可能带来的污染，同时可实现双面电极制作，为非平面运动信号的检测提供可能。
-
公开(公告)号：CN105071809B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510532204.4
申请日：2015-08-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种后台校正的互补电流电路、开关电路及电流型数模转换器，互补电流电路包括电流大小比较器，校正控制单元，待校正的互补电流支路及其对应的电流源，参考电流源，开关模块，若干个控制信号产生单元，以及备用电流源。其中，电流大小比较器在校正控制单元和开关模块的控制下，通过参考电流源比较待校正的互补电流支路中两个电流源的电流大小，将比较结果送到校正控制单元进一步调节待校正的电流源输出电流。本发明具有如下优点：互补电流的校正精度高、电路结构简单、运行速度快。
-
公开(公告)号：CN107679622A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710795185.3
申请日：2017-09-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种面向神经网络算法的模拟感知计算架构，包括：神经元值缓冲器，其配置为缓存待分析对象的样本参数；突触权重缓冲器，其配置为存储与样本参数对应的突触权重；模拟计算处理模块，其配置为根据突触权重和样本参数，在模拟域对待分析对象进行特征提取及特征分类。本发明实现了待分析对象的特征提取和特征分类，并且对样本参数和突触权重的计算是在模拟域中进行，具有高能效的特点，同时本架构减少了模数和数模转换模块的代价，进一步降低了能耗。
-
公开(公告)号：CN104852733A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510250374.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种动态元件匹配编码器，其特征在于，包括：输入模块，提供1个n位二进制数B，其中，B＝BnBn-1…B2B1，且0≤B≤2n-1；n级编码器，n级编码器用于对二进制数B进行编码，其中，n级编码器的每一级包括一个数据复制器和一个随机选择器，第k级编码器包括1个2k-1位数据复制器和1个2k-1位随机选择器，其中，2k-1位数据复制器用于将1个1位二进制数的各位复制得到1个2k-1位二进制数输出，2k-1位随机选择器用于将2个2k-1位二进制数的各位随机选择并重新组合得到1个2k位二进制数输出，编码器经过n级数据复制和随机选择得到2n个1位二进制数输出，其中，k＝1,2,…,n。本发明具有结构简单、复杂度低、随机化程度高优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
107
records
(took 0.029 seconds)
